摘要:
The invention relates to a method and device for separating a substrate (2) by means of a laser beam (3). The duration of the effect of the laser beam (3) is extremely short such that the substrate (2) is only modified concentrically about the laser beam axis (Z) without it degrading the substrate material. Whilst the laser beam (3) acts upon the substrate (2), said substrate (2) moves relative to a laser machining head (10) such that a plurality of filament-type modifications are produced along a separating surface (5) which is to be incorporated. Said laser beam (3) is initially diverted by a transmission medium (8) having a higher intensity-dependent refractive index than air, and subsequently reaches the substrate (2). As the intensity of the used pulsed laser is not constant but increases to a maximum over the temporal course of the single pulse, and then reduces, the refractive index also changes. The focus point (9a) of the laser beam (3) moves between the outer surfaces (11, 12) of the substrate (2) along the beam axis (Z) such that it reaches the desired modification along the beam axis (Z) without correcting the laser machining head (10) in the z-axis.
摘要:
The invention relates to a method for producing a conductor trace structure (4) on a dielectric carrier material (1). The carrier material (1) is first furnished with a flat coating (2). Nanoscale particles containing a substantial material content of metal oxides such as copper oxides, which are coated with a suitable reduction agent, are contained in the coating (2). Then, the coating (2) is exposed selectively to an electromagnetic radiation from a laser (3). Due to selective action of radiation, this results in a sintering of particles contained in or generated in situ in the coating (2), producing the conductive trace structure (4).
摘要:
A radiation assisted joining machine, in particular laser transmission welding device, comprises an irradiation head (1) for providing a joining radiation beam (2) that generates a joint seam (5) between two components (3, 4), a receptacle (7) for mounting the first component (3), and a clamping device for clamping the components (3, 4), in particular for clamping components (3, 4) with a three-dimensionally running joint seam (5), which clamping device has clamping means (11, 19) adapted to the path of the joint seam for generating a clamping force between the two components (3, 4) at least in the region of each joining zone (F) to which the joining radiation beam (2) is applied, wherein a magnetic or magnetisable strip (11) that is adapted to the path of the joint seam (5) is provided as a clamping means and applies a clamping force (A) to the components (3, 4) by means of a control magnet (19) guided with the joining radiation beam (2), the clamping force being due to the magnetic forces acting between the strip (11) and the control magnet (19) at least in the region of the joining zone (F) to which the joining radiation beam (2) is applied.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einbringen einer Durchbrechung (1) in ein Substrat (2) mittels einer fokussierten elektromagnetischen Strahlung (8). Die hierzu einzubringende Schnittlinie (7) beginnt in einem von den Seitenlinien (9, 10, 11, 12) eingeschlossenen Bereich der zu entfernenden Fläche (4) und setzt sich als Einstich (5) zu einem Startpunkt (13) auf der ersten Seitenlinie (9) fort. Dieser Startpunkt (13) ist erfindungsgemäß von einem Eckpunkt (6) beabstandet. Bevor zum Abschluss der Schnittlinie (7) erneut der Startpunkt (13) erreicht wird, wirkt die noch vorhandene feste Verbindung zu dem kurzen Seitenlinienabschnitt (9b) als eine Aussteifung im Sinne eines Auflagers. Eine Verformung der weitgehend aus geschnittenen Fläche (4') gegenüber dem verbliebenen Rest des Substrats (2) folgt daher entlang einer Biegelinie (14), die zu der Seitenlinie (12) nicht parallel verläuft, so dass diese unverformt bleibt. Hierdurch wird eine wesentlich verbesserte Qualität der Schnittlinie (7) ohne eine Verzögerung bei der Bearbeitung erreicht.
摘要:
A device and a method for carrying out and monitoring a plastic laser transmission welding process comprises a processing beam source for emitting a processing beam into a joining zone (1) between two parts being joined (2, 3) while forming a weld (4), a measuring beam source (6) for irradiating a measuring zone (12) with a measuring beam (7), a detection unit (13) for detecting the measuring beam (7) reflected by an interface (5) between the weld (4) and its surroundings in the parts being joined (2, 3), and an evaluation unit (15), connected to the detection unit (13), for determining the depth position of the interface (5) in the parts being joined (2, 3) from the reflected measuring beam (7) that is detected.
摘要:
Die Erfindungbetrifftein Verfahren zur selektiven Metallisierung der Oberflächen von Kunststoffsubstraten sowie einen nach diesem Verfahren hergestellten Schaltungsträger, bei dem die Kunststoffsubstrate als Additive natürliche oder synthetisch hergestellte Tektoalumosilikate enthalten, die mittels einer ablativen Behandlung der Oberfläche des Kunststoffsubstrats zugänglich gemacht, bekeimt und schließlich außenstromlos metallisiert werden.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung von in unterschiedlichen Ebenen angeordneten durch eine Isolatorschicht verbundene Leiterbahnen (1, 2) einer Leiterplatte (3) mittels einer die beiden Leiterbahnen (1, 2) elektrisch verbindenden leitfähigen Schicht (10). Um eine Vereinfachung des Verfahrens zu erreichen, wird zunächst jeweils eine außenseitige Abdeckung (5) auf die Leiterbahnen (1, 2) aufgebracht. Anschließend wird die Ausnehmung durch die Abdeckung (5) hindurch in die Leiterbahnen (1, 2) und die Isolatorschicht eingebracht. Eine die elektrisch leitfähige Schicht (10) bildende thixotrope Substanz (7) wird dann unter mechanischer Beanspruchung auf die Abdeckung (5) aufgebracht, so dass entlang der Innenwandfläche (9) der Ausnehmung eine elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnen (1, 2) entsteht. Die Abdeckungen (5) können dann entfernt werden. Hierdurch wird es erstmals möglich, die Durchkontaktierung auf die Leiterplatte (3) mit bereits vorhandenen Leiterbahnen (1, 2) flächig aufzutragen und dadurch den Steuerungsaufwand und die Prozessdauer wesentlich zu reduzieren.