公开(公告)号：JP6950137B2

公开(公告)日：2021-10-13

申请号：JP2017232109

申请日：2017-12-01

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  四戸 孝 ,  井川 拓人

IPC: B05D3/02 ,  C01B32/156 ,  C23C16/26 ,  C23C16/448 ,  B05D1/02

公开(公告)号：JP6945120B2

公开(公告)日：2021-10-06

申请号：JP2015108025

申请日：2015-05-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C18/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/448

公开(公告)号：JP6945119B2

公开(公告)日：2021-10-06

申请号：JP2014239389

申请日：2014-11-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高塚 章夫 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365 ,  H01L21/20

公开(公告)号：JP2021136730A

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020029479

申请日：2020-02-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  三菱重工業株式会社

Inventor： 伊藤 将人 ,  三竹 雅也 ,  山下 幸生 ,  水本 尚吾 ,  ▲柳▼田 秀彰 ,  四戸 孝

IPC: G01R19/165 ,  H02M7/48

Abstract: 【課題】電力変換回路の基本構成を変更することなく、過電流の検出を容易に行うことのできる電力変換装置を提供する。 【解決手段】電力変換装置1は、負荷2に接続され電力の授受を行う電力変換回路11と、電力変換回路11を通過した電流を検出して、対応する電圧を出力するコイル12と、コイル12から出力される電圧を積分することで電流の変化量に相当する電圧信号を生成する積分回路13と、積分回路13から出力された電圧信号に基づいて電力変換回路11への制御信号を生成する保護制御部(制御手段)14と、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6924458B2

公开(公告)日：2021-08-25

申请号：JP2016220078

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 佐々木 貴博 ,  柳生 慎悟 ,  人羅 俊実

IPC: B32B9/00 ,  B05D1/02 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40

公开(公告)号：JPWO2020013260A1

公开(公告)日：2021-08-02

申请号：JP2019027442

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本 雅裕 ,  ▲高▼橋 勲 ,  四戸 孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786

Abstract: 反転チャネル領域を少なくとも有する半導体装置であって、前記反転チャネル領域に、コランダム構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜を有することを特徴とする、半導体装置。

公开(公告)号：JP6906220B2

公开(公告)日：2021-07-21

申请号：JP2017036359

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/306 ,  B05B17/06 ,  H01L21/31

公开(公告)号：JP6893625B2

公开(公告)日：2021-06-23

申请号：JP2019053236

申请日：2019-03-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人羅 俊実 ,  織田 真也 ,  高塚 章夫

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/329 ,  H01L33/26 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2020193146A

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：JP2020126892

申请日：2020-07-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  人羅 俊実

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C30B29/16

Abstract: 【課題】結晶性の高い、インジウムを含有する酸化物を主成分として含み、さらにコランダム構造を含む結晶性酸化物膜の提供。 【解決手段】酸化物を主成分とする第1の層および第2の層を有する結晶性酸化物膜であって、第1の層の酸化物はガリウムを含有し、第2の層の酸化物はインジウムを含有しコランダム構造を有する結晶性酸化物膜。好ましくは、第2の層の酸化物が酸化インジウムであり、ドーパントを含む結晶性酸化物膜。好ましくは、第2の層は、キャリア密度が3.1×10 18 cm −3 以下であり、移動度が143cm 2 /Vs以上である、結晶性酸化物膜。前記結晶性酸化物膜が用いられている半導体層と、電極と、を少なくとも備える半導体装置。 【選択図】図4

公开(公告)号：JPWO2019098296A1

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：JP2018042347

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  杉本 雅裕 ,  四戸 孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12

Abstract: 例えば、SiCよりはるかに絶縁破壊電界強度が高い高電圧で低損失のn型半導体(例えば、酸化ガリウム等)等を用いた場合でも、半導体特性を損うことなく、優れた半導体特性を実現できる半導体装置を提供する。ゲート電極と該ゲート電極の側壁に直接または他の層を介して、チャネルの形成されるチャネル層とを少なくとも備える半導体装置であって、前記チャネル層の一部または全部が、p型酸化物半導体(例えば、酸化イリジウムなど)を含む半導体装置を提供する。