公开(公告)号：EP3224859B1

公开(公告)日：2024-10-30

申请号：EP15830976.5

申请日：2015-11-24

发明人： WEISE, Katrin ,  SANDER, Bernd-Uwe ,  QUEISSER, Steffen ,  GANTER, Patrick ,  PEDIADITAKIS, Stephan Alexis

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/306

公开(公告)号：EP3684887B1

公开(公告)日：2024-09-25

申请号：EP18860670.1

申请日：2018-09-28

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/30608 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/78696 ,  C09K13/00

公开(公告)号：EP4420203A1

公开(公告)日：2024-08-28

申请号：EP22884559.0

申请日：2022-10-24

申请人： The Regents of University of California

发明人： GANDROTHULA, Srinivas ,  NAKAMURA, Shuji ,  DENBAARS, Steven P.

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01S5/021 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0215 ,  H01S2304/1220130101 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/04257 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/18361

公开(公告)号：EP4405428A1

公开(公告)日：2024-07-31

申请号：EP22873610.4

申请日：2022-09-23

申请人： CMC Materials LLC

发明人： REISS, Brian ,  JOHNSON, Brittany ,  NAIK, Sajo ,  LU, Lung-Tai ,  LONG, Kim ,  KNAPTON, Elliot ,  ROBELLO, Douglas ,  BROSNAN, Sarah

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  B24B37/04

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/76224

公开(公告)号：EP4398317A1

公开(公告)日：2024-07-10

申请号：EP23218208.9

申请日：2023-12-19

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： ROL, Fabian ,  DUSSAIGNE, Amélie

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/306 ,  H01L27/15 ,  H01L21/3063

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/306 ,  H01L27/156 ,  H01L21/30635

摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat de croissance adapté à la réalisation par épitaxie d'une matrice de diodes (D1, D2, D3) à base d'InGaN, comportant les étapes suivantes :
o réalisation d'un empilement cristallin (10) comportant, à partir d'une couche tampon conductrice (11) : une couche inférieure (12) à base de GaN dopé ; puis une couche intercalaire de séparation (13), à base d'InGaN ; puis une couche supérieure (14) à base d'AIGaN ;
o réalisation de mésas de trois catégories M1, M2, M3, par gravure localisée de l'empilement cristallin (10) ;
o suppression, par gravure, de la portion supérieure (24) d'au moins les mésas M3, la portion supérieure (24) des mésas M1 étant préservées ; puis
o porosification électrochimique non photo-assistée des portions inférieures (22) des seules mésas M1 et M3, la portion inférieure (22) des mésas M2 étant non porosifiée.

公开(公告)号：EP4376092A1

公开(公告)日：2024-05-29

申请号：EP23201745.9

申请日：2023-10-05

申请人： GlobalFoundries U.S. Inc.

发明人： Lydon-Nuhfer, Megan ,  Shank, Steven M. ,  Vallett, Aaron L. ,  Abou-Khalil, Michel ,  McTaggart, Sarah A. ,  Krishnasamy, Rajendran

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/045 ,  H01L21/30608 ,  H01L29/66621

摘要： An integrated circuit (IC) structure includes a V-shaped cavity in a semiconductor substrate. A source region and a drain region are on opposing sides of the V-shaped cavity. A gate structure includes a gate dielectric layer, spacers, and a gate electrode on the gate dielectric layer between the spacers. The gate structure is fully within the V-shaped cavity. The IC structure provides a switch that finds advantageous application as part of a low noise amplifier. The IC structure provides a smaller gate width, decreased capacitance, increased gain and increased radio frequency (RF) performance compared to planar devices or devices without the gate structure fully within V-shaped cavity.

公开(公告)号：EP4373897A1

公开(公告)日：2024-05-29

申请号：EP22846762.7

申请日：2022-07-15

申请人： Versum Materials US, LLC

发明人： SHI, Xiaobo ,  O'NEILL, Mark Leonard ,  LANGAN, John G. ,  VACASSY, Robert ,  SCHLUETER, James Allen ,  SAMPURNO, Yasa ,  PHILIPOSSIAN, Ara

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  B24B37/24

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/31053 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1409

公开(公告)号：EP2614529B1

公开(公告)日：2024-03-27

申请号：EP11831085.3

申请日：2011-07-05

发明人： RADULESCU, Fabian ,  GAO, Jennifer ,  DUC, Jennifer ,  SHEPPARD, Scott

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L29/20 ,  H01L29/16

公开(公告)号：EP4316855A1

公开(公告)日：2024-02-07

申请号：EP21934870.3

申请日：2021-03-31

申请人： KONICA MINOLTA, INC.

发明人： KAJITA, Hiroshi ,  SAMESHIMA, Kouichi

IPC分类号： B41J2/16 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

摘要： A nozzle plate having at least a nozzle tapered portion 12 and a straight communication passage 13 in a nozzle hole is manufactured through the following steps 1 to 5. Step 1 (S-1): a step of preparing a single crystal silicon substrate 1 whose surface has a crystal orientation of a [100] plane. Step 2 (S-2): a step of uniformly forming a mask layer 2 on the surface of the single crystal silicon substrate. Step 3 (S-3): a step of forming an opening pattern 3 in the mask layer. Step 4 (S-4): a step of forming a through hole 4 by penetrating the single crystal silicon substrate located below the opening pattern from the surface by dry etching. Step 5 (S-5): a step of forming a nozzle tapered portion and a straight communication passage continuous with the nozzle tapered portion by enlarging the through hole by anisotropic wet etching on the single crystal silicon substrate.

公开(公告)号：EP4284885A1

公开(公告)日：2023-12-06

申请号：EP22746489.8

申请日：2022-01-26

申请人： CMC Materials, Inc.

发明人： JOHNSON, Brittany ,  REISS, Brian ,  HAINS, Alexander W. ,  IVANOV, Roman A.

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306