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    窒化物半導体装置及びその製造方法
    13.
    发明专利
    窒化物半導体装置及びその製造方法 有权
    氮化物半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2016213389A

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：JP2015097713

    申请日：2015-05-12

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338

    Abstract: 【課題】電流コラプス現象が抑えられた窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置1の製造方法は、ヘテロ接合を有する窒化物半導体積層体16上にi型の窒化物半導体の表面層22を成膜する工程、表面層22上にエッチングストッパ層24を成膜する工程、エッチングストッパ層24上にp型窒化物半導体層26を成膜する工程、p型窒化物半導体層26の一部をエッチングしてエッチングストッパ層24を露出させる工程、p型窒化物半導体層26上にゲート電極36を形成する工程、及び、窒化物半導体積層体16上であってp型窒化物半導体層26を間に置いて対向する位置の一方にドレイン電極32を形成し、他方にソース電極34を形成する工程と、を備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 的电流崩塌现象，提供一种氮化物半导体器件及其制造方法被抑制。 一种用于制造氮化物半导体装置1的方法，该氮化物半导体叠层16上形成具有异质结，表面层22上的蚀刻停止层的i型氮化物半导体的表面层22的步骤 形成蚀刻阻挡层24上形成p型氮化物半导体层26的24，一步一步的步骤中，在p型氮化物半导体层26的一部分被蚀刻以暴露蚀刻阻挡层24，第 形成模具氮化物半导体层26，和上的位置中的一个的漏极电极32上的栅电极36面对放置在p型氮化物半导体层26之间的氮化物半导体叠层16上 形成，并且形成在另一源极电极34的工序。 点域1

    窒化物半導体基板に形成したショットキーバリアダイオード
    14.
    发明专利
    窒化物半導体基板に形成したショットキーバリアダイオード 审中-公开
    在氮化物半导体衬底上形成肖特基阻挡二极管

    公开(公告)号：JP2016018939A

    公开(公告)日：2016-02-01

    申请号：JP2014141916

    申请日：2014-07-10

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  西川 恒一 ,  富田 英幹

    IPC: H01L29/47 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

    CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7786 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432

    Abstract: 【課題】HEMTの電子走行層となる第1窒化物半導体層6と電子供給層となる第2窒化物半導体層8が積層された基板の表面に、ショットキー接触するアノード電極22とオーミック接触するカソード電極20を形成するとSBDが得られるが、リーク電流が大きく、耐圧が低い。 【解決手段】アノード電極22に、第2窒化物半導体層8が直接に接触する領域と、第4窒化物半導体領域12bと第3窒化物半導体領域10bを介して第2窒化物半導体層8に接触する領域を混在させる。第4窒化物半導体領域12bをp型にすることでリーク電流を抑えることができる。第2窒化物半導体層8よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体を第3窒化物半導体領域10bに用いることで、順方向電流が流れる順方向電圧の最低値を低く抑えることができる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题为了解决在形成肖特基接触的阳极电极22和形成欧姆接触的阴极电极20形成在其上具有用作电子转移层的第一氮化物半导体层6的基板的表面上的问题的问题 的HEMT和用作HEMT的电子供给层的第二氮化物半导体层8，可以获得SBD（肖特基势垒二极管），但漏电流大，击穿电压低。解决方案：在肖特基势垒 在氮化物半导体衬底上形成的二极管，第二氮化物半导体层8直接与阳极电极22接触的区域和第二氮化物半导体层8经由第四氮化物半导体区域12b和第三氮化物半导体区域接触阳极电极22的区域 区域10b以混合的方式存在。 通过将第四氮化物半导体区域12b改变为p型，可以抑制漏电流。 通过使用具有大于第三氮化物半导体区域10b的第二氮化物半导体层8的带隙的氮化物半导体的氮化物半导体，正向电流流动的正向电压的最小值可以保持尽可能低。图示：图 1

    窒化物半導体装置とその製造方法
    17.
    发明专利
    窒化物半導体装置とその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019121705A

    公开(公告)日：2019-07-22

    申请号：JP2018001246

    申请日：2018-01-09

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: 【課題】トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置において、パンチスルー耐圧の向上と低い閾値電圧と低いチャネル抵抗を両立させる技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置1の窒化物半導体層10は、p型のボディ領域13を有している。ボディ領域13は、ドリフト領域12側に配置されている高濃度領域13Aと、ソース領域14側に配置されている低濃度領域13Bと、を有している。高濃度領域13Aの不純物濃度が低濃度領域13Bの不純物濃度よりも濃い。 【選択図】図1

    窒化物半導体装置とその製造方法
    18.
    发明专利
    窒化物半導体装置とその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019062051A

    公开(公告)日：2019-04-18

    申请号：JP2017184792

    申请日：2017-09-26

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  樹神 雅人 ,  長里 喜隆

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: 【課題】トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置において、トレンチゲート部の底面の電界を緩和する技術を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置の窒化物半導体層は、トレンチゲート部の側面の少なくとも一部及びトレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接しており、不純物濃度がボディ領域よりも薄い第2導電型の低濃度半導体領域を有する。低濃度半導体領域は、ドリフト領域とソース領域を分離する位置にあるボディ領域とトレンチゲート部の側面の間に配置されている側面部分領域と、ドリフト領域とトレンチゲート部の底面の間に配置されている底面部分領域と、を含む。 【選択図】図1

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