複合金属箔及び該複合金属箔を用いた銅張積層板並びに該銅張積層板の製造方法

    公开(公告)号:JP2018087369A

    公开(公告)日:2018-06-07

    申请号:JP2016231977

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 【課題】極めて薄く緻密で、ピンホールが生じ難い極薄銅層を積層した銅張積層板を簡便な方法で製造でき、また、該極薄銅層をシード層としてアディティブ工法により回路を形成すれば、シード層を短時間でエッチング除去できるから回路までエッチングされることが抑制でき、また、該銅張積層板を用いて多層基板を製造すれば、多層基板全体が厚くなることを抑制して高密度な多層基板とすることができる複合金属箔の提供。 【解決手段】金属箔キャリア2と金属箔キャリア2の少なくとも一方の面上に第1のNi又はNi合金層3が積層され、第1のNi又はNi合金層3の少なくとも一方の面上に剥離層4、第2のNi層5及び極薄銅層6がこの順序で積層された複合金属箔であって、極薄銅箔層6の銅粒子の一次粒子径が10〜200nm、付着量が300〜6000mg/m 2 であり、第2のNi層5の厚みが0.3〜5μmである複合金属箔。 【選択図】図1

    処理銅箔及び該処理銅箔を用いた銅張積層板並びにプリント配線板
    18.
    发明专利
    処理銅箔及び該処理銅箔を用いた銅張積層板並びにプリント配線板 有权
    治疗铜箔,铜箔层压板,使用处理铜箔和印刷电路板

    公开(公告)号:JP2016149438A

    公开(公告)日:2016-08-18

    申请号:JP2015025259

    申请日:2015-02-12

    Abstract: 【課題】伝送特性に優れると共に樹脂基材との高い引き剥がし強さを備え、また、エッチング後の曇り度(HAZE値)が低くて、透過度が高いプリント配線板に好適な処理銅箔を提供する。 【解決手段】未処理銅箔1の少なくとも一方の面に粗化処理層2と前記粗化処理層2上に酸化防止処理層3を備えた銅張積層板用処理銅箔であって、前記粗化処理層2は一次粒子径が40nm〜200nmの微細銅粒子で形成され、前記酸化防止処理層3はモリブデンとコバルトを含有し、絶縁性樹脂基材と接着させる処理面の十点平均粗さRzは0.5μm〜1.6μmで、かつ、前記未処理銅箔1と前記処理面との色差ΔE*abが45〜60である銅張積層板用処理銅箔。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供优异的印刷电路板的高度透明的处理铜箔,其具有优异的透射特性,具有高的树脂基材剥离强度和蚀刻后的低浊度(HAZE等级)。 提供了一种用于覆铜层压板的处理铜箔,其包括在未处理铜箔1的至少一个表面上的粗糙化处理层2和粗糙化处理层2上的抗氧化处理层3.粗糙化处理层2 由具有40nm至200nm直径的一次粒子的细铜颗粒制成,并且抗氧化处理层3含有钼和钴。 要粘附到绝缘树脂基材上的处理表面的十点高度为0.5μm至1.6μm,未处理铜箔1和处理表面之间的色差ΔE* ab为45至60。 选择图:图1

    銅系ナノ粒子分散液を用いた導体膜とその製造方法
    19.
    发明专利
    銅系ナノ粒子分散液を用いた導体膜とその製造方法 审中-公开
    使用基于铜的纳米粒子分散体的导电膜及其制造方法

    公开(公告)号:JP2016096136A

    公开(公告)日:2016-05-26

    申请号:JP2015210778

    申请日:2015-10-27

    Abstract: 【課題】短時間かつ低温処理によって低抵抗な導体膜とその製造方法を提供する。 【解決手段】Cu 2 Oを主成分とする銅系ナノ粒子が沈降することなく安定的に分散した分散液を準備するステップSa1と、前記分散液を基材上に塗布及び乾燥してCu 2 Oを主成分とする塗膜を得るステップSa2と、大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱して前記塗膜の全体がCu 2 Oとなるまで酸化するとともにCuOまで酸化が進行しないように前記塗膜の酸化状態を制御するステップSa3−1と、還元性雰囲気中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱して前記基材から前記塗膜表面に向かって反応が進行する方向性のある化学的な還元反応プロセスによって前記塗膜を還元するステップSa3−2とを備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:通过短时间和低温处理提供具有低电阻的导电膜及其制造方法。制造方法:制备方法具有制备分散体的步骤Sa1,其中主要含有CuO的铜基纳米颗粒为 分散稳定地没有沉积;步骤Sa2,用于将分散体涂布在基材上并干燥以获得主要含有CuO的涂膜;步骤Sa3-1,用于氧化整个涂膜以成为CuO,并控制涂膜的氧化条件 在环境压力下,在200℃以下的温度下加热涂膜,在还原性气氛中,在200℃以下的温度加热涂膜的工序Sa3-2,不进行氧化成CuO, 通过化学还原反应方法制备具有从基材到涂膜表面进行反应的方向的化学还原反应方法。图1

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