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    A bipolar hetero-junction transistor and method of producing the same
    2.
    发明公开
    A bipolar hetero-junction transistor and method of producing the same 失效
    Bipolartransistor mitHeteroübergangund Verfahren zu seiner Herstellung。

    公开(公告)号：EP0178004A1

    公开(公告)日：1986-04-16

    申请号：EP85201504.9

    申请日：1985-09-19

    申请人： IMEC Inter Universitair Micro-Electronica Centrum

    发明人： Ghannam, Moustafa Yehia ,  Mertens, Robert ,  Nijs, Johan

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/08

    CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7375 ,  Y10S148/011

    摘要： The bipolar hetero-junction transistor according to the present invention has a layer forming the emitter substantially consisting of doped and hydrogenated semiconductor material at least partly in amorphous form. A high current gain (β) is obtained because a wide bandgap in the emitter material. Preferably the layer forming the emitter consists of microcrystalline silicon doped and hydrogenated, which renders a small base resistance being preferable for high frequency purposes. The amorphous bipolar hetero-junction transistor can be produced by CVD- technique, by using a plasma or by photodissociation. The transistor having a microcrystalline emitter layer can be produced by one of said methods by heating an amorphous emitter layer.

    摘要翻译： 根据本发明的双极异质结晶体管具有形成发射极的层，其基本上由至少部分为无定形形式的掺杂和氢化半导体材料组成。 获得高电流增益（β），因为发射极材料中的宽带隙。 优选地，形成发射极的层由掺杂和氢化的微晶硅组成，这使得对于高频目的而言，较小的耐碱性是优选的。 非晶双极性异质结晶体管可以通过CVD技术，通过使用等离子体或通过光解作用来制造。 具有微晶发射极层的晶体管可以通过加热非晶体发射极层，通过所述方法之一制造。

    Device for electrostatic discharge protection
    3.
    发明公开
    Device for electrostatic discharge protection 有权
    Schutzbauelement gegen elektrostatische Entladung

    公开(公告)号：EP1432035A1

    公开(公告)日：2004-06-23

    申请号：EP02447263.1

    申请日：2002-12-20

    申请人： IMEC Inter Universitair Micro-Electronica Centrum

    发明人： Vassilev, Vesselin K. ,  Groeseneken, Guido

    IPC分类号： H01L27/02

    CPC分类号： H01L27/0277 ,  H01L27/0259

    摘要： The present invention is related to an Electrostatic Discharge protection device. This may be a semiconductor device such as a CMOS transistor, having a snap-back IV characteristic, in order to withstand ESD pulses. The device of the invention comprises an additional doped region (30), which influences the internal resistance of the substrate whereupon the device is built. This has a positive effect on the snap-back characteristic, putting the snap back trigger voltage and current at a lower value, compared to prior art devices.

    摘要翻译： 本发明涉及静电放电保护装置。 这可以是诸如CMOS晶体管的半导体器件，具有快速恢复IV特性，以便承受ESD脉冲。 本发明的器件包括附加的掺杂区域（30），其影响衬底的内部电阻，由此构建器件。 与现有技术的器件相比，这对快速恢复特性有积极的影响，使快速回击触发电压和电流处于较低的值。

    Procédé d'analyse d'un échantillon par érosion au moyen d'un faisceau de particules, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé
    6.
    发明公开
    Procédé d'analyse d'un échantillon par érosion au moyen d'un faisceau de particules, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé 失效
    一种用于通过由颗粒的用于执行该方法的光束，和装置蚀刻分析的样品的方法。

    公开(公告)号：EP0308304A1

    公开(公告)日：1989-03-22

    申请号：EP88402279.9

    申请日：1988-09-09

    申请人： CAMECA ,  IMEC Inter Universitair Micro-Electronica Centrum

    发明人： Vandervorst, Wielfried ,  Rasser, Bernard ,  de Bisschop, Peter

    IPC分类号： H01J49/16 ,  H01J37/256 ,  G01N23/225

    CPC分类号： H01J49/164 ,  G01N23/2258 ,  H01J37/256 ,  H01J49/0004 ,  H01J49/061

    摘要： L'invention concerne un procédé d'analyse d'un échantil­lon solide par érosion au moyen d'un faisceau de particules, pulsé, consistant à :
    - balayer l'échantillon sur une surface dite surface de balayage (6), pour creuser un cratère à fond plat, ce fond plat (2) constituant une surface dite d'analyse (5) ;
    - ioniser les particules arrachées à la surface d'analyse (5), au moyen d'un faisceau laser pulsé ;
    - identifier les particules arrachées et ionisées, au moyen d'un spectromètre de masse.
    Le temps mort disponible entre deux impulsions du fais­ceau laser est utilisé pour éroder les flancs (3) du cratère, car ils doivent être érodés aussi, bien qu'ils ne fassent pas partie de la surface d'analyse proprement dite (5). Ainsi le temps nécessaire pour éroder l'échantillon jusqu'à une certaine profondeur est minimisée sans perdre d'informations.
    Application à la mesure du profil en profondeur de la concentration des impuretés dans un échantillon solide.

    摘要翻译： 通过脉冲粒子束的方式分析由侵蚀的固体样品，由In成就的方法：... - 扫过一个表面上的样品称为扫表面（6），以挖空平底的火山口，该平坦底部（ 2）构成一个所谓的分析表面（5）; ... - 通过脉冲激光束的指电离从分析表面（5）剥离的颗粒; ... - 识别剥离和电离的颗粒，通过质谱仪的手段 ， ... 的激光束的两个脉冲之间的可用空闲时间被用来侵蚀侧（3）火山口的，因为它们必须也被侵蚀，尽管它们不形成分析表面的一部分适当（5） ， 因此，侵蚀样品下降到一定深度所需的时间最少，而不会丢失信息。 ... 测量固体样品中的杂质的浓度的深度分布的应用。 ... ...