公开(公告)号：EP2865030B1

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：EP13765425.7

申请日：2013-06-21

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  ISORG

发明人： BENWADIH, Mohammed ,  DAAMI, Anis ,  TALLAL, Jamal

IPC分类号： H01L51/44

公开(公告)号：EP3492891A1

公开(公告)日：2019-06-05

申请号：EP18209894.7

申请日：2018-12-03

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BENWADIH, Mohammed ,  REVENANT-BRIZARD, Christine

IPC分类号： G01J5/04 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J5/34 ,  G01J5/00 ,  H01L37/02

摘要： Capteur de motif thermique comportant plusieurs pixels (102) disposés sur un substrat (104), chaque pixel (102) comprenant une capacité pyroélectrique, la capacité pyroélectrique comprenant un matériau pyroélectrique (200) disposé entre deux électrodes électriquement conductrices (108, 110),
le matériau pyroélectrique (200) comprenant une matrice sol-gel (210) dans laquelle sont dispersées des premières particules (220) en un premier matériau et des deuxièmes particules (230) en un deuxième matériau,
le premier matériau étant choisi parmi les oxydes de calcium, de lanthane, de tantale, de baryum, de plomb, et/ou de strontium,
le deuxième matériau étant choisi parmi les oxydes de titane, d'antimoine, d'étain, de zinc, de gallium, de vanadium et/ou de manganèse.

公开(公告)号：EP3332893A1

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：EP17205217.7

申请日：2017-12-04

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BENWADIH, Mohammed ,  BABLET, Jacqueline ,  PONCELET, Olivier ,  SKRZYPSKI, Jonathan

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24

CPC分类号： C08J3/203 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  C08J2325/06 ,  C08L25/06 ,  C08L2203/206 ,  C08L2207/53 ,  H01F1/0054 ,  H01Q1/36

摘要： L'invention se rapporte à un procédé de préparation de nanoparticules métalliques revêtues.
Selon l'invention, chaque nanoparticule comprenant un coeur constitué d'au moins un métal M et une couche constituée d'au moins un polymère, la couche revêtant le coeur métallique, lequel procédé comprend les étapes suivantes :
(a 1 ) la préparation d'une solution A comprenant :
• ledit au moins un métal M sous la forme de cations M n+ , n étant un nombre entier compris entre 1 et 3, chaque métal M étant un métal de transition de numéro atomique compris entre 21 et 30,
• un polyol, et
• un sel d'un métal noble,

(a 2 ) la préparation d'une solution B comprenant au moins un monomère organique dudit au moins un polymère, dans un solvant organique,
(b) le mélange des solutions A et B, ce mélange étant porté à la température d'ébullition du polyol, et
(c) la récupération des nanoparticules métalliques revêtues.
L'invention se rapporte également à un procédé de fabrication et aux utilisations d'un matériau composite comprenant ces nanoparticules métalliques revêtues ainsi qu'à une antenne comprenant ce matériau composite.

公开(公告)号：EP3255014A1

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：EP17174823.9

申请日：2017-06-07

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： BENWADIH, Mohammed ,  ALIANE, Abdelkader

IPC分类号： B81B7/00 ,  C09D11/52 ,  H05K1/09 ,  H01Q1/38

CPC分类号： H05K3/125 ,  B05D1/02 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/07 ,  C09D11/033 ,  C09D11/037 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/52 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/092 ,  H05K1/097 ,  H05K1/165 ,  H05K3/0014 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/10098 ,  H05K2203/013

摘要： Le procédé de fabrication d'un dispositif (1) comprenant une piste (3) électriquement conductrice agencée sur un support (2) comporte une étape de dépôt (E2-2) d'une solution par impression sur le support (2). Ladite solution comporte un mélange d'un solvant, d'un ensemble de particules métalliques (4) et d'un matériau métallique (5) présentant une température de fusion inférieure à celle des particules métalliques (4) de l'ensemble de particules métalliques. Le procédé prévoit une étape de fusion (E2-4, E3) du matériau métallique (5) d'où il résulte la formation d'une soudure en matériau métallique (5) entre des particules métalliques (4) de l'ensemble de particules métalliques. Après l'étape de formation (E2) de la piste (3) électriquement conductrice, le procédé comporte une étape de thermoformage (E4) d'au moins une partie du support (2).

