公开(公告)号：CN209016019U

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201822181676.1

申请日：2018-12-24

申请人： 歌尔股份有限公司

发明人： 解士翔

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/56

摘要： 本实用新型公开一种封装组件，封装组件包括：基板；多个芯片，均设置在所述基板上，相邻的所述芯片间隔设置；以及封装罩，包括依次连接的多个外壳，每一所述外壳均为朝所述基板敞口的空腔结构，多个所述外壳一一对应罩设多个所述芯片，且所述外壳的敞口边缘与所述基板密封固定。本实用新型技术方案能够提高芯片的封装效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN200981890Y

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200620132708.3

申请日：2006-08-25

申请人： 联萌科技股份有限公司

发明人： 梁金堆 ,  林俊良

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

摘要： 一种适用于晶圆制程，具有防止残留钯材颗粒污染以及提高清洁效率的改进的半导体机台。此半导体机台包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置。其中挡板设置于制程室内并具有一抵接部；晶圆载盘设置于制程室内，该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构；而承载装置具有晶圆载盘连接的一顶端。此半导体机台利用挡板将残留钯材颗粒加以吸附与阻隔，达到防止残留钯材颗粒污染晶圆制程的目的、以及提升半导体机台内晶圆制程的效率。

公开(公告)号：CN118575587A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380017773.8

申请日：2023-01-26

申请人： 日新电机株式会社

发明人： 酒井敏彦 ,  东大介

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

摘要： 本发明提供一种能够适当地控制荷电粒子的动作的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括处理室(2)。在处理室(2)的内部包括：载台(3)，供作为被处理物的被处理基板(H1)设置；天线(4)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离子体；以及内部电极(8)，施加规定的电位。

公开(公告)号：CN118556280A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202280061202.X

申请日：2022-12-26

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 石桥凉汰 ,  于盛楠 ,  佐藤浩平

IPC分类号： H01L21/31

摘要： 提供一种使真空容器内部的排气流导提高、使稳定的等离子形成形成的等离子处理装置。等离子处理装置在真空容器外部配置多个驱动致动器，用多根臂连接驱动致动器和样品台底面的外周部。通过利用驱动致动器进行的臂的上下驱动来上下驱动样品台。为了供电等目的而与样品台连接的电缆类和臂在铅垂方向上并列配置，通过将电缆类作为沿着臂的布线路径来抑制滑动，减少样品台单元所占的真空容器的容积。

公开(公告)号：CN118522635A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410177165.X

申请日：2024-02-08

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： V·马德希瓦拉 ,  V·万达伦 ,  N·V·斯里纳思 ,  E·托伊斯 ,  邓少任 ,  D·基亚佩 ,  M·图米恩 ,  C·德泽拉 ,  韩镕圭 ,  K·K·威蒂尤拉 ,  G·威尔克 ,  D·赞德斯 ,  A·M·卡罗

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本公开涉及通过循环气相沉积技术选择性地沉积金属氧化物的方法和处理组件。这种方法可以用于例如处理半导体衬底。更具体地，本公开涉及用于选择性地沉积金属氧化物层的方法和组件。本公开的各种实施例涉及金属氧化物层的选择性沉积，例如介电层、蚀刻停止层和阈值电压偏移层。具体而言，本公开涉及通过循环气相沉积过程沉积金属氧化物层，例如氧化钇(Y2O3)和掺杂金属氧化物层，例如掺杂钇氧化铝(AlYOx)。

公开(公告)号：CN118197920B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410598880.0

申请日：2024-05-15

申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司

发明人： 谢辉 ,  陈献龙 ,  韩佳锡

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  B24B49/00 ,  B24B37/10

摘要： 本申请提供了一种半导体晶圆的表面处理方法、装置、电子设备及介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：确定生成两层氧化硅薄膜的第一工艺要求及第二工艺要求，第一工艺要求包括第一厚度及第一去除速率，第二工艺要求包括第二厚度及第二去除速率；在待处理半导体晶圆上生成第一工艺要求的第一氧化硅薄膜；在第一氧化硅薄膜上生成第二工艺要求的第二氧化硅薄膜，第一去除速率大于第二去除速率；依次对第二氧化硅薄膜及第一氧化硅薄膜进行研磨，获得表面平整的半导体晶圆。通过采用上述半导体晶圆的表面处理方法、装置、电子设备及介质，解决了研磨过程中，由于增加过抛时间而导致的深沟槽隔离失效的问题。

公开(公告)号：CN118435327A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084608.X

申请日：2022-12-26

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

摘要： 本发明的基片处理方法包括准备基片的工序。基片具有：第一区域；和用于在该第一区域上提供开口的第二区域。基片处理方法还包括：使用从第一气体生成的第一等离子体，优先在第二区域的顶部上形成顶部沉积物的工序。基片处理方法还包括：在顶部沉积物的表面和界定开口的侧壁面形成厚度沿着该开口的深度方向减少的第一膜的工序。

公开(公告)号：CN118414690A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280083793.0

申请日：2022-12-16

申请人： 株式会社博迈立铖

发明人： 泽田明典

IPC分类号： H01L21/31 ,  B01J7/02 ,  C23C16/448 ,  F16K49/00 ,  F16L53/38 ,  H01L21/205

摘要： 由供材料气体流动的流路、对流路进行加热的一个或两个以上能够更换的加热器、与加热器连结且使加热器向接近流路的方向或远离流路的方向位移的操纵器、规定加热器的可动区域的引导件、以及使操纵器和引导件的位置关系固定的止挡件构成气化器。由此，实现一种即使在宽度较窄而密集地设置的情况下也能够容易地进行加热器的更换的气化器。优选的是，操纵器的至少局部存在于能够经由通过拆卸壳体的开口面而出现的开口部而用手指直接触碰的位置。

公开(公告)号：CN118251757A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075827.1

申请日：2022-12-02

申请人： 日本发条株式会社

发明人： 大塚祐辅 ,  木田直哉 ,  二口谷淳 ,  金田教良 ,  横山响 ,  曾根通介 ,  坂本浩基

IPC分类号： H01L21/683 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  C23C14/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

摘要： 本发明的层叠结构体是适用于半导体制造装置的层叠结构体，其包括含有铝并具有第一面的基体、配置于基体的第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在中间层上的含有金属原子的覆盖层。中间层具有在与第一面平行的截面形状中形成多个空隙的分隔壁。中间层具有覆盖基体的第一面的边界层。覆盖层配置在中间层中的多个空隙的一部分。多个空隙包含与边界层相邻并与覆盖层分离的空隙。

公开(公告)号：CN110998806B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201880048953.1

申请日：2018-03-23

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 平松宏朗 ,  西堂周平 ,  牛田卓朗

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

摘要： 使形成于基板上的膜的基板面内及面间均匀性提升。第一及第三气体供给部分别具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸且形成有多个气体供给孔，多个气体供给孔中的形成于所述喷嘴的最上方的气体供给孔的上端与在上方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最上方的虚拟晶圆对应地配置，并且形成于所述喷嘴的最下方的气体供给孔的下端与在下方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最下方的虚拟晶圆对应地配置，第二气体供给部具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸，且形成有由多个气体供给孔或缝隙状的开口部构成的气体供给口，气体供给口至少朝向所述产品晶圆支撑区域开口。