公开(公告)号：JP6923877B2

公开(公告)日：2021-08-25

申请号：JP2017087194

申请日：2017-04-26

Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社 ,  信越化学工業株式会社

Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹 ,  野口 仁

IPC: B23K26/00 ,  B28D5/00 ,  H01L21/304 ,  B23K26/08 ,  B23K26/53

公开(公告)号：JP2021100133A

公开(公告)日：2021-07-01

申请号：JP2021028356

申请日：2021-02-25

Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹

IPC: H01L21/306 ,  B23K26/53 ,  H01L21/308

Abstract: 【課題】良好な鏡面を広範囲にわたって高速で形成することができるエッチング方法を提供することを課題とする。 【解決手段】基板を溶融アルカリでエッチングするエッチング方法であり、高温かつ酸素を含む環境下で基板PLの被エッチング面である基板面PLSに所定厚みの酸化被膜を形成しつつ、所定の高温域にした溶融アルカリを用いてこの酸化被膜を除去して被エッチング面を等方性エッチングして鏡面を形成し、高温かつ酸素を含む環境下として、大気中で溶融アルカリを用いる環境下とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6865431B2

公开(公告)日：2021-04-28

申请号：JP2017027128

申请日：2017-02-16

Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/308 ,  H01L21/306

公开(公告)号：JP6712747B2

公开(公告)日：2020-06-24

申请号：JP2019087742

申请日：2019-05-07

Applicant: 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 鈴木 秀樹 ,  池野 順一

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP6712746B2

公开(公告)日：2020-06-24

申请号：JP2019087741

申请日：2019-05-07

Applicant: 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 鈴木 秀樹 ,  池野 順一

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP2019140410A

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：JP2019087741

申请日：2019-05-07

Applicant: 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 鈴木 秀樹 ,  池野 順一

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】シリコンの単結晶部材に形成した加工層から剥離させることで比較的大きくて薄いシリコンの単結晶基板を形成するにあたり、応力を負荷せずに剥離可能であり、剥離面の平坦性を確保しつつ加工時間の短縮化を図ることができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】内部加工層形成単結晶部材は、内部に形成された加工層と、加工層両面側にそれぞれ隣接する非加工層22とを備える。加工層には、複数のレーザ光の集光によってそれぞれ形成された複数の加工痕21sが一方向に連なってなる変質部21cが、レーザ光の走査方向Sおよびオフセット方向Fにそれぞれ複数個配列され、かつ、走査方向Sに隣り合う変質部21c同士に跨るクラックCS、および、オフセット方向Fに隣り合う変質部21c同士に跨るクラックCFの少なくとも一方が形成され、各クラックのレーザ深さ位置が略同一深さ位置とされている。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP6395210B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2014171525

申请日：2014-08-26

Applicant: 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 鈴木 秀樹 ,  篠塚 信裕 ,  松尾 利香 ,  池野 順一

IPC: B23K26/00 ,  H01L21/304 ,  B23K26/53

公开(公告)号：JP2018133489A

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2017027128

申请日：2017-02-16

Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/308 ,  H01L21/306

CPC classification number: B23K26/53 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 【課題】良好な鏡面を広範囲にわたって高速で形成することができるエッチング方法を提供することを課題とする。 【解決手段】基板を溶融アルカリでエッチングするエッチング方法であり、所定の高温域にした溶融アルカリALを用い、高温かつ酸素を含む環境下で基板PLの被エッチング面に酸化被膜を形成しつつ、被エッチング面に等方性エッチングを行うことで酸化被膜を除去する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018133487A

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2017027121

申请日：2017-02-16

Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹 ,  松尾 利香

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/00 ,  B23K26/067 ,  B23K26/064 ,  C30B29/36 ,  C30B33/04 ,  C30B33/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B23K26/00 ,  B23K26/064 ,  B23K26/067 ,  B23K26/53 ,  C30B29/36 ,  C30B33/04 ,  C30B33/10 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】結晶材料でのクラックの発生を抑制し、安定して加工層を形成して剥離することができる剥離基板製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】剥離基板製造方法は、基板10の表面から所定の深さにレーザ光を集光するレーザ集光ステップ、および、レーザ集光部160を基板10に対して相対的に移動させて位置決めする位置決めステップ、を有して基板10に加工層を形成する。また、加工層が形成された基板10を加工層にて剥離して剥離基板を作成する。レーザ集光ステップは、レーザ光を複数の分岐レーザ光に分岐させる回折光学素子170を用いて分岐レーザ光の少なくとも1本を他の分岐レーザ光に比べて強度が異なるように分岐させるレーザ光調整ステップを含み、複数の分岐レーザ光のうち、相対的に強度が高い分岐レーザ光により加工層を伸長させて基板10を加工するとともに、相対的に強度が低い分岐レーザ光により加工層の伸長を抑制する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017204626A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：JP2016215256

申请日：2016-11-02

Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹 ,  松尾 利香

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/00 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】加工対象結晶基板を、欠けのないくり抜き結晶基板を得るための加工層含有基板に加工する基板加工方法および基板加工装置を提供することを課題とする。 【解決手段】レーザ集光手段12を加工対象結晶基板20aの被照射面20u上に非接触に配置する第1工程を行う。そしてレーザ集光手段12により加工対象結晶基板20a内部にレーザ光Bを集光しつつ、レーザ光Bの集光位置Bfを加工対象結晶基板20aのくり抜き対象部20bの周囲方向および厚み方向に変化させ、破断強度が低下した加工層22をくり抜き対象部20bの外周側に形成することで加工層含有基板20cとする第2工程を行う。第2工程では、加工対象結晶基板20a内部および少なくとも一方の加工対象結晶基板面近傍で、レーザ光Bの集光位置Bfに生じる加工痕が加工対象結晶基板20aの結晶方位に沿って伸張しないようにレーザ集光手段12に入射するレーザ光Bの出力を制御する。 【選択図】図2