摘要翻译： 制造包括布置在支撑件（2）上的导电轨道（3）的设备（1）的方法包括通过在支撑件（2）上进行印刷来沉积（E2-2）溶液的步骤。 所述溶液包含溶剂，一组金属颗粒（4）和熔点比该组金属颗粒（4）的熔点低的金属材料（5）的混合物 。 该方法提供金属材料（5）的熔化步骤（E2-4，E3），由该金属材料（5）的金属颗粒（4）之间形成金属材料（5）的焊缝。 金属。 在导电轨道（3）的成形步骤（E2）之后，该方法包括支撑件（2）的至少一部分的热成形步骤（E4）。

公开(公告)号：EP2836895B1

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP13720467.3

申请日：2013-04-10

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  ISORG

发明人： TALLAL, Jamal ,  BENWADIH, Mohammed

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/042 ,  G06F2203/04105

公开(公告)号：EP3004823A1

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：EP14733246.4

申请日：2014-06-03

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： ALIANE, Abdelkader ,  BENWADIH, Mohammed

IPC分类号： G01K1/16

CPC分类号： G01K7/16 ,  B29C35/00 ,  B29K2067/00 ,  B29K2067/003 ,  G01K1/16

摘要： The invention concerns a flexible film (20) of crystalline or semi-crystalline material comprising a first region (24) surrounded by a first amorphized wall (26).

摘要翻译： 本发明涉及包括由第一非晶化壁（26）围绕的第一区域（24）的晶体或半晶体材料的柔性膜（20）。

公开(公告)号：EP2596536B1

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：EP11735481.1

申请日：2011-06-10

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BENWADIH, Mohammed

IPC分类号： H01L51/48

CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L21/32056 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/4253

公开(公告)号：EP2596536A1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：EP11735481.1

申请日：2011-06-10

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BENWADIH, Mohammed

IPC分类号： H01L51/42

CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L21/32056 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/4253

摘要： This process for producing an organic semiconductor layer (38), consisting of a mixture of a first and a second organic semiconductor, comprises the following steps: (i) production of a porous solid volume (32) consisting of a first semiconductor, of open porosity and suitable for receiving a second semiconductor; (ii) deposition, at least on an external surface of the porous solid volume, of a liquid comprising the second semiconductor dissolved or dispersed in a solvent, the solvent being inert with respect to the first semiconductor and having an evaporation temperature below the evaporation temperature of the second semiconductor; and (iii) once the porous solid volume (32) has been at least partially imbibed by the liquid, evaporation of the solvent by heating to a temperature above the evaporation temperature of said solvent but below the evaporation temperature of the first and second semiconductors. The porous solid is produced by injecting gas bubbles into a solution of the first semiconductor dissolved or dispersed in a solvent (Β') and then evaporating said solvent (Β'), the temperature of said solvent (B') being below the evaporation temperature of the gas.

公开(公告)号：EP2666194B1

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：EP11811050.1

申请日：2011-12-08

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： SEILER, Anne-Laure ,  BENWADIH, Mohammed

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0017 ,  H01L21/31127 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/102 ,  H01L2224/11632 ,  H01L2224/27632

公开(公告)号：EP3031087A1

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：EP14790162.3

申请日：2014-07-31

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： BENWADIH, Mohammed ,  COPPARD, Romain ,  PONCELET, Olivier

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L27/28

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/055 ,  H01L2251/303

摘要： This organic CMOS circuit comprises a substrate (10) on which there are formed an N-type organic transistor (34) and a P-type organic transistor (36), said transistors comprising, respectively, a layer of N-type semiconductor material and a layer of P-type semiconductor material. One face of each of the layers of semiconductor material, opposite the substrate (10), is covered with an anti-ultraviolet layer consisting of electrically insulating material that absorbs and/or reflects ultraviolet radiation.