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公开(公告)号：JPWO2018008207A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017013081
申请日：2017-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本発明の配向アルミナ焼結体は、曲面部を有するものであり、曲面部のアルミナ粒子は曲面部の法線方向に結晶配向している。例えば、配向アルミナ焼結体の断面において、曲面部の少なくとも3つの観測点でそれぞれ法線を引いたとき、各法線上にあるアルミナ粒子のうち配向軸がその法線に対して±15°以内に収まるものの割合が60%以上であることが好ましい。3つの観測点を決めるにあたっては、曲面部を平面視したときに、曲面部の凸面領域又は凹面領域の極値点を1つめの観測点とし、極値点を通り曲面部の凸面領域又は凹面領域の外縁と交差するように引いた線分の長さが最長となるときのその線分の両端点のそれぞれと極値点との中点を残り2つの観測点とするのが好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2017057271A1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2016078265
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/20 , C04B35/111
CPC classification number: C30B29/20 , C04B35/111 , C30B1/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B28/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/6835 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835
Abstract: 本発明の一実施形態であるエピタキシャル成長用配向アルミナ基板は、表面を構成する結晶粒子のチルト角が0.1°以上1.0°未満であり、平均焼結粒径が10μm以上のものである。ここで、チルト角とは、X線ロッキングカーブ半値幅(XRC・FWHM)を指す。平均焼結粒径とは、配向アルミナ基板の板面にサーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて撮影した画像を用いて測定した値である。このエピタキシャル成長用配向アルミナ基板を利用して作製した半導体デバイスは、従来に比べて特性が向上する。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2016182012A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2017517975
申请日：2016-05-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , G01N23/207 , H01L33/02
CPC classification number: C01F7/02 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C04B35/115 , G01N23/207 , G02B1/02
Abstract: 本発明のアルミナ焼結体は、X線を照射したときの2θ=20°〜70°の範囲におけるX線回折プロファイルを用いてロットゲーリング法により求めたc面配向度が5%以上の面を有し、Mg,Fを含み、Mg/Fの質量比が0.05〜3500、Mgの含有量が30〜3500質量ppmであり、結晶粒径が15〜200μmであり、縦370.0μm×横370.0μmの視野を倍率1000倍で撮影した写真を目視したときの直径0.2〜0.6μmの気孔が250個以下であり、前記アルミナ焼結体の体積に対する直径0.2〜0.6μmの気孔の体積割合が130体積ppm以下である。本発明のアルミナ焼結体は、厚み0.5mmとしたとき、波長450nm〜1000nmにおける直線透過率が60%以上となる。つまり、本発明のアルミナ焼結体は、c面配向度が5%以上であっても直線透過率は高いため透明性に優れる。
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公开(公告)号：JP6114691B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2013515047
申请日：2012-04-10
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K1/0306 , H01L23/642 , H01L25/162 , H05K1/18 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/50 , H01L24/45 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107
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公开(公告)号：JP2017057141A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2016241058
申请日：2016-12-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , C30B9/12 , H01L33/16
Abstract: 【課題】略法線方向で特定結晶方位に配向した複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される多結晶窒化ガリウム自立基板を提供する。 【解決手段】この自立基板は、基板表面の電子線後方散乱回折法(EBSD)の逆極点図マッピングによって測定した各窒化ガリウム系単結晶粒子の結晶方位が特定結晶方位から様々な角度で傾斜して分布し、その平均傾斜角が1〜10°である。また、本発明の発光素子は、上記自立基板と、基板上に形成され、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層とを備える。本発明によれば、基板表面の欠陥密度を低減可能な多結晶窒化ガリウム自立基板を提供することができる。また、本発明の多結晶窒化ガリウム自立基板を用いて高い発光効率が得られる発光素子を提供することもできる。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6080945B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2015507966
申请日：2013-12-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/453 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/3284 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , C04B2235/85
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