公开(公告)号：JP5153332B2

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：JP2007523416

申请日：2006-06-22

申请人： 株式会社 エルフォテック

发明人： 真治 神田

IPC分类号： G03F7/30 ,  B05B7/04 ,  C23F1/08 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/30 ,  C23F1/08 ,  G03F7/405 ,  H01L21/6708 ,  H05K3/068 ,  H05K2203/075

公开(公告)号：JP2013502726A

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：JP2012525726

申请日：2010-08-20

申请人： ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド

发明人： エム マーティン パトリック ,  ディー カールソン スティーブン ,  オー ダニエル ,  パク ジュン−ウック

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

摘要： 基板のパターニング方法は、隣接するレジストフィーチャー間の第１ピッチと第１ギャップ幅により画定されるレジストフィーチャーの配列を設ける工程を具える。 粒子がレジストフィーチャーの配列に取り込まれ、レジストフィーチャーの配列が硬化する。 粒子の取り込みにより、レジストフィーチャーの限界寸法は減少してもよい。 サイドウォールが硬化したレジストフィーチャーの側部に設けられる。 サイドウォールが形成された後、硬化したレジストフィーチャーは除去され、基板に配置され、分離したサイドウォールの配列が残る。 サイドウォールの配列はサイドウォールの下に配置された基板層のフィーチャーのダブルパターニングのためのマスクを設け、基板に形成されたフィーチャーの配列は第１ピッチの半分に相当する第２ピッチを有する。

公开(公告)号：JP2013016699A

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：JP2011149367

申请日：2011-07-05

申请人： Toshiba Corp ,  株式会社東芝

发明人： UOZUMI NOBUHIRO ,  OGAWA YOSHIHIRO ,  IIMORI HIROYASU ,  KOIDE TATSUHIKO ,  KIMURA SHINSUKE

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67075 ,  G03F7/162 ,  G03F7/405 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which suppress pattern collapse when a substrate is dehydrated after a liquid treatment.SOLUTION: There is provided a substrate processing method. The substrate processing method includes a process of treating a substrate that has a structure formed on at least a principal plane by liquid. The substrate processing method further includes a process of bring a solution into contact with the structure wetted with the liquid and forming a supporting material that supports the structure by changing at least a part of the solution into a solid state by at least any one of the steps of: reacting the solution; decreasing the amount of solvent contained in the solution; and depositing at least a part of materials solved in the solution. The substrate processing method further includes a process of removing the supporting material by changing the supporting material from a solid phase to a vapor phase without passing through a liquid phase.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种在液体处理之后基板脱水时抑制图案塌陷的基板处理方法和基板处理装置。 提供了一种基板处理方法。 基板处理方法包括用液体处理至少在主平面上形成的结构的基板的处理。 基板处理方法还包括使溶液与被液体润湿的结构接触并形成支撑材料的方法，所述支撑材料通过将溶液的至少一部分改变为固体状态而至少通过至少任一种 步骤：使溶液反应; 减少溶液中所含溶剂的量; 以及沉积溶解在溶液中的至少一部分材料。 基板处理方法还包括通过将支撑材料从固相改变为气相而不通过液相来除去支撑材料的工艺。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013003155A

