公开(公告)号：EP0280535A2

公开(公告)日：1988-08-31

申请号：EP88301592.7

申请日：1988-02-24

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： Nakagawa, Akio c/o Patent Division ,  Yamaguchi, Yoshihiro c/o Patent Office ,  Watanabe, Kiminori c/o Patent Office

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/405 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7455

摘要： A conductivity-modulation MOSFET employs a substrate (30) of an N type conductivity as its N base. A first source layer (34) of a heavily-doped N type conductivity is formed in a P base layer (32) formed in the N base (30). A source electrode (38) electrically conducts the P base (32) and the source (34). A first gate electrode (36) insulatively covers a channel region (CH1) defined by the N⁺ source layer (34) in the P base (32). A P drain layer (44) is formed on an opposite substrate surface. An N⁺ second source layer (46) is formed in a P type drain layer (44) by diffusion to define a second channel region (CH2). A second gate electrode (40) insulatively covers the second channel region (CH2), thus providing a voltage-controlled turn-off controlling transistor. A drain electrode (48) of the MOSFET conducts the P type drain (44) and second source (46). When the turn-off controlling transistor is rendered conductive to turn off the MOSFET a "shorted anode structure" is temporarily formed wherein the N type base (30) is short-circuited to the drain electrode (48), whereby case, the flow of carriers accumulated in the N type base (30) into the drain electrode is facilitated to accelerate dispersion of carriers upon turn-off of the transistor.

摘要翻译： 导电调制型MOSFET采用N型导电性的基板（30）作为其N基极。 在形成在N基极（30）中的P基底层（32）中形成重掺杂N型导电体的第一源极（34）。 源电极（38）导电P基极（32）和源极（34）。 第一栅电极（36）绝对地覆盖由P基（32）中的N +源极层（34）限定的沟道区（CH1）。 在相对的衬底表面上形成P漏极层（44）。 在P型漏极层（44）中通过扩散形成N + 2个第二源极层（46），以限定第二沟道区域（CH2）。 第二栅电极（40）绝缘地覆盖第二沟道区（CH2），从而提供电压控制关断控制晶体管。 MOSFET的漏电极（48）导通P型漏极（44）和第二源极（46）。 当关断控制晶体管导通以关断MOSFET时，暂时形成“N型基极”（30）与漏电极（48）短路的“短路阳极结构”，由此， 在N型基极（30）中累积在漏电极中的载流子有助于在晶体管截止时加速载流子的分散。

公开(公告)号：EP0228107A3

公开(公告)日：1988-08-31

申请号：EP86202083

申请日：1986-11-24

申请人： N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN

发明人： COLAK, SEL ,  RUMENNIK, VLADIMIR

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/52

CPC分类号： H01L29/0834 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/7393

公开(公告)号：EP0278386A2

公开(公告)日：1988-08-17

申请号：EP88101567.1

申请日：1988-02-04

申请人： NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

发明人： Ishibashi, Tadao Nippon Telegr. and Teleph. Corp. ,  Yamauchi, Yoshiki Nippon Telegr. and Teleph. Corp.

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7371

摘要： A heterojunction bipolar transistor includes an emitter layer (11) of a first conductivity type, a base layer (12) of a second conductivity type adjacent to the emitter layer, a collector buffer layer (13) of the first conductivity type, and a collector layer (14, 15) arranged between the collector buffer layer and the base layer. The collector layer includes a first collector layer (14) formed at the side of the base layer and a second collector layer (15) arranged at the side of the collector buffer layer. The first collector layer is a semiconductor layer having an impurity concentration lower than that of the base layer. The second collector layer is a semiconductor layer of the second conductivity type having an impurity concentration higher than that of the first collector layer.

摘要翻译： 异质结双极晶体管包括第一导电类型的发射极层（11），与发射极层相邻的第二导电类型的基极层（12），第一导电类型的集电极缓冲层（13）和集电极 布置在集电体缓冲层和基底层之间的层（14,15）。 集电体层包括形成在基底层一侧的第一集电体层（14）和布置在集电缓冲层一侧的第二集电极层（15）。 第一集电极层是杂质浓度低于基底层的半导体层。 第二集电极层是具有比第一集电体层的杂质浓度高的第二导电类型的半导体层。

公开(公告)号：EP0255782A3

公开(公告)日：1988-07-13

申请号：EP87306786

申请日：1987-07-30

申请人： SILICONIX incorporated

发明人： Cogan, Adrian I. ,  Severns, Rudolf P.

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7395

摘要： An insulated gate bipolar transistor (IGBT) device incorporates a base contact (40a,40b) usable with an external circuit for depleting charge from the base (18) when stopping bipolar conduction, thereby increasing turn-off speed. Fabrication of the IGBT is described.

摘要翻译： 绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件包含可用于外部电路的基极触点（40a，40b），用于在停止双极导通时从基极（18）中消耗电荷，从而提高关断速度。 描述IGBT的制造。

公开(公告)号：EP0261631A3

公开(公告)日：1988-06-29

申请号：EP87113798

申请日：1987-09-22

申请人： ZAIDAN HOJIN HANDOTAI KENKYU SHINKOKAI

发明人： Nishizawa, Jun-ichi ,  Tamamushi, Takashige ,  Nonaka, Ken-ichi

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L31/1116 ,  H01L27/1443 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7392

摘要： An integrated light-triggered and light-quenched static induction thyristor and fabrication process thereof adapted in such a manner that an integrated SIPT operates in the normal mode in order to enhance current gain, tail current generated at the light-quenching time is reduced in order to enhance turn-off gain, and an buried-gate type of light-triggered static induction thyristor and a photo­darlington circuit composed of a first and second static induction phototransistors are integrated on a high-­resistivity substrate in order to permit manufacturing said thyristor compact as a whole in facilitated processes.

