公开(公告)号：JP2011515577A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：JP2010550698

申请日：2009-03-12

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ジョン ピピトン， ,  カール エム． ブラウン， ,  ダニエル ジェイ． ホフマン， ,  イング リュイ，

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/3471 ,  C23C14/50 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3444

Abstract: ワークピース上への材料のプラズマ支援物理的気相堆積において、金属ターゲットは、ワークピースの直径未満の、ターゲットからワークピースまでの間隔を横断してワークピースに面する。 キャリアガスは、チャンバー内に導入され、チャンバー内のガス圧力は、平均自由行程が前記間隔の５％未満である閾値圧力以上に維持される。 ＶＨＦ発生器からのＲＦプラズマ源電力は、ターゲットに容量結合プラズマを発生させるためにターゲットに印加され、そのＶＨＦ発生器は、３０ＭＨｚを越える周波数を有する。 プラズマは、ワークピースを通ってＶＨＦ発生器の周波数での第１のＶＨＦ大地帰還経路を提供することによってワークピースまで前記間隔を横断して広げられる。

Abstract translation: 在等离子体中将材料物理气相沉积到工件上时，金属靶在工件间距小于工件直径的工件间距对象。 将载气引入室中，并且室中的气体压力保持在平均自由程小于间隙的5％的阈值压力以上。 来自VHF发生器的RF等离子体源功率被施加到目标以在目标处产生电容耦合等离子体，VHF发生器具有超过30MHz的频率。 通过在VHF发生器的频率处提供穿过工件的第一VHF接地返回路径，等离子体跨越间隙延伸到工件。

公开(公告)号：JP2010285650A

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：JP2009139795

申请日：2009-06-11

Applicant: Mitsubishi Heavy Ind Ltd ,  三菱重工業株式会社

Inventor： MATSUDA RYUICHI ,  YOSHIDA KAZUTO ,  KONO YUICHI

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32577 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10S156/916

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for plasma treatment capable of reducing particles generated due to an inner potential of an inner cylinder disposed inside of a vacuum container. SOLUTION: The plasma treatment apparatus has, inside of a metal vacuum chamber 11, the inner cylinder 15 made of surface-alumited aluminum and a substrate disposed in a plasma diffusion region, and performs plasma treatment. A plurality of protruding portions 15a in point-contact with the vacuum chamber 11 is provided on a lower end portion of the inner cylinder 15, and an alumite film 16 on a leading end portion 15b of each of the protruding portion 15a is removed so as to electrically connect the inner cylinder to the vacuum chamber 11. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够减少由于设置在真空容器内部的内筒的内部电位而产生的颗粒的等离子体处理的装置和方法。 解决方案：等离子体处理装置在金属真空室11内部具有由表面氧化铝制成的内筒15和设置在等离子体扩散区中的基板，并进行等离子体处理。 在内筒15的下端部设置有与真空室11点接触的多个突出部15a，并且将每个突出部15a的前端部15b上的防蚀铝膜16除去， 将内筒电连接到真空室11.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010532099A

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：JP2010515010

申请日：2008-06-23

Applicant: ラム リサーチ コーポレーション

Inventor： ディンドサ，ラジンダー ,  マラクタノフ，アレクセイ

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577

Abstract: プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。 基材は、チャックの上方に配置され、エッジリングによって囲まれる。 エッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。 方法は、第１のＲＦ電力をチャックに提供することを含む。 また、方法は、エッジリングＲＦ電圧制御装置を提供することを含む。 エッジリングＲＦ電圧制御装置は、エッジリングに結合されて第２のＲＦ電力をエッジリングに提供し、エッジリング電位を有するエッジリングをもたらす。 方法は、さらに、基材を処理するためにプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生することを含む。 基材を処理する間、エッジリングＲＦ電圧制御装置がエッジリング電位を基材のＤＣ電位に実質的に等しくせしめるように構成されて、基材は処理される。
【選択図】図３

公开(公告)号：JP4547711B2

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：JP2008263567

申请日：2008-10-10

Applicant: 村田 正義

Inventor： 村田正義

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32165 ,  C23C16/24 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2006236867A

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：JP2005052085

申请日：2005-02-25

Applicant: Ngk Insulators Ltd ,  日本碍子株式会社

Inventor： TOMITA YASUMITSU ,  TSURUTA HIDEYOSHI

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32532 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32577 ,  H01J2237/0206

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To make plasma to be generated between an upper part electrode and a plasma treatment member even in the case when the frequency of high frequency electric power that is used is elevated in the plasma treatment member in which the plasma generating electrode is embedded in a ceramics base body. SOLUTION: The plasma treatment member 10 is provided with a ceramics base body 11, a plasma generating electrode 12 embedded in the ceramics base body 11 and an electric power supply member for the electrode connected to the plasma generating electrode 12, and in which an impedance when the plasma is generated using the high frequency electric power exceeding 13.56 MHz is adjusted to be 25 Ω or less. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：即使在等离子体处理部件中使用的高频电力的频率升高的情况下，也能够在上部电极和等离子体处理部件之间产生等离子体 发电电极嵌入陶瓷基体内。 解决方案：等离子体处理构件10设置有陶瓷基体11，嵌入陶瓷基体11中的等离子体产生电极12和用于连接到等离子体产生电极12的电极的电源构件，并且 使用超过13.56MHz的高频电力产生等离子体时的阻抗调节为25Ω以下。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2006511059A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：JP2004563595

申请日：2003-12-17

Applicant: ラム リサーチ コーポレーション

Inventor： コリソン，ウェンリ ,  ニ，トゥチァン

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67017

Abstract: A system and method for controlling plasma. The system includes a semiconductor chamber comprising a powered electrode, another electrode, and an adjustable coupling to ground circuit. The powered electrode is configured to receive a wafer or substrate. There is at least one grounded electrode configured to generate an electrical connection with the powered electrode. At least one of the grounded electrodes is electrically coupled to the adjustable coupling to ground circuit. The adjustable coupling to ground circuit is configured to modify the impedance of the grounded electrode. The ion energy of the plasma is controlled by the adjustable coupling to ground circuit.

