公开(公告)号：CN108074820A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201610990039.1

申请日：2016-11-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 李勇

IPC: H01L21/339 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76858 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823835 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构以及位于所述栅极结构侧壁上的侧墙，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区；在所述源漏掺杂区上形成氧化层；在所述氧化层上形成金属层；对所述金属层进行反应退火处理，使得所述金属层与所述源漏掺杂区的材料相互扩散且发生化学反应，在所述源漏掺杂区上形成金属接触层，所述金属接触层包括第一金属接触层、位于所述第一金属接触层上的金属含氧接触层、以及位于所述金属含氧接触层上的第二金属接触层。本发明减小了金属接触层与源漏掺杂区之间的接触电阻，从而降低所述半导体器件的寄生外接电阻，改善形成的半导体器件的电学性能。

公开(公告)号：CN1224244C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410007477.9

申请日：2004-03-04

Applicant: 日本胜利株式会社

Inventor： 宮原弘之 ,  仁平文雄

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225 ,  H01L27/14 ,  H01L21/339

CPC classification number: H04N5/23245 ,  H04N5/2259 ,  H04N5/3454 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3728

Abstract: 一种成像设备，其包括一个光敏元件像素的矩阵阵列。在该成像设备的第一操作模式过程中把在该阵列中的有效区设置到第一区域，以及在该成像设备的第二操作模式过程中把该有效区设置到第二区域。该第一和第二区域在包含于其中的光敏元件像素的数目上互不相同。一个支架支承该阵列。该支架在与入射到该阵列的光线相关的光轴与该第一区域的中央相重合的第一位置和该光轴与第二区域的中央相重合的第二位置之间移动。在该成像设备的第一操作模式过程中把该支架固定在第一位置并且在该成像设备的第二操作模式过程中把该支架固定在第二位置。

公开(公告)号：CN1191386A

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：CN97121720.3

申请日：1997-12-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田边顕人

IPC: H01L21/339

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14843 ,  H04N5/3592

Abstract: 一个具有一个用于从携带图像的光产生电荷分组的光电二极管(36),形成在光电二极管之下的垂直溢流漏极(32/33),通过转移栅极晶体管(50)有选择地连接于光电二极管的电荷转移沟道区(37),分别电容耦合于所述电荷转移沟道区的阻性栅电极(49a),和一个连接于阻性栅电极远端和更靠近一个水平电荷转移单元(46)的阻性栅电极的近端的脉冲信号源(RG1/RG2)的固态图像拾取器件,在电荷分组转移到电荷转移沟道区之后脉冲信号源在电荷转移沟道区中产生电位梯度,以使电荷分组能够通过水平电荷转移单元输送而不用大的水平电荷转移信号。

公开(公告)号：CN106941081A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610118686.3

申请日：2016-03-02

Applicant: 中华映管股份有限公司

Inventor： 张锡明 ,  黄彦馀

IPC: H01L21/339

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明公开了一种制作薄膜晶体管的方法，其包含以下步骤：在基板上形成栅极；在栅极上形成绝缘层；在绝缘层上形成图案化主动层；在图案化主动层和绝缘层上形成具有厚度的导电层；减少导电层的第一部分的厚度，在图案化主动层上留下导电层的第一部分，第一部分上覆图案化主动层；以及蚀刻导电层以暴露出在导电层的第一部分下的图案化主动层。借此，本发明的制作薄膜晶体管的方法，借由多步骤蚀刻导电层，可避免图案化主动层在蚀刻过程中受到等离子的损伤，而能获得良好品质的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN103943646B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410165934.0

申请日：2014-04-23

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 陶春先 ,  崔潇 ,  何梁 ,  洪瑞金 ,  张大伟

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/339

Abstract: 本发明提供了一种能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜，包括：镀在电荷耦合元件的紫外接收面上的底部反射镜、镀在底部反射镜表面的荧光材料层、以及镀在荧光材料层表面的顶部反射镜，其中，顶部反射镜从荧光材料层向外依次由九层高折射率材料层和八层低折射率材料层交替重叠构成，底部反射镜依次由六层高折射率材料层和五层低折射率材料层交替重叠组成。本发明还提供了该光学薄膜的制备方法。本发明所提供的光学薄膜能够增强CCD的紫外响应能力，并且能够消弱荧光材料层的自吸收，增加荧光材料层的发光效率和CCD接收的有效发光能量，且该光学薄膜的制备方法较为简单，成本较低，易于实现批量生产，适合工业应用。

