公开(公告)号：EP2006903A2

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：EP08158539.0

申请日：2008-06-19

申请人： Samsung SDI Co., Ltd.

发明人： Yang, Tae-Hoon c/o Samsung SDI Co., Ltd., ,  Lee, Ki-Yong Mobile Display R&D Center IP Group ,  Seo, Jin-Wook c/o Samsung SDI Co., Ltd., ,  Park, Byoung-Keon c/o Samsung SDI Co., Ltd., ,  Lee, Kil-Won Mobile Display R&D Center IP Group

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02694 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78654

摘要： A method of fabricating a polycrystalline silicon (poly-Si) layer includes providing a substrate, forming an amorphous silicon (a-Si) layer on the substrate, forming a thermal oxide layer to a thickness of about 10 to 50Å on the a-Si layer, forming a metal catalyst layer on the thermal oxide layer, and annealing the substrate to crystallize the a-Si layer into the poly-Si layer using a metal catalyst of the metal catalyst layer. Thus, the a-Si layer can be crystallized into a poly-Si layer by a super grain silicon (SGS) crystallization method. Also, the thermal oxide layer may be formed during the dehydrogenation of the a-Si layer so that an additional process of forming a capping layer required for the SGS crystallization method can be omitted, thereby simplifying the fabrication process.

摘要翻译： 一种制造多晶硅（poly-Si）的层包括：提供基板，无定形硅（a-Si）的形成层在基板上，对在a-Si的厚度为约10形成热氧化物层，以50埃的方法 层，在形成热氧化物层上形成金属催化剂层，和退火所述衬底以使a-Si层结晶成使用所述金属层的金属催化剂催化剂的多晶Si层。 因此，在a-Si层可以通过超晶粒硅（SGS）结晶化方法被结晶成多晶硅层。 因此，热氧化层可以在非晶硅层的脱氢期间形成，从而没有形成用于SGS结晶方法所需的盖层的附加工艺可以省略，从而简化了制造工艺。

公开(公告)号：EP1192646B1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：EP00943153.7

申请日：2000-06-23

申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

发明人： LUAN, Hsin-Chiao ,  KIMERLING, Lionel, C.

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/08 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/324

摘要： The invention provides processes for producing a very low dislocation density in heterogeneous epitaxial layers with a wide range of thicknesses, including a thickness compatible with conventional silicon SMOS processing. In a process for reducing dislocation density in a semiconductor material formed as an epitaxial layer upon a dissimilar substrate material, the epitaxial layer and the substrate are heated at a heating temperature that is closely below the melting temperature of the epitaxial layer but greater than about a temperature above which the epitaxial layer is characterized by plasticity, for a first time duration. Then the epitaxial layer and the substrate are cooled at a cooling temperature that is lower than the heating temperature, for a second time duration. These heating and cooling steps are carried out a selected number of cycles to reduce the dislocation density of the epitaxial layer. The method is particularly suited for Ge layers on Si substrates, where the heating temperature preferably exceeds 900°C.

公开(公告)号：EP1941538A1

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：EP06831014.3

申请日：2006-10-25

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

发明人： EYMERY, Joël ,  POCHET, Pascal

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02694 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26506

摘要： The invention concerns a method for making a thin-film structure comprising a thin film stabilized on a substrate (2). The structure of the thin film (1) is defined by a material which comprises at least one first chemical species. The method includes a step of inputting particles of the first chemical species into the thin film (1) so as to compensate for the flow of vacancies from the surface of said film.

公开(公告)号：EP1816672A1

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：EP07001508.6

申请日：2007-01-24

申请人： Siltronic AG

发明人： Murphy, Brian ,  Häberlen, Maik ,  Lindner, Jörg, Dr. ,  Stritzker, Bernd, Prof. Dr.

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/02694 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506

摘要： Halbleiterschichtstruktur, umfassend ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial, auf dem sich eine Schicht (2) aus einem zweiten Halbleitermaterial befindet, des Weiteren einen mit Fremdatomen angereicherten Bereich (3), der sich entweder in Schicht (2) oder in einer bestimmten Tiefe unterhalb der Grenzfläche zwischen Schicht (2) und Substrat (1) befindet, außerdem eine Schicht (4) innerhalb des mit Fremdatomen angereicherten Bereichs (3), die durch Ionenimplantation erzeugte Hohlräume beinhaltet, des Weiteren wenigstens eine epitaktische Schicht (6), die auf Schicht (2) aufgebracht ist, sowie einen Defektbereich (5) aus Versetzungen und Stapelfehlern innerhalb der Hohlräume beinhaltenden Schicht (4), wobei die wenigstens eine epitaktische Schicht (6) weitgehend rissfrei ist, und eine residuale Verspannung der wenigstens einen epitaktischen Schicht (6) kleiner oder gleich 1 GPa beträgt.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur, umfassend folgende Schritte: a) Bereitstellen eines Substrats (1) aus Halbleitermaterial; b) Aufbringen einer Schicht (2) aus einem zweiten Halbleitermaterial auf dieses Substrat (1) zur Erzeugung einer Halbleiterschichtstruktur; c) Implantation von leichten Gasionen in die Halbleiterschichtstruktur zur Erzeugung einer Hohlräume beinhaltenden Schicht (4) in der Halbleiterschichtstruktur; d) Stabilisierung dieser Hohlräume durch Fremdatome einer bestimmten Spezies; e) Aufbringen von wenigstens einer epitaktischen Schicht (6) auf die Halbleiterschichtstruktur.

