公开(公告)号：JP6261553B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2015232371

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/76 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H02M7/48 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L27/085 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2016143865A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：JP2015021345

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】窒化物半導体層のヘテロ接合面に生じる2次元電子ガスを利用するダイオードにおいて、順方向電圧降下を低く、リーク電流も小さく調整する技術を提供する。 【解決手段】アノード電極10の近接に2次元電子ガス誘起阻害層を形成するか、あるいはアノード電極10から離隔した領域に2次元電子ガス誘起促進層14を形成すると、アノード電極10の近傍では2次元電子ガス濃度が低下してリーク電流が減り、アノード電極10から離隔した位置では2次元電子ガス濃度が増大して順方向電圧降下が低下する。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供二极管，其使用在氮化物半导体层的异质结表面处产生的二维电子气，能够通过降低正向压降来实现将漏电流调节到较小的技术。 当在与阳极电极10相邻的区域中形成二维电子气体诱导抑制层，或者在与阳极10间隔开的区域形成二维电子气诱导促进层14时，二维电子气浓度 在阳极电极10附近减小以减小漏电流，并且在与阳极电极10隔开的位置处，二维电子气浓度增加以降低正向电压降。图4

公开(公告)号：JP2016131207A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：JP2015004795

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L27/095 ,  H01L21/76 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】GaNで形成されている電子走行層とIn x1 Al y1 Ga 1−x1−y1 Nで形成されている電子供給層のヘテロ接合面を備えている半導体基板に複数個の半導体装置を形成する場合、分離領域にトレンチを形成するか、あるいは分離領域を非導電化するイオン等を注入する必要があり、製造しづらく、半導体装置の特性の低下要因となる。 【解決手段】分離領域Bに存在する電子供給層8の表面に、p型のIn x2 Al y2 Ga 1−x2−y2 N層10bを形成する。するとp型のIn x2 Al y2 Ga 1−x2−y2 N層10bから電子供給層8を介して電子走行層6に向けて空乏層が伸び、分離領域Bではヘテロ接合面が空乏化し、隣接する半導体装置の間が電気的に分離される。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题为了解决这样一个问题，当在包括由GaN形成的电子转移层的异质结表面和由InAlGaN形成的电子供给层的半导体衬底上形成多个半导体器件时，沟槽必须 必须在隔离区域中形成或用于使隔离区域不导电的离子等被注入，导致难以制造并导致半导体器件的特性劣化。解决方案：在表面上形成p型InAlGaN层10b 存在于隔离区域B中的电子供应层8.随后，耗尽层经由电子供应层8从p型InAlGaN层10b延伸到电子转移层6，异质结表面在 隔离区B，并且在彼此相邻的半导体器件之间形成电隔离。选择图：图3

公开(公告)号：JP5914097B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2012076208

申请日：2012-03-29

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 桑原 誠 ,  兼近 将一 ,  青木 宏文 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP5881383B2

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：JP2011251281

申请日：2011-11-17

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  伊藤 健治 ,  上杉 勉 ,  杉本 雅裕 ,  青木 宏文

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP6234975B2

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：JP2015196735

申请日：2015-10-02

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/34 ,  H01L29/475

公开(公告)号：JP2017098307A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015225914

申请日：2015-11-18

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 川上 昌宏 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】JFET型ゲート構造を有する半導体装置において、JFET型ゲート構造のドレイン側の電界を緩和する技術を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置1は、p型窒化物半導体層18に接するゲート電極36を備える。ゲート電極36は、p型窒化物半導体層18のドレイン側の側面18Saに隣接する部分において、p型窒化物半導体層18のドレイン側の側面18Saの一部に接するとともに絶縁膜22の薄肉絶縁膜部22aを介して電子供給層16cに対向する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6023825B2

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：JP2015004733

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

公开(公告)号：JP2015070151A

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：JP2013204162

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  桑原 誠 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/205 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/2003

Abstract: 【課題】 半導体装置のスイッチング特性を改善する。 【解決手段】 半導体装置100は、第1化合物半導体層6と、第1化合物半導体層6よりもバンドギャップが大きい第2化合物半導体層8と、第2化合物半導体層8上の一部に設けられているp型の第3化合物半導体層14と、第3化合物半導体層14の上に設けられており、第3化合物半導体層14よりも高抵抗であるp型の第4化合物半導体層16と、第4化合物半導体層16上に設けられているゲート電極18を備えている。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了改善半导体器件的开关特性。解决方案：半导体器件100包括：第一化合物半导体层6; 带隙大于第一化合物半导体层的带隙的第二化合物半导体层8; 设置在第二化合物半导体层8的一部分上的p型第三化合物半导体层14; 设置在第三化合物半导体层14上并具有比第三化合物半导体层14更高的电阻的p型第四化合物半导体层16; 以及设置在第四化合物半导体层16上的栅电极18。

公开(公告)号：JP6639260B2

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：JP2016025223

申请日：2016-02-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 長谷川 聖也 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338