発光装置の作製方法
    54.
    发明专利
    発光装置の作製方法 审中-公开
    制造发光装置的方法

    公开(公告)号:JP2015173113A

    公开(公告)日:2015-10-01

    申请号:JP2015066188

    申请日:2015-03-27

    Abstract: 【課題】インクジェット方式による有機化合物層の形成を効率的に高速に処理することが可能な技術を提供する。 【解決手段】インクジェット方式による有機化合物層の形成方法において、インクヘッド601から発光性を有する有機化合物を含む組成物604を吐出して、連続した有機化合物層605を形成する。当該有機化合物層は、マトリクス状に配列した画素電極上に形成するものであり、複数の画素電極に渡って連続して有機化合物層を形成するものである。そして、この製造方法により有機発光素子を用いた発光装置を製造する。 【選択図】図6

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够通过喷墨系统高效地高效地形成有机化合物层的技术。解决方案:在通过喷墨系统形成有机化合物层的方法中,含有 具有发光性的有机化合物从墨头601排出,形成连续的有机化合物层605。 有机化合物层形成在排列成矩阵状的像素电极上,有机化合物层连续形成在多个像素电极上。 然后,通过该制造方法制造使用有机发光元件的发光装置。

    半導体記憶装置
    59.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020127053A

    公开(公告)日:2020-08-20

    申请号:JP2020085024

    申请日:2020-05-14

    Inventor: 荒井 康行

    Abstract: 【課題】集積度の高い半導体記憶装置を提供すること。または、電力が供給されない状況 でも記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供すること。または、書き込み可能な回 数が多い半導体記憶装置を提供すること。 【解決手段】メモリセルを二つのトランジスタと一つのキャパシタで構成し、これらのト ランジスタとキャパシタを立体的に配置することでメモリセルアレイの集積度を高める。 メモリセルに設けられるキャパシタの電荷量を制御するトランジスタをシリコンよりもバ ンドギャップの広いワイドギャップ半導体で形成しオフ電流を低減することによりキャパ シタに蓄積された電荷が漏出しないようにする。それにより電力が供給されない状況でも 記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供する。 【選択図】図1

    表示装置
    60.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020106854A

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:JP2020029370

    申请日:2020-02-25

    Abstract: 【課題】生産性に優れた表示装置を提供する。 【解決手段】開口部を有する絶縁体層105と、開口部内に設けられ、チャネル部を形成する半導体層106a、106bと、半導体層106a、106bとゲート絶縁膜104を間に介して重なるゲート電極103と、半導体層106a、106bと電気的に接続するソース電極107a、107b及びドレイン電極108a、108bと、を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続する第1の電極110a、110bと、第1の電極110a、110bと対向する第2の電極203と、第1の電極110a、110b及び第2の電極203の間に設けられたマイクロカプセル301を含む層と、を有する電気泳動表示装置である。 【選択図】図1

Patent Agency Ranking