公开(公告)号：JP5619242B2

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：JP2013189162

申请日：2013-09-12

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 田中　元史 ,  元史 田中 ,  林　和夫 ,  林　　和夫 ,  雅弘 浅山 ,  雅弘 浅山 ,  石渡裕 ,  裕 石渡 ,  国彦 和田 ,  国彦 和田 ,  木下　晋 ,  晋 木下 ,  多文 尾崎 ,  多文 尾崎 ,  寿 松田 ,  寿 松田

IPC: B01J19/08 ,  H01T19/00 ,  H01T23/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: B01J19/08 ,  H01T19/00 ,  H01T23/00 ,  H05H1/24

公开(公告)号：JP2014511756A

公开(公告)日：2014-05-19

申请号：JP2014500214

申请日：2012-03-19

Applicant: パイロジェネシス・カナダ・インコーポレーテッド

Inventor： ピエール・キャラバン ,  ラクシュミナラヤナ・ミアダラ・プラーラダ・ラオ

IPC: B01J19/08 ,  H05H1/26

CPC classification number: F23G7/061 ,  A62D3/19 ,  A62D3/35 ,  A62D3/38 ,  A62D2101/22 ,  A62D2101/28 ,  A62D2203/02 ,  B01D53/44 ,  B01D53/75 ,  B01J19/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/00159 ,  B01J2219/08 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/0811 ,  B01J2219/0841 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0877 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/0898 ,  B09B3/0091 ,  F23G7/04 ,  F23G2200/00 ,  F23G2201/00 ,  F23G2202/00 ,  F23G2209/00 ,  F23G2209/101 ,  F23G2209/142 ,  F23G2900/54402 ,  H05H1/34 ,  H05H1/42 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/3426 ,  H05H2001/3452 ,  H05H2001/3468 ,  Y10S588/90

Abstract: 前駆体物質が第１段階として反応器の高温領域で加水分解され、次いで第２段階で反応器の燃焼領域で反応物流動の中温酸化が行われ、そこでは燃焼酸素または空気が導入され、不要な副産物の形成を防ぐために結果的に生じるガスの流動の瞬間的な冷却が行われる、３領域反応器内で蒸気プラズマを用いた前駆体材料の分解に関する２段階プロセスである。 関連する装置は非遷移直流蒸気プラズマトーチ、前駆体物質をプラズマトーチのプラズマプルーム内に導入するための外部冷却された３領域蒸気プラズマ反応器手段、燃焼空気又は酸素を燃焼領域に導入する手段、反応器から反応物質混合物を排出する手段及び反応器の排出端に位置する反応物質混合物を冷却する手段を含む。

公开(公告)号：JP2013155092A

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：JP2012018239

申请日：2012-01-31

Applicant: Gunma Univ ,  国立大学法人群馬大学

Inventor： OKUTSU TETSUO

IPC: C30B29/58 ,  C12M1/00 ,  C12N9/00

CPC classification number: B01J19/08 ,  B01J2219/0879 ,  C12N9/2462 ,  C23C14/18 ,  C30B7/00 ,  C30B29/58 ,  Y10T428/24355

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crystallization substrate, a crystallization container, a crystallization device, and a method for producing a crystal, by which a crystal, preferably, a biological polymer crystal can be conveniently and efficiently produced.SOLUTION: A crystallization substrate has a noble metal film having absorption in a wavelength range of 500 to 1,000 nm on a surface, and a method for producing a crystal includes: a preparation step to prepare the crystallization substrate; and a contact step to bring the noble metal film and a solution of a material to be crystallized into contact with each other. The method for producing the crystal preferably further includes a light irradiation step to make the noble metal film, in contact with the solution of the material to be crystallized, irradiated with light.

Abstract translation: 要解决的问题：提供结晶衬底，结晶容器，结晶装置和晶体制造方法，通过该结晶可以方便且有效地制备晶体，优选生物聚合物晶体。溶液：结晶衬底 具有在表面上具有500〜1000nm的波长范围的吸收的贵金属膜，并且其结晶方法包括：准备所述结晶基板的准备工序; 以及使贵金属膜和待结晶材料的溶液彼此接触的接触步骤。 制造晶体的方法优选还包括光照射步骤，用于使贵金属膜与被结晶材料的溶液接触，用光照射。

公开(公告)号：JP5224306B1

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：JP2012018239

申请日：2012-01-31

Applicant: 国立大学法人群馬大学

Inventor： 哲夫 奥津

IPC: C30B29/58 ,  C12M1/00 ,  C12N9/00

CPC classification number: B01J19/08 ,  B01J2219/0879 ,  C12N9/2462 ,  C23C14/18 ,  C30B7/00 ,  C30B29/58 ,  Y10T428/24355

Abstract: An objective of the present invention is to straightforwardly and efficiently provide: a crystallization substrate preferably capable of manufacturing a crystal, preferably a biological polymer crystal; a crystallization container; a crystallization device; and a method for manufacturing a crystal. The crystallization substrate of the present invention is characterized in having a noble-metal vapor-deposited film having absorption in a wavelength range of 500 to 1000 nm on all or part of one surface of the substrate, the average thickness of the noble-metal vapor-deposited film being 0.1 to 60 nm, the noble-metal vapor-deposited film being a continuous film and having a depression formed by the vapor deposition, part of which depression being surrounded by the continuous film.

