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1.发明授权Haltevorrichtung zur Afnahme von scheibenförmigen Gegenständen, insbesondere Halbleiterscheiben, und Verwendung der Haltevorrichtung. 失效对于Afnahme盘形物体的夹持装置，特别是半导体晶片，并利用保持器的。
公开(公告)号：EP0402900B1
公开(公告)日：1994-12-14
申请号：EP90111203.7
申请日：1990-06-13
发明人： Gerber, Hans Adolf, Dipl.-Ing. (FH) , Hochgesang, Georg, Dipl.-Ing. (FH) , Pardubitzki, Alfred, Dipl.-Ing. (FH) , Schmiedlindl, Manfred , Zipf, Werner, Dipl.-Ing.(FH) , Schweighofer, Arthur, Dipl.-Ing. (FH)
CPC分类号： H01L21/68721 , H01L21/68728 , Y10S134/902
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公开(公告)号：EP0353518B1
公开(公告)日：1994-05-25
申请号：EP89112833.2
申请日：1989-07-13
发明人： Prigge, Helene, Dr., Dipl.-Chem. , Schnegg, Anton, Dr., Dipl.-Chem. , Brehm, Gerhard, Dr., Dipl.-Ing.
IPC分类号： H01L21/306 , C30B33/00 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：EP0304857B1
公开(公告)日：1993-03-10
申请号：EP88113678.2
申请日：1988-08-23
发明人： Schnegg, Anton, Dr. Dipl.-Chem. , Prigge, Helene, Dr. Dipl.-Chem. , Brehm, Gerhard, Dr. Dipl.-Ing. , Rurländer, Robert , Ketterl, Fritz, Dr. Dipl.-Che.
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/46 , C23F1/24
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/30604
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4.发明授权Vorrichtung zum Justieren des Rundlaufes der Schneidkante von Innenlochsägeblättern 失效调整环形内窥镜刀片切割边缘浓度的装置
公开(公告)号：EP0299451B1
公开(公告)日：1992-09-16
申请号：EP88111208.0
申请日：1988-07-13
IPC分类号： B28D5/02
CPC分类号： B27B5/30 , B23D59/002 , B23D61/10 , B24B47/22
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5.发明公开Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben 失效用于处理化学机械发布织物的方法和装置，特别是半导体器件
公开(公告)号：EP0412537A3
公开(公告)日：1991-04-24
申请号：EP90115269.4
申请日：1990-08-09
IPC分类号： B24B53/00
CPC分类号： B24B53/017
摘要： Beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben, sinkt mit steigender Standzeit des Poliertuches der Abtrag und die geometrische Qualität der Scheiben. Dies kann dadurch verhindert werden, daß jeweils nach dem Poliervorgang eine Aufbereitung des Poliertuches in der Weise erfolgt, daß dem Poliertuch, im wesentlichen ohne mechanische Beanspruchung, ein Druckfeld aufgeprägt wird, durch welches eine Aufbereitungsflüssigkeit zum Durchströmen des Inneren des Poliertuches gebracht wird und dabei die beim Polieren entstandenen Rückstände mobilisiert und austrägt. Zur Durchführung des Verfahrens eignet sich eine quer über das Poliertuch (2) gelegte Grundplatte (4) mit einer mit Austrittsöffnungen (7) für die Aufbereitungsflüssigkeit versehenen ebenen Arbeitsfläche. Bei der Aufbereitung wird die Aufbereitungsflüssigkeit unter der Grundplatte (4) in das bewegte Poliertuch (2) gedrückt, so daß dieses nach und nach von der durchströmten Zone durchwandert wird.
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6.发明授权
公开(公告)号：EP0208315B1
公开(公告)日：1990-09-26
申请号：EP86109420.9
申请日：1986-07-10
发明人： Brehm, Gerhard, Dr. Dipl.-Ing. (TU) , Haller, Ingo , Rothenaicher, Otto, Dipl.-Ing. (FH) , Langsdorf, Karl-Heinz, Ing. grad.
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/08
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公开(公告)号：EP0285090A3
公开(公告)日：1990-05-09
申请号：EP88105067.8
申请日：1988-03-29
发明人： Brehm, Gerhard, Dr. Dipl.-Ing. , Knipf, Manuela , Mayrhuber, Rudolf Dipl.-Chem. , Schuhmacher, Jürgen , Stadler, Max, Dr. Dipl.-Chem.
