利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

99 条记录 (耗时 0.017 秒)

    IN-LINE PLASMA CVD DEVICE
    6.
    发明公开
    IN-LINE PLASMA CVD DEVICE 审中-公开
    INLINE - 等离子体CVD-VORRICHTUNG

    公开(公告)号：EP2940183A1

    公开(公告)日：2015-11-04

    申请号：EP13868944.3

    申请日：2013-12-12

    申请人： Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.)

    发明人： TAMAGAKI, Hiroshi ,  HAGA, Junji

    IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/503

    CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/6776

    摘要： Provided is an in-line plasma CVD apparatus (100) capable of performing a deposition process at a high production efficiency while maintaining stable deposition conditions, without spending time and energy on cleaning and the like even when in use for a long time. This plasma CVD apparatus (100) is equipped with a deposition chamber (1) and load-lock chambers (20, 30) which are separate from the deposition chamber (1). The apparatus (100) is of the in-line-type for conveying a substrate between these chambers and producing a film on the substrate. The deposition chamber (1) is equipped with a vacuum chamber (2), a vacuum exhaust means (3) for discharging the air inside the vacuum chamber (2), a gas supply unit (9) for supplying a source gas into the vacuum chamber (2), and a plasma generation power supply (10) for generating plasma inside the vacuum chamber (2). Substrates in the deposition chamber (1) are divided into a first group (18) connected to one pole of the plasma generation power supply (10), and a second group (19) connected to the other pole of the plasma generation power supply (10). The plasma is produced between the first group (18) and the second group (19) which have different polarities from one another.

    摘要翻译： 提供一种能够在保持稳定的沉积条件的同时以高生产效率进行沉积处理的在线等离子体CVD装置（100），即使在长时间使用时也不会花费时间和能量进行清洁等。 该等离子体CVD装置（100）装备有与沉积室（1）分离的沉积室（1）和装载锁定室（20,30）。 该装置（100）具有在这些室之间输送基板的直列式，并在基板上产生薄膜。 沉积室（1）配备有真空室（2），用于排出真空室（2）内的空气的真空排气装置（3），用于将源气体供应到真空中的气体供应单元（9） 室（2）和用于在真空室（2）内产生等离子体的等离子体发生电源（10）。 沉积室（1）中的衬底被分成连接到等离子体发生电源（10）的一个极的第一组（18）和连接到等离子体发生电源的另一个极的第二组（19） 10）。 在具有彼此不同极性的第一组（18）和第二组（19）之间产生等离子体。