公开(公告)号：JP3992315B2

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：JP35988396

申请日：1996-12-26

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： エヌ． テイラー， ジュニア ウィリアム ,  フェアベーン ケヴィン ,  エイチ． ウォン ジュディ ,  ラウー セバスチャン ,  チュン デイヴィッド ,  フォダー マーク

IPC: H01L21/31 ,  B01D45/06 ,  B01D53/32 ,  B01D53/46 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12 ,  B01J19/24 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32844 ,  B01D45/06 ,  B01D53/32 ,  B01D53/46 ,  B01D2257/206 ,  B01D2259/818 ,  B01J19/08 ,  B01J19/088 ,  B01J19/126 ,  B01J19/249 ,  B01J2219/2453 ,  B01J2219/2458 ,  B01J2219/2461 ,  B01J2219/2467 ,  B01J2219/247 ,  B01J2219/2474 ,  B01J2219/2475 ,  B01J2219/2487 ,  B01J2219/2493 ,  B01J2219/2496 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/022 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2245/1215 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

公开(公告)号：JP6396209B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2014500214

申请日：2012-03-19

Applicant: パイロジェネシス・カナダ・インコーポレーテッド

Inventor： ピエール・キャラバン ,  ラクシュミナラヤナ・ミアダラ・プラーラダ・ラオ

IPC: H05H1/26 ,  B01J19/08

CPC classification number: F23G7/061 ,  A62D3/19 ,  A62D3/35 ,  A62D3/38 ,  A62D2101/22 ,  A62D2101/28 ,  A62D2203/02 ,  B01D53/44 ,  B01D53/75 ,  B01J19/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/00159 ,  B01J2219/08 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/0811 ,  B01J2219/0841 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0877 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/0898 ,  B09B3/0091 ,  F23G7/04 ,  F23G2200/00 ,  F23G2201/00 ,  F23G2202/00 ,  F23G2209/00 ,  F23G2209/101 ,  F23G2209/142 ,  F23G2900/54402 ,  H05H1/34 ,  H05H1/42 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/3426 ,  H05H2001/3452 ,  H05H2001/3468 ,  Y10S588/90

公开(公告)号：JP6352743B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2014186555

申请日：2014-09-12

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 松浦 恵樹 ,  石原 良俊 ,  渥美 明

IPC: H05F3/06 ,  H05F3/02 ,  C23C14/02

CPC classification number: B01J19/08 ,  C23C14/02 ,  H01J37/32

公开(公告)号：JPWO2016121102A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016571639

申请日：2015-01-30

Applicant: 株式会社島津製作所 ,  公益財団法人かずさDna研究所

Inventor： 叶井　正樹 ,  正樹 叶井 ,  軸屋　博之 ,  博之 軸屋 ,  鉄雄 大橋 ,  鉄雄 大橋 ,  中村　伸 ,  伸 中村 ,  小原　收 ,  收 小原

IPC: B01J19/08 ,  C12M1/00

CPC classification number: C12N15/1013 ,  B01J19/08 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/085 ,  B01J2219/089 ,  B03C1/00 ,  B03C1/02 ,  B03C1/28 ,  B03C2201/18 ,  C12Q1/00 ,  C12Q1/68 ,  G01N1/28 ,  G01N35/00

Abstract: 本発明は、液体(31,32,33)およびゲル状媒体(21)が装填された磁性体粒子操作用デバイス(10)に関する。上記デバイス(10)は、第1の液体(31)が収容された第1液体収容部(3a)と、第2の液体(32)が収容された第2液体収容部(3b)と、第3の液体(33)が収容された第3液体収容部(3c)と、第1のゲル状媒体(21)が収容された第1ゲル状媒体収容部(2a)とを備える。第1液体収容部(3a)、第2液体収容部(3b)および第3液体収容部(3c)はそれぞれ第1ゲル状媒体収容部(2a)に接続されており、第1のゲル状媒体(21)によって、第1の液体(31)、第2の液体(32)および第3の液体(33)が隔てられている。

公开(公告)号：JP6186560B2

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：JP2015022411

申请日：2015-02-06

Applicant: シンエイメタルテック株式会社

Inventor： 田原 和幸 ,  陳 慶一

IPC: B01J19/08 ,  B09B3/00

CPC classification number: B01D53/34 ,  A61L9/16 ,  B01D51/00 ,  B01J19/08 ,  B01J19/087 ,  B09B3/00 ,  F23G5/027 ,  B09B3/0058 ,  Y02W30/78

公开(公告)号：JP2017131803A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：JP2016011704

申请日：2016-01-25

Applicant: 日本ニューマチック工業株式会社 ,  廣瀬 文彦

Inventor： 廣瀬 文彦 ,  森本 洋史

IPC: H05H1/24 ,  B01J19/08

CPC classification number: B01J19/08 ,  H05H1/24

Abstract: 【課題】粉体の連続投入、取り出しが可能で、プラズマによる処理時間を自由に可変でき、大気圧での粉体親水化処理装置及び方法の提供。 【解決手段】円筒状基体1と、周方向に間欠的に設けられた外側電極2A〜2D及び内側電極3A〜3Dと、外側電極2A〜2Dを覆う誘電体層5と、外側電極2A〜2Dと内側電極3A〜3Dとの間に高周波電圧を印加する高周波電源4と、円筒状基体1の内方に軸方向の一端側から他端側に円筒状基体1の内壁に沿って輸送ガスと共に粉体を流入する粉体輸送手段13と、粉体輸送手段13により流入され、表面処理された処理粉体を回収する回収手段14とを具備し、高周波電源4により外側電極2A〜2Dと内側電極3A〜3Dとの間に高周波電圧を印加して内側電極3A〜3D近傍にプラズマ15を発生させて前記粉体をプラズマ15と接触させ、プラズマ15により表面処理された処理粉体を回収手段14で回収する粉体処理装置。 【選択図】図1