公开(公告)日：2013-01-07

申请号：JP2011130453

申请日：2011-06-10

申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ,  東京応化工業株式会社

发明人： NAKAMURA TAKESHI ,  ISHIKAWA KIYOSHI

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a resist pattern achieving miniaturization of pattern dimensions and improving pattern uniformity.SOLUTION: The method for forming a resist pattern includes steps of: forming a resist film on a support body by using a resist composition that contains a basic component (A) the solubility of which with an organic solvent is decreased by an action of an acid, and an acid generator component (B) generating an acid by exposure; exposing the resist film; forming a resist pattern by patterning the resist film by negative development using a developing solution containing the organic solvent; forming a coating film by applying a coating film forming agent on the resist pattern; heat treating the coating film at a temperature lower than the softening point of the resist pattern to thermally shrink the coating film, thereby, reducing an interval between the resist patterns; and removing the coating film.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种形成抗蚀剂图案的方法，其实现图案尺寸的小型化并提高图案均匀性。 解决方案：形成抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：通过使用含有碱性组分（A）的抗蚀剂组合物在支撑体上形成抗蚀剂膜，其中溶解度与有机溶剂的溶解度通过作用 的酸和通过暴露产生酸的酸产生剂组分（B）; 曝光抗蚀膜; 通过使用含有有机溶剂的显影液通过负显影图案化抗蚀剂膜来形成抗蚀剂图案; 通过在抗蚀剂图案上涂布涂膜形成剂形成涂膜; 在低于抗蚀剂图案的软化点的温度下对涂膜进行热处理，以使涂膜热收缩，从而减小抗蚀剂图案之间的间隔; 并除去涂膜。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012533907A

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：JP2012521647

申请日：2010-06-22

申请人： ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation

发明人： フ ペング−フェイ ,  スコット モヤー エリック ,  ディー ズール ジェイソン

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C09D183/06 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/0337

摘要： シルセスキオキサン樹脂をパターン形成フォトレジストの上に塗布し、硬化して、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を生成する。 次に未硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を残す。 水平表面上の硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、下にあるフォトレジストを露光する。 このフォトレジストを除去し、硬化シルセスキオキサンのパターンを残す。 任意で、新規パターンを下層へ転写することができる。

公开(公告)号：JP2012208432A

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：JP2011075855

申请日：2011-03-30

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： YAMAGUCHI SHUHEI ,  TAKAHASHI HIDETOMO ,  SHIRAKAWA MICHIHIRO ,  KATAOKA SHOHEI ,  SAITO SHOICHI ,  YOSHINO FUMIHIRO

IPC分类号： G03F7/038 ,  C07C69/757 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C08F20/28 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  C08F2220/283 ,  C08F220/42 ,  C08F2220/1825

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method which is excellent in roughness performance such as line width roughness, local pattern dimension uniformity, and exposure latitude and capable of suppressing reduction in film thickness (so-called film reduction) at a pattern portion formed by development, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in the method, and a resist film.SOLUTION: A pattern forming method includes: (i) a step of forming a film from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing (P) resin having (a1) a repeating unit capable of decomposing by the action of acid to produce a carboxyl group, represented by a general formula (I) and (B) a compound capable of generating acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; (ii) a step of exposing the film; and (iii) a step of performing development by using a developer containing an organic solvent to form a negative type pattern.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种图案形成方法，其具有优异的粗糙度性能，例如线宽粗糙度，局部图案尺寸均匀性和曝光宽容度，并且能够抑制膜厚度（所谓的膜还原）的降低 通过显影形成的图案部分，并且提供在该方法中使用的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物和抗蚀剂膜。 解决方案：图案形成方法包括：（i）从含有（P）树脂的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物形成膜的步骤，所述（P）树脂具有（a1）能够通过作用分解的重复单元 的酸以产生由通式（I）和（B）表示的羧基，其能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸; （ii）曝光胶片的步骤; 和（iii）通过使用含有有机溶剂的显影剂形成负型图案进行显影的步骤。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012083727A

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：JP2011196046

申请日：2011-09-08

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： KAMIMURA SATOSHI ,  YAMANAKA TSUKASA ,  ENOMOTO YUICHIRO ,  KATO KEITA

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  Y10T428/24802

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method capable of attaining both CDU (Critical Dimension Uniformity) performance and defect performance at high levels.SOLUTION: In the pattern forming method which includes (a) forming a film using a chemically amplified resist composition, (b) exposing the film, and (c) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent, the developer contains an ester and ketone having a carbon number of 7 or more.

