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    METHOD AND STRUCTURE TO CONTACT TIGHT PITCH CONDUCTIVE LAYERS WITH GUIDED VIAS USING ALTERNATING HARDMASKS AND ENCAPSULATING ETCHSTOP LINER SCHEME
    1.
    发明公开
    METHOD AND STRUCTURE TO CONTACT TIGHT PITCH CONDUCTIVE LAYERS WITH GUIDED VIAS USING ALTERNATING HARDMASKS AND ENCAPSULATING ETCHSTOP LINER SCHEME 审中-公开
    方法和结构，使用替代硬件和包封ETCHSTOP LINER方案联系带引导VIAS的紧密间距导电层

    公开(公告)号：EP3238244A1

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP14909207.4

    申请日：2014-12-22

    申请人： Intel Corporation

    发明人： CHAWLA, Jasmeet S. ,  BRAIN, Ruth A. ,  SCHENKER, Richard E. ,  SINGH, Kanwal Jit ,  MYERS, Alan M.

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/485 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/16225

    摘要： Interconnect structures having alternating dielectric caps and an etchstop liner for semiconductor devices and methods for manufacturing such devices are described. According to an embodiment, an interconnect structure may include an interlayer dielectric (ILD) with a first hardmask layer over a top surface of the ILD. The interconnect structure may also include one or more first interconnect lines in the ILD. A first dielectric cap may be positioned above a top surface of each of the first interconnect lines. Additional embodiments include one or more second interconnect lines in the ILD that are arranged in an alternating pattern with the first interconnect lines. A second dielectric cap may be formed above a top surface of each of the second interconnect lines. Embodiments may also include an etchstop liner that is formed over top surfaces of the first dielectric caps.

    摘要翻译： 描述了具有交替的电介质帽和用于半导体器件的蚀刻停止衬垫的互连结构以及用于制造这种器件的方法。 根据一个实施例，互连结构可以包括在ILD的顶表面上具有第一硬掩模层的层间电介质（ILD）。 互连结构还可以包括ILD中的一个或多个第一互连线。 第一电介质帽可以定位在每个第一互连线的顶表面之上。 另外的实施例包括ILD中的一个或多个第二互连线，其与第一互连线交替布置。 第二电介质帽可以形成在每个第二互连线的顶表面上方。 实施例还可以包括在第一电介质帽的顶表面上形成的蚀刻停止衬层。

    NOVEL METHOD FOR CREATING ALTERNATE HARDMASK CAP INTERCONNECT STRUCTURE WITH INCREASED OVERLAY MARGIN
    2.
    发明公开
    NOVEL METHOD FOR CREATING ALTERNATE HARDMASK CAP INTERCONNECT STRUCTURE WITH INCREASED OVERLAY MARGIN 审中-公开
    用增加覆盖面积来创建交替硬盖帽互连结构的新方法

    公开(公告)号：EP3238247A1

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP14909263.7

    申请日：2014-12-24

    申请人： Intel Corporation

    发明人： BRISTOL, Robert L. ,  CHANDHOK, Manish ,  CHAWLA, Jasmeet S. ,  GSTREIN, Florian ,  HAN, Eungnak ,  HOURANI, Rami ,  SCHENKER, Richard E. ,  YOUNKIN, Todd R. ,  LIN, Kevin

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026

    摘要： Embodiments of the invention include an interconnect structure and methods of forming such structures. In an embodiment, the interconnect structure may include an interlayer dielectric (ILD) with a first hardmask layer over a top surface of the ILD. Certain embodiments include one or more first interconnect lines in the ILD and a first dielectric cap positioned above each of the first interconnect lines. For example a surface of the first dielectric cap may contact a top surface of the first hardmask layer. Embodiments may also include one or more second interconnect lines in the ILD arranged in an alternating pattern with the first inter-connect lines. In an embodiment, a second dielectric cap is formed over a top surface of each of the second interconnect lines. For example, a surface of the second dielectric cap contacts a top surface of the first hardmask layer.

    摘要翻译： 本发明的实施例包括互连结构和形成这种结构的方法。 在一个实施例中，互连结构可以包括在ILD的顶表面上具有第一硬掩模层的层间电介质（ILD）。 某些实施例包括ILD中的一个或多个第一互连线以及位于每个第一互连线上方的第一电介质帽。 例如，第一电介质帽的表面可以接触第一硬掩模层的顶表面。 实施例还可以包括以与第一互连线交替的图案布置的ILD中的一个或多个第二互连线。 在一个实施例中，第二电介质帽形成在每个第二互连线的顶表面之上。 例如，第二电介质帽的表面接触第一硬掩模层的顶表面。