摘要翻译： 半导体层结构制造包括提供由第一半导体材料制成的衬底（1） 在衬底上施加第一层（由第二半导体材料制成），其中衬底和层限定半导体层结构; 将光气体离子注入到半导体层结构中以在半导体层结构中产生空腔层（包括空腔（4））; 使用杂质原子来稳定空腔; 将外延层施加到半导体层结构。 半导体层结构包括独立权利要求。 基板是由单晶硅制成的晶片; 绝缘体上硅晶片; 通过接合方法制造的半导体晶片。 由多晶半导体材料制成; 或者是硅层，硅锗层或锗层。 轻气体离子是氢离子，和/或惰性气体离子组成氦，氖或氩。 杂质原子是氧，氮或碳。 使用杂质原子包括在> = 600℃的半导体层结构的热处理。

公开(公告)号：EP1120818A4

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：EP99944821

申请日：1999-09-24

申请人： ASAHI CHEMICAL IND

发明人： MORISHITA TAKASHI ,  MATSUI MASAHIRO

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76262 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76278 ,  H01L21/76281

摘要： A method for producing an SOI substrate having a monocrystalline oxide substrate or silicon substrate, an insulating underlying layer of an oxide deposited on the substrate, and a silicon layer epitaxially grown on the underlying layer comprises implanting ions into a first silicon layer epitaxially grown on an insulating underlying layer to turn the interface deep portion of the silicon layer amorphous, recrystalizing the amorphous interface deep portion by annealing, oxidizing part of the surface portion by heating, removing the silicon oxide layer by etching, growing a second silicon layer epitaxially on the remaining first silicon layer, implanting ions again into the silicon layer to turn the interface deep portion amorphous, and recrystalize the amorphous deep portion by annealing. Thus, an SOI substrate having a silicon layer of an extremely small crystal defect density and having a good surface planarity is produced. Therefore, a novel electronic or optical device having a high device performance and a high reliability is built on such a semiconductor substrate.

摘要翻译： 当SOI衬底中产生其中硅层外延在绝缘性的衬底上生长：如单晶氧化物衬底或堆叠在硅衬底氧化层上，外延生长在所述绝缘性衬底的第一硅层离子注入使 硅层的界面深部进行非晶，然后退火以再结晶。 接着，将硅层进行热处理，以氧化表面侧的一部分热量，和氧化硅，通过蚀刻去除后，硅层外延生长在残留的第一硅层上，形成第二硅层。 随后，将第二硅层再次离子注入，将界面无定形的深部，然后进行退火的再结晶。 用这种方法，一个SOI衬底，所有这一切是在硅层中的晶体缺陷密度非常小，并且在表面平坦性良好，可以制造。 因此，在半导体衬底gemäß到本发明中，给电子设备或具有高器件性能和可靠性，并不能与现有技术的装置来获得，可以实现光学装置。

公开(公告)号：EP1263030A3

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：EP02012019.2

申请日：2002-05-31

申请人： Forschungszentrum Rossendorf e.V.

发明人： Gebel, Thoralf ,  Panknin, Dieter, Dr. ,  Voelskow, Matthias, Dr. ,  Heera, Viton, Dr. ,  Skorupa, Wolfgang, Dr. ,  Eickhoff, Martin, Dr.

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B33/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/0445

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf Siliziumsubstraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden. Die Erfindung beinhaltet, dass die Oberfläche der Epitaxieschicht ganzflächig mit einem Lichtimpuls zwischen 2 und 500 ms der Energiedichte von 100 bis 200 Joule/cm 2 und einem Intensitätsmaximum der Wellenlänge zwischen 400 und 600 nm bestrahlt wird. Dabei kann als heteroepitaktische Halbleiterschicht 3C-SiC eingesetzt werden. Es können auch eine Vorheizung des Siliziumsubstrates und mehrere aufeinanderfolgende Lichtblitze verwendet werden.

公开(公告)号：EP1263030A2

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：EP02012019.2

申请日：2002-05-31

申请人： Forschungszentrum Rossendorf e.V. ,  EADS Deutschland GmbH

发明人： Gebel, Thoralf ,  Panknin, Dieter, Dr. ,  Voelskow, Matthias, Dr. ,  Heera, Viton, Dr. ,  Skorupa, Wolfgang, Dr. ,  Eickhoff, Martin, Dr.

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/268 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/0445

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf Siliziumsubstraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
Die Erfindung beinhaltet, dass die Oberfläche der Epitaxieschicht ganzflächig mit einem Lichtimpuls zwischen 2 und 500 ms der Energiedichte von 100 bis 200 Joule/cm 2 und einem Intensitätsmaximum der Wellenlänge zwischen 400 und 600 nm bestrahlt wird.
Dabei kann als heteroepitaktische Halbleiterschicht 3C-SiC eingesetzt werden.
Es können auch eine Vorheizung des Siliziumsubstrates und mehrere aufeinanderfolgende Lichtblitze verwendet werden.

