-
公开(公告)号:JP4654216B2
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:JP2007112482
申请日:2007-04-23
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/20
-
公开(公告)号:JP4988175B2
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:JP2005201035
申请日:2005-07-11
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/20
-
公开(公告)号:JP3888980B2
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:JP2003073932
申请日:2003-03-18
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N23/225 , G01N23/20 , H01J37/252 , H01J37/256 , H01J37/26 , H01J37/295
CPC classification number: G01N23/2252 , G01N23/20 , H01J37/244 , H01J37/256 , H01J37/28
Abstract: An electron beam device is provided with an electron beam diffraction image analysis section (3) for calculation of the lattice distance from the diffraction image taken by a TV camera (10) for observation of the electron beam diffraction image, an EDX analysis section (9) for acquiring a composition of the material, a data base for retrieval of material characterization, and a material characterization section (4) having the data base retrieval function. The material characterization section characterizes the material by retrieving the retrieval data base, based upon the lattice distance data transferred from the electron beam diffraction image analysis section and the element data transferred from the EDX analysis section.
-
公开(公告)号:JP4896096B2
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:JP2008200325
申请日:2008-08-04
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
-
公开(公告)号:JP4199996B2
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:JP2002366018
申请日:2002-12-18
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N1/32 , H01J37/20 , G01N1/28 , H01J37/317
-
公开(公告)号:JP3804757B2
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:JP2000269237
申请日:2000-09-05
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立製作所
IPC: G01N23/04 , H01J37/252 , G01N23/225 , H01J37/22 , H01J37/28
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To make an EDX(energy dispersive X-ray) analysis of a light element with high accuracy. SOLUTION: An SEM(scanning electron microscope) image and a dark-field STEM(scanning-transmission electron microscope) image are simultaneously displayed on an electron beam device mounted with an EDX analyzer, and the amount of signal at each pixel of the SEM image is compared with that of the STEM image. When the difference in the amount of signal is not large, an object of analysis is determined to exist on a surface of a sample and an EDX analysis is made thereof.
-
公开(公告)号:JP4129088B2
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:JP29343898
申请日:1998-10-15
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立製作所
IPC: H01J37/22 , H01J37/28 , H01J37/141
-
公开(公告)号:JP4012705B2
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:JP2001223167
申请日:2001-07-24
Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立製作所
IPC: G01N23/04 , G01N1/28 , G01R31/28 , G01R31/302 , H01J37/20
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To observe a phenomenon that is generated in a device by directly applying a voltage to a specific section inside an LSI whose design dimensions are approximately 0.1 μm. SOLUTION: A process for mounting fine conductors 30a and 30b to an extracted fine sample piece 72, and a process for applying a voltage to the mounted fine conductors are added to a process for machining and extracting an arbitrary region in a target sample into fine sample pieces using charge particle beams.
-
公开(公告)号:JPWO2016035493A1
公开(公告)日:2017-06-22
申请号:JP2016546386
申请日:2015-08-03
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 本発明は、電子顕微鏡における試料のその場観察において、従来よりも安全に、かつ、より効率的にガスの取り扱い操作を行うことが可能な装置を提供することを目的とする。試料(13)を保持する試料ホルダ(6)と、当該試料(13)が保持された試料ホルダ(6)を格納する真空の試料室(12)と、当該保持された試料(13)に電子線を照射する電子源(2)と、当該電子線の照射によって前記試料から得られる信号を検出する検出器と、を有する鏡体と、前記鏡体内にガスを導入するガス供給部と、を備え、前記ガス供給部は、小型のガス容器(16(a、b、c))を収納するガス収容器納部(11a)と、当該ガス容器収納部(11a)に収納されたガス容器内のガスを、前記真空の試料室内に保持された試料を少なくとも含む領域に導入するガス導入ノズル(14)と、を有し、前記ガス容器収納部(11a)は、前記鏡体の外であって、かつ前記試料が保持された位置の近傍に配置されることを特徴とする装置を提供する。
-
公开(公告)号:JPWO2016006375A1
公开(公告)日:2017-04-27
申请号:JP2016532502
申请日:2015-06-08
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22
CPC classification number: H01J37/22 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/295 , H01J2237/20207 , H01J2237/2802
Abstract: 試料や結晶方位の種類にかかわらず、熟練者でなくても、スループット良く、かつ高精度に結晶方位を合わせ、試料を観察することができる装置、方法を提供する。本発明では、表示部(13)に表示された電子線回折パターン(22b)における回折スポットの輝度分布に基づいて、メインスポット(23)が円周上に位置するように重ね合わせて表示されるフィッティング用の円形状パターン(26)を設定し、当該表示された円形状パターン(26)の中心位置(27)を始点とし、円形状パターン(26)の円周上に位置するメインスポット(23)の位置を終点として表示されるベクトル(28)を設定し、当該表示されたベクトル(28)の向き、及び大きさに基づいて、結晶方位合わせを実行する。これにより、試料や結晶方位の種類にかかわらず、熟練者でなくても、スループット良く、かつ高精度に結晶方位を合わせ、試料を観察することができる。
-
-
-
-
-
-
-
-
-