CPC分类号： C11D7/265
摘要： Beim Zersägen von stabförmigen Werkstücken wie z.B. Halbleiterstäben in dünne Scheiben insbesondere mittels Innenlochsäge werden häufig Sägehilfsmittel wie z.B. Schneidleisten an den Stäben fixiert. Erfindungsgemäß lassen sich die nach dem Sägevorgang an den erhaltenen Scheiben verbleibenden Reste solcher Sägehilfsmittel besonders günstig mit Hilfe von wäßrigen Carbonsäurelösungen, insbesondere wäßriger Ameisensäure entfernen.
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8.发明公开
公开(公告)号：EP0269997A3
公开(公告)日：1990-01-31
申请号：EP87117434.8
申请日：1987-11-26
发明人： Brehm, Gerhard, Dr. Dipl.-Ing. , Langsdorf, Karlheinz, Dipl.-Ing. , Niedermeier, Johann , Glas, Johann
CPC分类号： C30B33/00 , B23D59/002 , B23D59/02
摘要： Es wird ein Verfahren zum Zersägen von Kristallstäben (4) oder -blöcken in dünne Scheiben durch Innenlochsägen angegeben. Dabei wird der bei nahezu jedem Sägevorgang auftretenden Abweichung des Sägeblattes (1) von der angestrebten Schnittlinie dadurch entgegengewirkt, daß auf seine Seitenflächen zumindest zeitweise zusätzlich ein Fluid aufgebracht wird. Dadurch lassen sich die Kräfteverhältnisse im Sägespalt und somit die Auslenkung des Sägeblattes (1) beeinflussen. Neben verbesserter geometrischer Qualität der erhaltenen Scheiben wird eine verlängerte Standzeit der Sägeblätter erzielt, da diese weniger oft nachgeschärft werden müssen.
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9.发明公开Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung von Halbleiterscheiben 失效Verfahren zur nasschemischenOberflächenbehandlungvon Halbleiterscheiben。
公开(公告)号：EP0344764A2
公开(公告)日：1989-12-06
申请号：EP89109886.5
申请日：1989-06-01
发明人： Lampert, Ingolf , Gratzl, Christa
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02049 , H01L21/02052
摘要： Erfindungsgemäß werden die zu behandelnden Halbleiterscheiben in einem System vorgelegt, in welches das Wasser in feinverteiltem flüssigem Zustand und die auf der Scheibenoberfläche chemisch wirksamen Substanzen in gasförmigem Zustand eingespeist werden, so daß die eigentlich chemisch wirksamen Agentien erst unmittelbar im System gebildet werden. Dieses Verfahren ermöglicht besonders partikelarme Reinigungsprozesse und eignet sich insbesondere für aus mehreren Teilschritten zusammengesetzte Prozeßabfolgen.
摘要翻译： 根据本发明，要处理的半导体晶片被放置在可以以细分散的液体状态供给水的系统中，并且在气态下在晶片表面上化学活性的物质使得实际上化学 活动首先在系统本身中形成。 该方法使得具有特别低的颗粒水平的清洁过程成为可能，特别适用于由多个子步骤组成的工艺序列。
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公开(公告)号：EP0222400A3
公开(公告)日：1989-11-08
申请号：EP86115750.1
申请日：1986-11-13
发明人： Lampert, Ingolf
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02046 , C23C16/0227 , C23C16/22 , C23C16/402
摘要： Es wird ein Verfahren zum Schutz von polierten Siliciumoberflächen angegeben. Nach einer in bekannter Weise durchgeführten oxidierenden Reinigung wird durch die Einwirkung von eine Trialkylsilylierung ermöglichenden Reagentien, insbesondere Hexamethyldisilazan, die Oberfläche mit einer Schutzschicht überzogen. Diese verhindert selbst während mehrmonatiger Lagerung eine Alterung der Oxidschicht. Vor nachfolgenden Bearbeitungsschritten kann die Schutzschicht durch thermische Oxidation ohne störende Nebenprodukte leicht wieder entfernt werden.
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