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公开(公告)号：JP2015153884A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014025841
申请日：2014-02-13
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/15 , H01L21/329
摘要： 【課題】窒化物半導体装置における耐圧の低下を抑制し、製造歩留の向上を図ることができること。 【解決手段】基体と、基体上の第1半導体層、第1半導体層よりも平均的にバンドギャップが広い第2半導体層、および第2半導体層の上層に選択的に設け第2半導体層よりも平均的にバンドギャップが狭い第3半導体層を含む半導体積層体と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に設けられる第1電極と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に第1電極と離間して設けられる第2電極と、を備える窒化物半導体装置の製造方法において、第3半導体層をエッチング法により所定形状に形成する際のエッチング条件を、第3半導体層の設計膜厚に対して50nm以上300nm以下の値を加算した膜厚の第3半導体層をエッチングできる条件とする。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够抑制耐压降低并提高制造成品率的氮化物半导体器件。解决方案：在氮化物半导体器件的制造方法中，包括：半导体层叠体，其包括基板，第一半导体 具有比第一半导体层的带隙宽的第二半导体层和第三半导体层，该第二半导体层选择性地形成在第二半导体层的上层中，并且具有窄于第二半导体层的上层的带隙 的第二半导体层平均; 设置在构成半导体层叠体的至少一些半导体层层上的第一电极; 以及设置在构成半导体层叠体的半导体层的至少一些层上的第二电极，通过蚀刻将第三半导体层形成为规定形状的蚀刻条件设定为能够蚀刻第三半导体层的条件，以具有 通过对第三半导体层的设计膜厚度加上不小于50nm且不大于300nm的值获得的膜厚度。
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公开(公告)号：JP2015079922A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013217855
申请日：2013-10-18
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/41
摘要： 【課題】高耐圧化、電流コラプスの低減、およびリーク電流の低減をより一層向上させた窒化物半導体装置を得ること。 【解決手段】基板11、バッファ層12、電子走行層13、電子供給層14上に、2次元電子ガス濃度制御層15、絶縁膜16、フィールドプレート部17a,17bを有するアノード電極17、およびカソード電極18を設ける。2次元電子ガス濃度制御層15により2DEG濃度を変調点P 1 ,P 2 を挟んで高濃度領域Aから低濃度領域aに変調させる。基板11の主面に沿って、変調点P 1 がアノード電極17の下方領域内にあって変調点P 1 とフィールドプレート部17bのカソード電極18側端部との間の電界強度を、変調点P 1 とフィールドプレート部17bのカソード電極18側端部との少なくとも一方での電界強度よりも小さくなるように構成する。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：为了实现实现高耐压的氮化物半导体器件，进一步减少电流崩溃并进一步降低漏电流。解决方案：氮化物半导体器件包括：衬底11; 缓冲层12; 电子传输层13; 以及设置有二维电子气体浓度控制层15，绝缘膜16，具有场板部分17a，17b和阴极18的阳极电极17的电子供应层14。 2DEG浓度由二维气体控制层15从高浓度区域A调制到低浓度区域a跨越调制点P，P。调制点沿着衬底的主表面和区域 在阳极电极17的下方，将阴极电极18侧的调制点P与场板部17b的端部之间的场强设定得小于调制点P和场的末端中的至少一个的场强 板部17b在阴极电极18侧。
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公开(公告)号：JP2021158819A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2020057693
申请日：2020-03-27
申请人： 古河電気工業株式会社
摘要： 【課題】例えば、より不都合の少ない新規な皮膜除去方法を得る。 【解決手段】皮膜除去方法は、例えば、レーザ光の照射により電線の絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、レーザ光の波長が533[nm]以下であるのが好適である。また、皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の波長が350[nm]以上でありかつ533[nm]以下であるのがより好適である。また、皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の出射エネルギ密度が1[J/mm 2 ]以上でありかつ20[J/mm 2 ]以下であるのがより好適である。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6140050B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013217855
申请日：2013-10-18
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/41
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公开(公告)号：JP2015079923A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013217856
申请日：2013-10-18
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/41
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/0653 , H01L29/1075 , H01L29/152 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/404 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/513 , H01L29/812