公开(公告)号：EP0136108B1

公开(公告)日：1988-06-08

申请号：EP84305925.4

申请日：1984-08-30

申请人： Inoue, Masataka

发明人： Inoue, Masataka

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/72 ,  H01L29/80 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80 ,  H01L29/86

公开(公告)号：EP0260058A1

公开(公告)日：1988-03-16

申请号：EP87307754.9

申请日：1987-09-02

申请人： BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company

发明人： Welbourn, Anthony David ,  Heslop, Christopher John Hedley

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/00 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/2257 ,  H01L29/7322

摘要： Bipolar transistors are made by forming a base window through a dielectric layer overlying a substrate. In the wall of the base window a polysilicon layer is exposed. Subsequent processing involves the forming of various sidewall spacers within the base window to define the base and emitter regions. Since spacer formation requires no lithographic processing, there is no need to define very small features, such as the emitter, lithographically. The smallest feature which needs to be defined lithographically is the original base window which may be between 1 and 2 microns for emitter widths of 0.5 um or less.

摘要翻译： 双极晶体管通过形成穿过覆盖衬底的介电层的基窗而制成。 在基窗的壁上暴露多晶硅层。 随后的处理涉及在基窗内形成各种侧壁间隔物以限定基极区和发射极区。 由于间隔物形成不需要光刻处理，所以不需要定义非常小的特征，例如发光体，光刻。 需要光刻定义的最小特征是对于0.5μm或更小的发射器宽度可以在1和2微米之间的原始基本窗口。

公开(公告)号：EP0256360A2

公开(公告)日：1988-02-24

申请号：EP87110764.5

申请日：1987-07-24

申请人： HITACHI, LTD.

发明人： Kuroda, Takao Hitachi Koganei-ryo ,  Watanabe, Akiyoshi Hitachi Shobu-ryo ,  Miyazaki, Takao ,  Matsumura, Hiroyoshi

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/7391

摘要： A semiconductor device comprising a p⁺ region (2) and an n⁺ region (3) forming a p⁺/n⁺ homojunction in a semiconductor layer (2, 3) formed between a semiconductor substrate (1) and a cap semiconductor layer (4) both of a wider band gap material than that of the semiconductor layer (2, 3). The p⁺ region (2) and the n⁺ region (3) are respectively provided with contact regions (6, 5), and a gate electrode (7) is formed on the cap layer (4). A tunneling current can flow between a two-dimensional electron gas (10) and a two-dimensional hole gas (11) induced at the heterojunction boundaries of the double heterojunction structure owing to an electric field applied to the semiconductor layer (2, 3). A buffer layer (71) of wide band gap semiconductor material can be further provided between the semiconductor substrate (1) and the semiconductor layer (2, 3) for reducing the leakage currents.

摘要翻译： 在半导体衬底（1）和半导体衬底（1）之间形成的半导体层（2,3）中，包括形成ap +区域（2）和形成p + + / n +同结的n +区域（3） 以及比半导体层（2,3）更宽的带隙材料的帽半导体层（4）。 p +区域（2）和n +区域（3）分别设置有接触区域（6,5），并且在盖层（4）上形成栅电极（7）。 由于施加到半导体层（2,3）的电场，隧穿电流可以在双异质结结构的异质结边界处诱导的二维电子气（10）和二维空穴气体（11）之间流动， 。 可以在半导体衬底（1）和半导体层（2,3）之间进一步设置宽带隙半导体材料的缓冲层（71），以减少漏电流。

公开(公告)号：EP0255882A2

公开(公告)日：1988-02-17

申请号：EP87110233.1

申请日：1987-07-15

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Wieder, Armin, Dr. ,  Böhm, Hans-Joachim, Dr.

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/10 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L29/1004 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732

摘要： Bipolartransistorstrukturen vom Typ npn mit extrem fla­chen Emitter/Basis-Zonen (2, 4) werden erhalten, wenn die Bildung der aktiven Basiszone (2) unter der Emitter­zone (4) neben der Bor-Ionenimplantation mit einer Phos­phor-Ionenimplantation mit etwas größerer Eindringtiefe erfolgt (Figur 1). Hierdurch wird der "Channeling"-­Schwanz des Bordotierungsprofils umdotiert und die Basis­weite W B drastisch reduziert. Die Erfindung wird bei der Herstellung hochintegrierter CMOS-Schaltungen verwendet.

摘要翻译： 如果发射极区域（4）下方的有源基极区域（2）不仅形成硼离子注入，而且通过磷离子注入形成，则得到具有极薄发射极/基极区域（2,4）的npn型的双极晶体管结构 具有更高的穿透深度（图1）。 这反过来使硼掺杂分布的“沟道”尾部大大降低了基极宽度WB。 本发明用于生产高度集成的CMOS电路。

公开(公告)号：EP0255782A2

公开(公告)日：1988-02-10

申请号：EP87306786.2

申请日：1987-07-30

申请人： SILICONIX Incorporated

发明人： Cogan, Adrian I. ,  Severns, Rudolf P.

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7395

摘要： An insulated gate bipolar transistor (IGBT) device incorporates a base contact (40a,40b) usable with an external circuit for depleting charge from the base (18) when stopping bipolar conduction, thereby increasing turn-off speed. Fabrication of the IGBT is described.

摘要翻译： 绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件包含可用于外部电路的基极触点（40a，40b），用于在停止双极导通时从基极（18）中消耗电荷，从而提高关断速度。 描述IGBT的制造。