公开(公告)号：JP2004193566A

公开(公告)日：2004-07-08

申请号：JP2003358425

申请日：2003-10-17

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： KOSHIISHI AKIRA ,  HIROSE JUN ,  OGASAWARA MASAHIRO ,  HIRANO TAICHI ,  SASAKI HIROMITSU ,  YOSHIDA TETSUO ,  SAITO MICHISHIGE ,  ISHIHARA HIROYUKI ,  OYABU ATSUSHI ,  NUMATA KOJI

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/00 ,  C23C16/509 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/31116

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a plasma processing system in which the loss of high frequency energy is reduced by enhancing the transmission efficiency of high frequency power supplied to an upper electrode. SOLUTION: An outer upper electrode 36 is supplied with high frequency power from a high frequency power supply 52 through a power supply tube 50. The power supply tube 50 is made of a conductive plate, e.g. an aluminium plate or a copper plate, having a tubular, conical or similar shape. The power supply tube 50 has a lower end connected continuously with the outer upper electrode 36 in the circumferential direction and an upper end connected electrically with the lower end part of an upper power supply rod 46 through a connector 48. On the outside of the power supply tube 50, the side wall of a chamber 10 extends above the height position of an upper electrode 34 thus constituting a tubular earth conductor 10a. In such an arrangement, the power supply tube 50, the outer upper electrode 36 and the tubular earth conductor 10a form a coaxial line where the formers (36, 50) serve as a waveguide in a load circuit viewed from the connector 48. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP2003530487A

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：JP2001575461

申请日：2001-04-12

Applicant: アイクストロン、アーゲー

Inventor： ケッペラー、ヨハネス ,  ストラウハ、ゲルト ,  フランケン、ヴァルター ,  ユルゲンセン、ホルガー

IPC: C23C16/509 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32577

Abstract: (57)【要約】 【課題】 損傷および気密不良を生じない貫通端子を簡単に組み立てることかできる反応室が提供される。 【解決手段】 ＣＶＤ法などの基板の皮膜生成法を実施する反応室について説明され、反応質には最低１つの外壁に少なくとも１つの開口部が設けられ圧力気密または真空気密のＨＦ貫通端子および特にＲＦ貫通端子が取り付けられる。 本発明による反応室は次の特長の組合せによって特徴付けられる。 すなわち、それぞれの開口部に支え板が気密で取り付けられ、支え板は少なくとも１つのＨＦ導体用開口部を備え、それぞれのＨＦ導体は、反応室内に配置される部分にカラーを備え第１のパッキングが設けられ、支え板の第２のパッキングとカラーの第１のパッキングの間に絶縁材料から構成される第１の円板が取り付けられ、それぞれのＨＦ導体の反応室の外側に配置される範囲はねじが設けられ、ＨＦ導体のカラーは装置において第１のパッキングによって絶縁円板に、第２のパッキングによって支え板に気密に取り付けられるて装置に保持され、ＨＦ導体と支え板の間に電気的な接触またはＨＦ導体と支え板の間に火花短絡を生ずることはない。

公开(公告)号：KR20210034704A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020217008661A

申请日：2010-08-31

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 라진더 딘드사 ,  아키라 코시시 ,  알렉세이 마라크타노프

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67011 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H05H1/46

Abstract: 기판의 프로세싱 동안 플라즈마 프로세싱 챔버의 프로세싱 챔버 내의 RF 전류에 저 임피던스 RF 복귀 경로를 제공하는 무선 주파수 (RF) 접지 복귀 장치가 제공된다. RF 접지 복귀 장치는 한정 링들의 세트를 포함하고, 한정 링들의 세트는 기판 프로세싱 동안 기판을 에칭하는 플라즈마를 유지하도록 구성되는 한정된 챔버 볼륨을 둘러싸도록 구성된다. RF 접지 복귀 장치는 또한 하부 전극 지지 구조체를 포함한다. RF 접지 복귀 장치는 또한 RF 콘택 인에블된 컴포넌트를 포함하며, RF 콘택 인에블된 컴포넌트는, 저 임피던스 RF 복귀 경로가 RF 전류를 RF 소스로 되돌아 복귀시키는 것을 용이하게 하도록 한정 링들의 세트와 하부 전극 지지 구조체 사이에 RF 콘택을 제공한다.

公开(公告)号：KR20210028137A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020207015190A

申请日：2019-06-18

Applicant: 엔지케이 인슐레이터 엘티디

Inventor： 도모히로 다카하시

IPC: H01J37/32 ,  C04B37/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01J37/32724 ,  B32B18/00 ,  C04B37/001 ,  C04B37/006 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/765 ,  C04B2237/80

Abstract: 웨이퍼 지지대(20)는, 원판형의 세라믹 기체(22)의 내부에 RF 전극(23)과 히터 전극(30)이 매설된 것이다. RF 전극(23)은, 웨이퍼 적재면(22a)을 복수로 분할한 존마다 마련된 복수의 RF 존 전극(24, 25)에 의해 구성되어 있다. RF 존 전극(24, 25)은, 웨이퍼 적재면(22a)로부터의 거리(높이)가 다른 2단으로 나누어 마련되어 있다. 히터 전극(30)은, 웨이퍼 적재면(22a)을 RF 존 전극(24, 25)과 동일하거나 또는 다르게 복수로 분할한 존마다 마련된 히터 존 전극(31, 32)에 의해 구성되어 있다.