公开(公告)号：JP6261553B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2015232371

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/76 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H02M7/48 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L27/085 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6906427B2

公开(公告)日：2021-07-21

申请号：JP2017216511

申请日：2017-11-09

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 上田 博之 ,  森 朋彦 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

公开(公告)号：JP6680161B2

公开(公告)日：2020-04-15

申请号：JP2016181959

申请日：2016-09-16

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 長里 喜隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2019121705A

公开(公告)日：2019-07-22

申请号：JP2018001246

申请日：2018-01-09

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置において、パンチスルー耐圧の向上と低い閾値電圧と低いチャネル抵抗を両立させる技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置1の窒化物半導体層10は、p型のボディ領域13を有している。ボディ領域13は、ドリフト領域12側に配置されている高濃度領域13Aと、ソース領域14側に配置されている低濃度領域13Bと、を有している。高濃度領域13Aの不純物濃度が低濃度領域13Bの不純物濃度よりも濃い。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019062051A

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：JP2017184792

申请日：2017-09-26

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  樹神 雅人 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置において、トレンチゲート部の底面の電界を緩和する技術を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置の窒化物半導体層は、トレンチゲート部の側面の少なくとも一部及びトレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接しており、不純物濃度がボディ領域よりも薄い第2導電型の低濃度半導体領域を有する。低濃度半導体領域は、ドリフト領域とソース領域を分離する位置にあるボディ領域とトレンチゲート部の側面の間に配置されている側面部分領域と、ドリフト領域とトレンチゲート部の底面の間に配置されている底面部分領域と、を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6469559B2

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：JP2015202163

申请日：2015-10-13

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP2018125441A

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2017017069

申请日：2017-02-01

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆 ,  後藤 安則

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】ボディ領域の不純物濃度を維持しながら、低いオン電圧でチャネルを形成する。 【解決手段】 窒化物半導体装置は、窒化物半導体層と、トレンチゲート部を備えている。窒化物半導体層は、第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域の表面に設けられている第2導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域の表層の一部に設けられているとともに第2半導体領域によって第1半導体領域から分離されており、第1半導体領域よりも第1導電型の不純物を高濃度に含む第3半導体領域を備えている。トレンチゲート部は、第3半導体領域の表面から第1半導体領域まで伸びている。この窒化物半導体装置では、第2半導体領域よりも第2導電型の不純物を低濃度に含む第2導電型の第4半導体領域が、第3半導体領域の底面から裏面に向けて、トレンチゲート部の側面を囲って伸びている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017098511A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015232371

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L21/76 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H02M7/48 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L27/085 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/432 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7786 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175

Abstract: 【課題】窒化物半導体層内に複数のトランジスタ構造を備えた、信頼性の高い窒化物半導体装置を実現する。 【解決手段】窒化物半導体装置100は、導電性基板2と窒化物半導体層12を備えている。窒化物半導体層12は、導電性基板2上に存在する。窒化物半導体層12は、横型の第1トランジスタ構造50aと横型の第2トランジスタ構造50bを含む。導電性基板2は、第1電位制御領域2aと、第1電位制御領域2aに対して独立して電位制御が可能な第2電位制御領域2bを含む。窒化物半導体層12を平面視したときに、第1トランジスタ構造50aが第1電位制御領域2aと重複しており、第2トランジスタ構造50bが第2電位制御領域2bと重複している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021090015A

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：JP2019220625

申请日：2019-12-05

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】JFET領域を有するプレーナゲート構造の窒化物半導体縦型MOSFETに関し、耐圧の確保と低いオン抵抗の両立を図る技術を開示する。 【解決手段】窒化物半導体装置は、n型のドリフト層と、前記ドリフト層の上に設けられているp型の一対のボディ領域と、前記ドリフト層の上であって前記一対のボディ領域のそれぞれとの間に設けられているn型のJFET領域と、絶縁膜を挟んで前記一対のボディ領域と前記JFET領域に対向しているゲート電極と、前記一対のボディ領域のそれぞれについて、前記JFET領域及び前記ドリフト層内であって前記ボディ領域から離間する位置に、上下方向に延びるn型の不純物濃度が高い高濃度領域が配置されていてもよい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6715210B2

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：JP2017083050

申请日：2017-04-19

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78