公开(公告)号：EP3198629A1

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：EP14902548.8

申请日：2014-09-22

申请人： Intel Corporation

发明人： CHANDHOK, Manish ,  YOUNKIN, Todd R. ,  LEE, Sang H. ,  WALLACE, Charles H.

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： Techniques related to multi-pass patterning lithography, device structures, and devices formed using such techniques are discussed. Such techniques include exposing a resist layer disposed over a grating pattern with non-reflecting radiation to generate an enhanced exposure portion within a trench of the grating pattern and developing the resist layer to form a pattern layer having a pattern structure within the trench of the grating pattern.

摘要翻译： 讨论了与多通道图案化光刻有关的技术，器件结构以及使用这种技术形成的器件。 这种技术包括用非反射辐射曝光设置在光栅图案上的抗蚀剂层，以在光栅图案的沟槽内产生增强的曝光部分，并显影抗蚀剂层以在光栅的沟槽内形成具有图案结构的图案层 模式。

公开(公告)号：EP3238234A1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：EP14909260.3

申请日：2014-12-24

申请人： Intel Corporation

发明人： YOUNKIN, Todd R. ,  LEESON, Michael J. ,  BLACKWELL, James M. ,  PUTNA, Ernisse S. ,  KRYSAK, Marie ,  HOURANI, Rami ,  HAN, Eungnak ,  BRISTOL, Robert L.

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/094 ,  G03F7/095 ,  G03F7/115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16225

摘要： Photodefinable alignment layers for chemical assisted patterning and approaches for forming photodefinable alignment layers for chemical assisted patterning are described. An embodiment of the invention may include disposing a chemically amplified resist (CAR) material over a hardmask that includes a switch component. The CAR material may then be exposed to form exposed resist portions. The exposure may produces acid in the exposed portions of the CAR material that interact with the switch component to form modified regions of the hardmask material below the exposed resist portions.

摘要翻译： 描述了用于化学辅助图案化的可光定向排列层和用于形成用于化学辅助图案化的可光定向排列层的方法。 本发明的实施例可以包括在包括开关部件的硬掩模上设置化学放大抗蚀剂（CAR）材料。 然后可以暴露CAR材料以形成暴露的抗蚀剂部分。 暴露可以在与开关部件相互作用的CAR材料的暴露部分中产生酸以在暴露的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。

公开(公告)号：EP3238247A1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：EP14909263.7

申请日：2014-12-24

申请人： Intel Corporation

发明人： BRISTOL, Robert L. ,  CHANDHOK, Manish ,  CHAWLA, Jasmeet S. ,  GSTREIN, Florian ,  HAN, Eungnak ,  HOURANI, Rami ,  SCHENKER, Richard E. ,  YOUNKIN, Todd R. ,  LIN, Kevin

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026

摘要： Embodiments of the invention include an interconnect structure and methods of forming such structures. In an embodiment, the interconnect structure may include an interlayer dielectric (ILD) with a first hardmask layer over a top surface of the ILD. Certain embodiments include one or more first interconnect lines in the ILD and a first dielectric cap positioned above each of the first interconnect lines. For example a surface of the first dielectric cap may contact a top surface of the first hardmask layer. Embodiments may also include one or more second interconnect lines in the ILD arranged in an alternating pattern with the first inter-connect lines. In an embodiment, a second dielectric cap is formed over a top surface of each of the second interconnect lines. For example, a surface of the second dielectric cap contacts a top surface of the first hardmask layer.

摘要翻译： 本发明的实施例包括互连结构和形成这种结构的方法。 在一个实施例中，互连结构可以包括在ILD的顶表面上具有第一硬掩模层的层间电介质（ILD）。 某些实施例包括ILD中的一个或多个第一互连线以及位于每个第一互连线上方的第一电介质帽。 例如，第一电介质帽的表面可以接触第一硬掩模层的顶表面。 实施例还可以包括以与第一互连线交替的图案布置的ILD中的一个或多个第二互连线。 在一个实施例中，第二电介质帽形成在每个第二互连线的顶表面之上。 例如，第二电介质帽的表面接触第一硬掩模层的顶表面。

公开(公告)号：EP3238245A1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：EP14909261.1

申请日：2014-12-24

申请人： Intel Corporation

发明人： HOURANI, Rami ,  LEESON, Michael J. ,  YOUNKIN, Todd R. ,  HAN, Eungnak ,  BRISTOL, Robert L.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76816 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329

摘要： Embodiments of the invention include microelectronic devices and methods of forming such devices. In an embodiment, a microelectronic device, includes one or more pre-patterned features formed into a interconnect layer, with a conformal barrier layer formed over the first wall, and the second wall of one or more of the pre-patterned features. A photoresist layer may formed over the barrier layer and within one or more of the pre-patterned features and a conductive via may be formed in at least one of the pre-patterned features.

摘要翻译： 本发明的实施例包括微电子器件和形成这种器件的方法。 在一个实施例中，微电子器件包括形成到互连层中的一个或多个预先图案化的特征，具有形成在第一壁上方的共形阻挡层以及一个或多个预先图案化的特征的第二壁。 可以在阻挡层上并且在一个或多个预先形成图案的特征内形成光致抗蚀剂层，并且可以在至少一个预先形成图案的特征中形成导电过孔。