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    ANTIWAVEGUIDING TITLED CAVITY VCSEL OR LED
    4.
    发明公开
    ANTIWAVEGUIDING TITLED CAVITY VCSEL OR LED 有权
    VCSEL或斜谐振器的LED上，而没有轴线

    公开(公告)号：EP1733461A1

    公开(公告)日：2006-12-20

    申请号：EP05728328.5

    申请日：2005-04-05

    申请人： NL Nanosemiconductor GmbH

    发明人： LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich ,  SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich

    IPC分类号： H01S5/20

    CPC分类号： H01S5/183 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/105 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/205 ,  H01S5/34 ,  H01S2301/02

    摘要： A semiconductor optoelectronic device (650) includes at least one cavity (660) and one multilayered interference reflector (650, 630). The cavity (660) is designed preferably to possess properties of an antiwaveguiding cavity, where no optical modes propagate in the lateral plane. The existing optical modes are the modes propagating in the vertical direction or in a direction tilted to the vertical direction (633) at an angles smaller than the angle of the total internal reflection at the semiconductor/air interface. This design reduces the influence of parasitic optical modes and improves characteristics of optoelectronic devices including vertical cavity surface emitting lasers, tilted cavity lasers emitting through the top surfce or the substrate, vertical or tilted cavity resonant photodetectors, vertical or tilted cavity resonant optical amplifiers, and light-emitting diodes.

    A semiconductor laser and a method for producing the same
    5.
    发明公开
    A semiconductor laser and a method for producing the same 失效
    一种半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号：EP0579244A3

    公开(公告)日：1994-02-09

    申请号：EP93111443.3

    申请日：1993-07-16

    申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： Kidoguchi, Isao ,  Kamiyama, Satoshi ,  Ohnaka, Kiyoshi

    IPC分类号： H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/204 ,  H01S5/205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/221 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32325

    摘要： A semiconductor laser including a semiconductor substrate and a multilayer structure formed upon the semiconductor substrate, the multilayer structure including an active layer, a pair of cladding layers between which the active layer is interposed, and a current confinement layer for injecting a current into a stripe-shaped predetermined region of the active layer. The current confinement layer comprises a first current blocking layer formed in regions thereof excluding a region corresponding to the predetermined region of the active layer. The first current blocking layer has a refractive index higher than a refractive index of the pair of cladding layers and an energy band gap larger than an energy band gap of the active layer.

    摘要翻译： 一种半导体激光器，包括半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的多层结构，所述多层结构包括有源层，在所述有源层插入其间的一对包层以及用于将电流注入到条带中的电流限制层 形活性层的预定区域。 电流限制层包括形成在除了对应于有源层的预定区域的区域之外的区域中的第一电流阻挡层。 第一电流阻挡层具有比一对包层的折射率高的折射率和比有源层的能带隙大的能带隙。

    Breitstreifen-Diodenlaser mit hoher Effizienz und geringer Fernfelddivergenz
    6.
    发明公开
    Breitstreifen-Diodenlaser mit hoher Effizienz und geringer Fernfelddivergenz 审中-公开
    宽条形二极管激光器具有高效率和低远场发散

    公开(公告)号：EP2523279A3

    公开(公告)日：2016-07-20

    申请号：EP12166585.5

    申请日：2012-05-03

    申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

    发明人： Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Wenzel, Hans ,  Fricke, Jörg

    IPC分类号： H01S5/20

    CPC分类号： H01S5/2036 ,  H01S5/20 ,  H01S5/205 ,  H01S2301/18

    摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Breitstreifenlaser mit hoher Effizienz und einer geringen Fernfelddivergenz.
    Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Breitstreifenlaser mit einer geringen Fernfelddivergenz bei gleichzeitig hoher Ausgangsleistung anzugeben. Weiterhin soll der erfindungsgemäße Breitstreifenlaser preisgünstig herstellbar sein.
    Erfindungsgemäß weisen die aktive Schicht (10), der erste Kontakt (22) und der zweite Kontakt (24) jeweils eine Breite (W) größer als 10 µm auf, und es ist weiterhin eine Antiwellenleiterschicht (20) seitlich des zwischen den Kontakten (22, 24) eingeschlossenen, aktiven Gebiets angeordnet, wobei die Brechzahl der Antiwellenleiterschicht (20) größer als die minimale Brechzahl der Mantelschichten (14, 22) ist, und wobei der minimale Abstand (d x ) zwischen der Antiwellenleiterschicht (20) und einer Projektion einer der Kontakte (24) in die Ebene der Antiwellenleiterschicht (20) zwischen 0 und 50 µm beträgt.

    A semiconductor laser and a method for producing the same
    10.
    发明公开
    A semiconductor laser and a method for producing the same 失效
    Halbleiterlaser和Verfahren zur Herstellung。

    公开(公告)号：EP0579244A2

    公开(公告)日：1994-01-19

    申请号：EP93111443.3

    申请日：1993-07-16

    申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： Kidoguchi, Isao ,  Kamiyama, Satoshi ,  Ohnaka, Kiyoshi

    IPC分类号： H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/204 ,  H01S5/205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/221 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32325

    摘要： A semiconductor laser including a semiconductor substrate and a multilayer structure formed upon the semiconductor substrate, the multilayer structure including an active layer, a pair of cladding layers between which the active layer is interposed, and a current confinement layer for injecting a current into a stripe-shaped predetermined region of the active layer. The current confinement layer comprises a first current blocking layer formed in regions thereof excluding a region corresponding to the predetermined region of the active layer. The first current blocking layer has a refractive index higher than a refractive index of the pair of cladding layers and an energy band gap larger than an energy band gap of the active layer.

    摘要翻译： 一种半导体激光器，包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的多层结构，所述多层结构包括有源层，一对覆盖层，有源层插在其间，以及用于将电流注入到条带中的电流限制层 形状的有源层的预定区域。 电流限制层包括在除了与有源层的预定区域对应的区域之外的区域中形成的第一电流阻挡层。 第一电流阻挡层的折射率高于一对包覆层的折射率，并且能带隙大于有源层的能带隙。