公开(公告)号：JP2018190889A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2017093956

申请日：2017-05-10

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 齊藤 康太 ,  桧垣 忠弘 ,  森 貴裕

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  H05K3/06 ,  H01L21/308

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  H01L21/308 ,  H05K3/06

Abstract: 【課題】銅系層と、ニッケル及びクロムのうちの少なくとも一方を含有する金属系層とを含む積層体を一括で、直線性が良好にエッチング可能な液組成物を提供する。 【解決手段】エッチング液組成物は、第二鉄イオン0.1〜10質量%、塩化物イオン0.1〜10質量%、ギ酸イオン0.01〜5質量%、下記一般式(1)で表される化合物及び炭素原子数1〜4の直鎖又は分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物0.01〜10質量%、下記一般式(2)で表される化合物、ホスホン酸化合物及びその塩、アミノカルボン酸化合物及びその塩、2価以上のカルボン酸化合物及びその塩、並びに2価以上のカルボン酸化合物が脱水してなる一無水物及び二無水物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物0.01〜10質量%;並びに水を含有する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018174172A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2017069688

申请日：2017-03-31

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 安孫子 雄哉 ,  山口 夏生 ,  江口 聡司

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 【課題】スーパージャンクション構造を採用した縦型パワーMOSFETにおいて、n型カラム領域およびp型カラム領域の高アスペクト比化に伴いp型カラム領域の不純物濃度のばらつきに起因して、パワーMOSFETの耐圧が確保できなくなることを防ぐ。 【解決手段】p型カラム領域PC1と隣接するn型カラムNC1の側面に、p型半導体領域PR1を形成する。ここでは、n型カラム領域NC1の側面の上端から下端までの高さのうち、当該上端から半分程度の深さに亘ってp型半導体領域PR1を形成することで、p型半導体領域PR1とp型カラム領域PC1とを含むp型カラム領域全体の側面を傾ける。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018164034A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2017061394

申请日：2017-03-27

Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

Inventor： 山口 侑二 ,  基村 雅洋 ,  岸田 拓也 ,  杉岡 真治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/46 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 【課題】エッチングレートの変動を抑制し、複数枚の基板間におけるエッチング量のばらつきを低減する。 【解決手段】基板処理方法は、リン酸、硝酸、および水を含む混合液である混酸を加熱する混酸加熱工程と、P/Wモル比(混酸に含まれるリン酸のモル数/混酸に含まれる水のモル数)をモル比上限値とモル比下限値との間に維持するために、混酸に水を加えることによりP/Wモル比を低下させるモル比調節工程と、水が加えられた混酸を基板に供給することにより基板上の金属膜をエッチングするエッチング工程とを含む。 【選択図】図9A

公开(公告)号：JP2018523922A

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2018504876

申请日：2016-07-15

Applicant: ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド

Inventor： シュロン リアン ,  コステル ビロイウ ,  グレン エフ アール ギルクライスト ,  ヴィクラム シング ,  クリストファー キャンベル ,  リチャード ヘルテル ,  アレキサンダー コントス ,  ピエロ スファーラゾ ,  ズン リアン チェン

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 基板を処理する装置を提供する。この装置は、処理チャンバ内に配置された反応性ガス出口を有する反応性ガス源であって、反応性ガス出口は第1反応性ガスを基板へ指向させる反応性ガス源と;処理チャンバに結合され、第1方向に沿って延びる抽出開口を有する抽出プレートを含むプラズマチャンバと;基板を保持するように構成された基板ステージであって、処理チャンバ内に配置され、第1方向に直交する第2方向に沿って、反応性ガス源に対面する第1位置と抽出開口に対面する第2位置との間を移動可能な基板ステージと;反応性ガス出口と抽出開口との間に配置されたガス流量リストリクターであって、少なくともプラズマチャンバと基板ステージとの間に差動排気流路を規定するガス流量リストリクターとを含むことができる。

公开(公告)号：JP6373150B2

公开(公告)日：2018-08-15

申请号：JP2014203619

申请日：2014-10-02

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 柿本 明修 ,  早川 欣延 ,  水永 覚 ,  濱田 康弘 ,  岡田 充弘

IPC: C23C16/26 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：JP6363724B2

公开(公告)日：2018-07-25

申请号：JP2016556596

申请日：2015-10-28

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 朴 起永 ,  水谷 篤史

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/40 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L43/12 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

公开(公告)号：JP6362449B2

公开(公告)日：2018-07-25

申请号：JP2014135896

申请日：2014-07-01

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 篠原 正昭 ,  飯田 里志

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：JP2018060854A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016195608

申请日：2016-10-03

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 河本 達慶 ,  山中 達也 ,  金子 尚史

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 【課題】窒化物半導体層に対してドライエッチングにより形成された変質層を効率的に除去できる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。また、該製造方法により製造された窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体素子用基板は、AlxGa(1−x)N(0

公开(公告)号：JPWO2016167184A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2017512508

申请日：2016-04-08

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家 俊行 ,  島田 憲司

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D1/40 ,  C11D1/62 ,  C11D3/04 ,  C11D3/042 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111

Abstract: 本発明は、炭素含有シリコン酸化物(SiOC)を含む材料を有するウェハの製造工程において、ウェハ表面上のSiOCを除去するための洗浄液、およびそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。本発明の洗浄液は、フッ素化合物2質量%〜30質量%、アンモニウム塩またはアミンである特定のカチオン性界面活性剤0.0001質量%〜20質量%および水を含み、且つpH値が0〜4であることを特徴とする。

公开(公告)号：JP2018006706A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016136177

申请日：2016-07-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森北 信也 ,  伴瀬 貴徳 ,  瀬谷 祐太 ,  新妻 良祐

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H05H1/46

Abstract: 【課題】有機膜等の加工においてパターン形状の制御が行える技術を提供する。 【解決手段】一実施形態における方法MTの適用対象となるウエハWは被エッチング層ELと有機膜OLとマスクALMとを備え、有機膜OLは第1の領域VL1と第2の領域VL2とによって構成されマスクALMは第1の領域VL1上に設けられ第1の領域VL1は第2の領域VL2上に設けられ第2の領域VL2は被エッチング層EL上に設けられる。方法MTは、ウエハWが収容された処理容器12内において窒素ガスを含むガスのプラズマを生成して第1の領域VL1を第2の領域VL2に至るまでエッチングし、第1の領域VL1からマスクOLM1を形成し、マスクOLM1の側面SFに保護膜SXをコンフォーマルに形成し、第2の領域VL2を被エッチング層ELに至るまでエッチングして第2の領域VL2からマスクOLM2を形成する。 【選択図】図3