摘要翻译： 使用光辐射处理硅衬底上的异质外延半导体层的方法。 因此，外延层的整个表面以持续时间2至500ms的光脉冲作用，能量密度为100至200Jmm -2，辐射强度在400至600nm之间的波长处最大。 该方法特别涉及沉积在硅衬底上的3C-SiC（碳化硅）层的处理。 将涂覆的硅衬底预热到低于其熔点1412℃的温度。 可以使用多个光脉冲与允许冷却硅衬底的脉冲之间的时间。 因此，脉冲之间的时间可以在1秒到10分钟之间。

公开(公告)号：EP1192647A1

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：EP00944878.8

申请日：2000-06-23

申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

发明人： LUAN, Hsin-Chiao ,  KIMERLING, Lionel, C.

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/08 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/324

摘要： The invention provides processes for producing a high-quality silicon dioxide layer on a germanium layer. In one example process, a layer of silicon is deposited on the germanium layer, and the silicon layer is exposed to dry oxygen gas at a temperature that is sufficient to induce oxidation of the silicon layer substantially only by thermal energy. In a further example process, the silicon layer is exposed to water vapor at a temperature that is sufficient to induce oxidation of the silicon layer substantially only by thermal energy. It can be preferred that the exposure to dry oxygen gas or to water vapor be carried out in an oxidation chamber at a chamber pressure that is no less than ambient pressure. In one example, the chamber pressure is above about 2 atm. The temperature at which the silicon layer is exposed to the dry oxygen gas is preferably above about 500 °C, more preferably above about 600 °C, even more preferably above about 700 °C, and most preferably above about 800 °C.

公开(公告)号：EP0201585B1

公开(公告)日：1990-01-10

申请号：EP85905978.4

申请日：1985-11-08

申请人： Hughes Aircraft Company

发明人： VASUDEV, Prahalad, K.

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  Y10S148/024 ,  Y10S148/061

摘要： A method for producing hyperabrupt P 9E or N 9E regions (12) in a near-surface layer of a substantially defect free crystal (10), using solid phase epitaxy and transient annealing. The process for producing a hyperabrupt retrograde distribution of the dopant species begins with amorphizing the near-surface layer of a base crystal, and then implanting a steep retrograde distribution of the desired species into the amorphized layer, so that the retrograde distribution lies entirely within the amorphized layer, thereby avoiding channeling effects during implantation. The substantially defectfree structure of the base crystal is restored by annealing the implanted base crystal at a temperature sufficiently high to induce solid phase epitaxial regrowth on the underlying nonamorphized crystal, but at a temperature sufficiently low to avoid significant diffusion of the implanted species. The implanted species is subsequently activated by a rapid thermal annealing process, at a temperature sufficiently high to activate the implanted species, but for a very short time so that long-range diffusion does not occur. In a preferred embodiment, the implanted species is boron, BF2+, phosphorus, or arsenic in the top 0.20 micrometers of a substantially defect-free silicon base crystal, which may be in a bulk form or epitaxially deposited on an insulator substrate such as sapphire.

公开(公告)号：EP0201585A1

公开(公告)日：1986-11-20

申请号：EP85905978.0

申请日：1985-11-08

申请人： Hughes Aircraft Company

发明人： VASUDEV, Prahalad, K.

IPC分类号： H01L21

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  Y10S148/024 ,  Y10S148/061

摘要： Un procédé permet de produire des régions P 9E ou N 9E hyperabruptes (12) dans la couche proche de la surface d'un cristal (10) sensiblement dépourvu d'impuretés en utilisant l'épitaxie de la phase solide et le recuit transitoire. On commence le processus de production d'une distribution rétrograde hyperabrupte de la substance dopante en rendant amorphe la couche proche de la surface d'un cristal de base, puis en implantant une distribution rétrograde abrupte de la substance voulue dans la couche amorphe, de sorte que la distribution rétrograde se limite à la couche amorphe, en évitant ainsi des effets de canalisation pendant l'implantation. On rétablit la structure sensiblement dépourvue de défauts du cristal de base implanté à une température suffisamment élevée pour induire la croissance épitaxiale de la phase solide sur le cristal sous-jacent n'ayant pas été rendu amorphe, mais à une température suffisamment basse pour éviter une diffusion significative de la substance implantée. La substance implantée est activée par la suite par un processus rapide de recuit thermique, à une température suffisamment élevée pour activer la substance implantée, mais pendant une durée très courte pour qu'il n'y ait pas de diffusion de longue portée. Dans un mode préféré de réalisation, la substance implantée est le bore, BF2+, phosphore ou arsénique dans les 0,20 micromètres supérieurs d'un cristal de base de silicium sensiblement dépourvu de défaut, en masse ou déposé épitaxialement sur un substrat isolant tel que le saphir.