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公开(公告)号：JPWO2017135465A1
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2017004142
申请日：2017-02-06
Applicant: 古河電気工業株式会社
Abstract: コア径が異なる光ファイバ同士を簡便に接続可能な光学モジュール及び光出力装置を提供する。 光学モジュール(14、214、314)は、レーザ光の入射側に対応する入射側光ファイバ(41)と、レーザ光の出射側に対応する出射側光ファイバ(42)と、入射側光ファイバ(41)及び出射側光ファイバ(42)を光学的に接続する接続部位(43)を覆う位置に設けられる接続保護部(44)と、を備え、出射側光ファイバ(42)は、入射側光ファイバと比べて大きいコア径(41aのコア径
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公开(公告)号：JP2015170821A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014046871
申请日：2014-03-10
Applicant: 古河電気工業株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/338
Abstract: 【課題】ゲート電極の近傍における電界集中を緩和して、ゲート電極におけるリーク電流を低減すること。 【解決手段】基体と、窒化物半導体からなる第1半導体層、および第1半導体層よりも平均的にバンドギャップが広い第2半導体層を含む半導体積層体と、半導体積層体の少なくとも一部の層の上に、互いに離間して設けられた第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極との間に設けられたゲート電極と、第1電極と導通しつつゲート電極と離間して設けられた第1FP層と、第1電極と導通しつつゲート電極と離間し、第1FP層の上層に設けられた第2FP層と、を備え、ゲート電極が、第1FP層側に延伸しつつ少なくとも1段の段差を有するゲートFP部を有し、第1FP層のうちの少なくともゲート電極側の端部におけるピンチオフ電圧が、FP部における最大のピンチオフ電圧未満である。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：为了减小栅电极附近的场浓度，以减少栅电极处的漏电流。解决方案：氮化物半导体器件包括：衬底; 包括由氮化物半导体构成的第一半导体层和平均具有宽于第一半导体层的带隙的第二半导体层的半导体层叠体; 第一电极和第二电极，其设置在所述半导体层叠体的至少一层上彼此间隔开的距离处; 设置在所述第一电极和所述第二电极之间的栅电极; 第一FP（场板）层，其在与第一电极电连接的同时设置在与栅电极一定距离处; 以及第二FP层，其在与第一电极电连接的同时设置在距离栅电极一定距离的第一FP层的上层中。 栅电极具有栅极FP部分，其具有至少一级的电平差，同时在第一FP层侧延伸，并且栅电极侧的第一FP层的至少一端的夹断电压小于最大值 FP部分的截止电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6140050B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013217855
申请日：2013-10-18
Applicant: 古河電気工業株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/41
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公开(公告)号：JP2015079923A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013217856
申请日：2013-10-18
Applicant: 古河電気工業株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/41
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0653 , H01L29/1075 , H01L29/152 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/404 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/513 , H01L29/812
Abstract: 【課題】配線幅を確保しつつ配線による寄生容量を低く抑えて、高耐圧かつ大電流を維持しつつスイッチング特性を向上させること。 【解決手段】基板11にバッファ層12、電子走行層13、電子供給層14を設ける。電子走行層13の電子供給層14との界面に2DEG層aが生じる。電子供給層14上に選択的にカソード電極18およびカソード配線19を積層する。カソード電極18部分に、2DEGの発生を抑制する2DEG非発生領域13aを設ける。アノード電極16は、フィールドプレート層15および電子供給層14の下層の2DEG層aに側面からショットキー接触し、接地させる。コンタクト部21aを確保しつつ2DEG非発生領域13aを覆うように誘電体層21を設ける。カソード電極18は誘電体層21を覆いつつ、コンタクト部21aを通じて2DEG層aとオーミック接触する。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：为了保持由于布线而导致的寄生电容低，确保布线宽度并提高开关特性，同时保持高耐压和高电流。解决方案：氮化物半导体器件包括：缓冲层12，电子转移层13 和设置在基板11上的电子供给层14; 在电子转移层13与电子供给层14的界面处产生的2DEG层a; 选择性地堆叠在电子供给层14上的阴极18和阴极配线19; 设置在阴极18部分上的2DEG非生成区域13a，用于抑制2DEG的产生; 在场板层15的下层和电子供给层14中与2DEG层a形成肖特基接触的阳极电极16从侧面到2DEG层a的接地; 以及设置为覆盖2DEG非生成区域13a同时确保接触部分21a的电介质层21。 阴极18通过接触部分21a与2DEG层a形成欧姆接触，同时覆盖电介质层21。
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公开(公告)号：JP6142877B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2014538236
申请日：2013-07-05
Applicant: 富士電機株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/47 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/205 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1075 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/51
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公开(公告)号：JP6225584B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2013191007
申请日：2013-09-13
Applicant: 富士電機株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/41 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L21/66 , H01L29/872
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