摘要： 【課題】配線幅を確保しつつ配線による寄生容量を低く抑えて、高耐圧かつ大電流を維持しつつスイッチング特性を向上させること。 【解決手段】基板11にバッファ層12、電子走行層13、電子供給層14を設ける。電子走行層13の電子供給層14との界面に2DEG層aが生じる。電子供給層14上に選択的にカソード電極18およびカソード配線19を積層する。カソード電極18部分に、2DEGの発生を抑制する2DEG非発生領域13aを設ける。アノード電極16は、フィールドプレート層15および電子供給層14の下層の2DEG層aに側面からショットキー接触し、接地させる。コンタクト部21aを確保しつつ2DEG非発生領域13aを覆うように誘電体層21を設ける。カソード電極18は誘電体層21を覆いつつ、コンタクト部21aを通じて2DEG層aとオーミック接触する。 【選択図】図2
摘要翻译： 要解决的问题：为了保持由于布线而导致的寄生电容低，确保布线宽度并提高开关特性，同时保持高耐压和高电流。解决方案：氮化物半导体器件包括：缓冲层12，电子转移层13 和设置在基板11上的电子供给层14; 在电子转移层13与电子供给层14的界面处产生的2DEG层a; 选择性地堆叠在电子供给层14上的阴极18和阴极配线19; 设置在阴极18部分上的2DEG非生成区域13a，用于抑制2DEG的产生; 在场板层15的下层和电子供给层14中与2DEG层a形成肖特基接触的阳极电极16从侧面到2DEG层a的接地; 以及设置为覆盖2DEG非生成区域13a同时确保接触部分21a的电介质层21。 阴极18通过接触部分21a与2DEG层a形成欧姆接触，同时覆盖电介质层21。
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公开(公告)号：JP6239499B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2014505046
申请日：2013-03-18
申请人： 古河電気工業株式会社 , 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L29/26 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/861
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公开(公告)号：JP6168978B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013254403
申请日：2013-12-09
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/872
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公开(公告)号：JP2015198175A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014075790
申请日：2014-04-01
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/2003
摘要： 【課題】窒化物半導体装置における順方向サージ耐量を向上させること。 【解決手段】基板11およびバッファ層12と、バッファ層12の上層に設けられた窒化物半導体からなる電子走行層13、および電子走行層13の上層に設けられるとともに電子走行層13よりも平均的にバンドギャップが広い窒化物半導体からなる電子供給層14を含む半導体積層体と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に設けられるアノード電極17Aと、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上にアノード電極17Aと離間して設けられるカソード電極17Cと、を備え、アノード電極17Aとカソード電極17Cとの間に順方向に電圧が印加された状態で、電子走行層13と電子供給層14との界面に生じる2次元電子ガスの生成領域以外の領域に、順方向電流が流れるための電流経路を設ける。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提高氮化物半导体器件中的正向浪涌抗扰度。解决方案：氮化物半导体器件包括：半导体层叠体，其包括衬底11和缓冲层12，电子转移层13，其设置在上层 的缓冲层12，其平均比电子转移层13的带隙宽的氮化物半导体构成; 设置在构成半导体层叠体的半导体层的至少一些层上的阳极电极17A; 以及设置在半导体层的至少一些层上的阴极电极17C，其构成半导体层叠体并且距离阳极电极17A一定距离。 在正向电流通过的电流路径被提供在除了在电子传输层13和电子供给层14之间的界面处产生的二维电子气的产生区域之外的区域中， 阳极17A和阴极17C。
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公开(公告)号：JP2021191588A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021094132
申请日：2021-06-04
申请人： 古河電気工業株式会社
IPC分类号： B23K26/073 , B23K26/142 , B23K26/38
摘要： 【課題】例えば、より少ないエネルギーでより効率良く切断することが可能な、レーザ切断方法およびレーザ切断装置を得る。 【解決手段】レーザ切断方法は、レーザ光を加工対象の表面に照射することにより当該加工対象をレーザ切断する。当該レーザ切断方法では、例えば、レーザ光は、複数のビームを含み、複数のビームは、少なくとも一つの主ビームと、当該主ビームよりもパワーが小さい少なくとも一つの副ビームとを含み、表面上に、少なくとも一つの主ビームを含む主パワー領域と、少なくとも一つの副ビームを含む副パワー領域と、が形成される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021112083A
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2020004066
申请日：2020-01-15
申请人： 古河電気工業株式会社
摘要： 【課題】例えば、渦電流による電力損失を抑制することができるとともに、製造の手間やコストを抑制することが可能なバスバー、回転電機システム、およびバスバーの製造方法を得る。 【解決手段】バスバーには、長手方向に延びたスリットが設けられる。回転電機システムは、回転電機と、当該回転電機を駆動する駆動回路と、回転電機の第一端子と駆動回路の第二端子との間を電気的に接続し、長手方向に延びたスリットが設けられたバスバーと、を備える。また、バスバーの製造方法は、バスバーを準備する第一工程と、第一工程で準備された前記バスバーにレーザ光を照射することにより長手方向に延びたスリットを設ける第二工程と、を備える。 【選択図】図1
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