公开(公告)号：CN101151731A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010290.1

申请日：2006-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 塚本朗

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/339

CPC classification number: H01L29/66946 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14831

Abstract: 提供具有这种杂质浓度分布的CCD固态成象器件的制造方法，其中该分布使减少阴影和形成被赋予大的饱和信号电荷量的埋沟成为可能。该制造方法包括：在半导体衬底(11)上形成氧化物层(12)的氧化物层形成步骤；通过氧化物层(12)对半导体衬底(11)进行离子注入从而在对应于电荷转移部分的位置上形成阱的离子注入步骤；和对经过离子注入步骤的氧化物层(12)，至少在对应于阱的位置中进行绝缘层形成处理的绝缘层形成步骤。

公开(公告)号：CN100342546C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03107500.2

申请日：2003-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 笹田一弘 ,  沖川滿 ,  泉誠

IPC: H01L29/765 ,  H01L27/148 ,  H01L21/339

CPC classification number: H01L29/66954 ,  H01L27/14812 ,  H01L29/76816

Abstract: 本发明涉及电荷耦合器件及其制造方法。采用本发明能够得到具有单层的栅极构造，而且性能良好的电荷耦合器件。该电荷耦合器件是具有单层的栅极构造的电荷耦合器件，具备：形成于半导体基板的栅极绝缘膜、由形成于栅极绝缘膜上的绝缘物构成的多个隔片、以及配置于相邻的隔片间，具有沿隔片的侧部形成的侧面的凹状的栅极。这样，如果以光刻下限尺寸以下的宽度形成隔片，则相邻的栅极间的间隔小于光刻下限尺寸。

公开(公告)号：CN1764050A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510114040.X

申请日：2005-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小林拓 ,  藤井圭一 ,  角本靖伸 ,  长泽俊伸

IPC: H02M3/00 ,  H01L21/339 ,  H01L21/822

CPC classification number: H02M3/07 ,  H02M2003/072

Abstract: 一种防止在电源启动与电荷泵电路的完全启动之间的周期中负载电路中的闭锁现象；和当降压电压输出从ON转变到OFF时基底电位的迅速改变的降压电压输出电路。降压电压输出电路具有根据控制信号和定时器周期操作的定时器电路；源极连接到降压电压输出端，漏极接地，栅极通过电阻连接到电源电压输入端的第一N－沟道MOS晶体管；和源极连接到降压电压输出端，漏极连接到第一N－沟道MOS晶体管的栅极，和栅极连接到定时器电路的输出端的第二N－沟道MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1527395A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007477.9

申请日：2004-03-04

Applicant: 日本胜利株式会社

Inventor： 宮原弘之 ,  仁平文雄

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/339 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/23245 ,  H04N5/2259 ,  H04N5/3454 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3728

Abstract: 一种成像设备，其包括一个光敏元件像素的矩阵阵列。在该成像设备的第一操作模式过程中把在该阵列中的有效区设置到第一区域，以及在该成像设备的第二操作模式过程中把该有效区设置到第二区域。该第一和第二区域在包含于其中的光敏元件像素的数目上互不相同。一个支架支承该阵列。该支架在与入射到该阵列的光线相关的光轴与该第一区域的中央相重合的第一位置和该光轴与第二区域的中央相重合的第二位置之间移动。在该成像设备的第一操作模式过程中把该支架固定在第一位置并且在该成像设备的第二操作模式过程中把该支架固定在第二位置。

公开(公告)号：CN117080261A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311224198.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十四研究所

Inventor： 张洋 ,  刘丰豪 ,  杨巧 ,  王艺琪 ,  钟佩宏

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/339

Abstract: 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种CCD用片上低噪声放大器的制作工艺，包括：在CCD的P型衬底上完成常规复合栅介质和多晶硅前的功能层注入后，进行放大器耗尽型MOS管制备阶段；在已注入N型离子的区域表面，进行氮化硅刻蚀去除和湿法腐蚀漂蚀去除；进行热氧化工艺，生长纯氧化层MOS管用栅介质；进行放大器MOS管多晶硅电极和交流耦合电容下极板多晶硅电极制备；进行多晶硅氧化工艺，形成多晶硅层间介质层及电容绝缘介质层；制备交流耦合电容上极板多晶硅电极；进行高温退火工艺，并形成MOS管源漏区域，并完成常规后续工艺得到最终器件。本发明大幅抑制了放大器读出噪声；另外，器件大部分区域抗辐照能力也得以保障。