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够以高水平实现CDU（临界尺寸均匀性）性能和缺陷性能的图案形成方法。 解决方案：在图案形成方法中，包括（a）使用化学放大型抗蚀剂组合物形成膜，（b）使膜曝光，和（c）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜，显影剂 含有碳数为7以上的酯和酮。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012042531A

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：JP2010181305

申请日：2010-08-13

申请人： Az Electronic Materials Kk ,  Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社

发明人： WANG XIAOWEI ,  MATSUURA YURIKO ,  GEORG PAWLOWSKI

IPC分类号： G03F7/32

CPC分类号： G03F7/405

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rinse liquid for lithography which can simultaneously improve pattern collapse and melting, and to provide a pattern formation method utilizing the same.SOLUTION: This invention provides a rinse liquid for lithography containing water and specific nitrogen-containing compounds such as alkylamine, and provides a pattern formation method utilizing the same. The rinse liquid may contain a nonionic surfactant if necessary.

摘要翻译： 要解决的问题：提供可以同时改善图案塌陷和熔化的光刻用冲洗液，并提供利用该冲洗液的图案形成方法。 解决方案：本发明提供了含有水和特定含氮化合物如烷基胺的光刻用漂洗液，并提供了利用该漂洗液的图案形成方法。 如果需要，漂洗液可以含有非离子表面活性剂。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012500337A

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：JP2011523374

申请日：2009-07-23

申请人： ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

发明人： フィアッカブリーノ，ジャン−チャールズ ,  レイ−メルメ，ギレス

IPC分类号： C25D1/10 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/405 ,  C23C2/02 ,  C23C2/26 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D5/56 ,  G03F7/0035 ,  Y10T29/49155

摘要： ａ）導電性表面（２）を有する基板（１）を用意するステップと、
ｂ）前記導電性表面（２）を第１感光性樹脂層（３）で被覆するステップと、
ｃ）所望のパターン凹部と一致するマスク（４）を通して前記第１感光性樹脂層（３）に照射を行うステップと、
ｄ）開口部をくり抜くことで第１レベルの樹脂モールドを用意するように前記第１感光性樹脂層（３）を現像し、前記第１樹脂層の前記開口部が前記基板の前記導電性表面（２）を露出させるステップと、
ｅ）前記現像済み樹脂層（３）を被覆して好ましくは中の前記開口部を充填するように、前記現像済み樹脂層（３）の上に新しい感光性樹脂層（６）を析出するステップと、
ｆ）前記所望のパターン凹部と一致するマスク（７）を通して前記新しい感光性樹脂層（６）に照射を行うステップと、
ｇ）開口部をくり抜いてマルチレベル樹脂モールドを用意するように前記新しい感光性樹脂層（６）を現像し、前記マルチレベルモールドの前記開口部が前記基板の前記導電性表面（２）を露出させるステップと、
ｈ）前記マルチレベル樹脂モールドの前記開口部に金属または合金をガルバニック析出するステップと、
ｉ）前記基板を分離してから、前記開口部に析出された前記金属または合金により形成される多層金属構造（８）を露出させるように前記樹脂層を除去するステップと、
を含む。
【選択図】図８

公开(公告)号：JPWO2009093686A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：JP2009550569

申请日：2009-01-23

申请人： Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

发明人： 毅由 安陪 ,  毅由 安陪 ,  中村　敦 ,  敦 中村 ,  剛史 若松 ,  剛史 若松

IPC分类号： G03F7/40 ,  C08L33/16 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  Y10S430/106

摘要： 第一のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第一のレジストパターンを形成する工程(1)と、第一のレジストパターン上にレジストパターン微細化樹脂組成物を塗布し、ベーク後、現像して第一のレジストパターンを微細化した第二のレジストパターンを形成する工程(2)と、第二のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク後、洗浄して、第二のレジストパターンを、現像液及び第二のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な第三のレジストパターンとする工程(3)と、第二のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第三のレジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、第二のレジスト層を露光及び現像して第四のレジストパターンを形成する工程(4)と、を含むレジストパターン形成方法である。