公开(公告)号：JP2013122569A

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：JP2012123573

申请日：2012-05-30

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  TAKIZAWA HIROO

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F12/22 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2002 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  G03F1/24 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  C08F212/08 ,  C08F220/32 ,  C08F220/36

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition allowing formation of a pattern that satisfies demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, excellent pattern shape and minute line edge roughness (LER)) and favorable dry etching resistance, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition, a mask blank having the film, and a method for forming a pattern, and more particularly, to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition exhibiting high resolving power in the formation of a fine isolated pattern through exposure using electron beams or extreme ultraviolet rays.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes a compound (A) having a structure (P) having at least one phenolic hydroxyl group and a structure (Q) having at least one phenolic hydroxyl group whose hydrogen atom is replaced by a group (S) having a cyclic structure containing an acid crosslinking group. The group (S) having a cyclic structure containing an acid crosslinking group is a group having a polycyclic structure or a cyclic structure containing a hydroxymethyl group and/or an alkoxymethyl group.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供能够形成满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异的图案形状和细线边缘）要求的图案的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物 粗糙度（LER））和良好的耐干蚀刻性，并且使用该组合物提供光化学敏感或辐射敏感的膜，具有该膜的掩模坯料和形成图案的方法，更具体地，提供一种 光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，通过使用电子束或极紫外线曝光，在形成精细隔离图案时具有高分辨能力。 光敏射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物包括具有至少一个酚羟基的结构（P）的化合物（A）和具有至少一个酚羟基的结构（Q），其氢 原子被具有含有酸交联基团的环状结构的基团（S）所取代。 含有酸交联基团的环状结构的基团（S）是具有多环结构的基团或含有羟甲基和/或烷氧基甲基的环状结构的基团。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5216573B2

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：JP2008331732

申请日：2008-12-26

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 敬充 冨賀 ,  佳奈 藤井 ,  徹 土橋 ,  一良 水谷 ,  滋郎 横山 ,  真一 杉山 ,  修史 平野 ,  亨 藤森

IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F214/18 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/32 ,  C08F2220/282 ,  C08K5/375 ,  C08K5/42 ,  C08L33/068 ,  C08L51/04 ,  C08L67/02 ,  C09D125/14 ,  C09D125/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  C08F212/14 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/185 ,  C08F220/14

摘要： According to one embodiment, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes (A) a resin containing the repeating units of formulae (I), (II) and (III) that when acted on by an acid, becomes soluble in an alkali developer, and (B) a compound that when irradiated with actinic rays or radiation, generates a fluorine-containing acid, wherein each of R1 independently represents a hydrogen atom or an optionally substituted methyl group, R2 represents a halogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, an optionally substituted aryl group or an optionally substituted aralkyl group, and n is an integer of 0 to 5, provided that when n is 2 or greater, multiple R2s may be identical to or different from each other.

公开(公告)号：JPWO2011074433A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：JP2011546063

申请日：2010-12-06

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 有亮 堀口 ,  有亮 堀口 ,  真紀子 梅嵜 ,  真紀子 梅嵜 ,  徳昌 藤谷 ,  徳昌 藤谷 ,  裕和 西巻 ,  裕和 西巻 ,  高広 岸岡 ,  岸岡　　高広 ,  貴広 浜田 ,  貴広 浜田

IPC分类号： G03F7/095 ,  C07C69/767 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/56 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F220/56 ,  G03F7/038 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  C08F2220/1858 ,  C08F220/58 ,  C08F2220/1891 ,  C08F2220/1833 ,  C08F2220/585

摘要： 【課題】上塗りフォトレジストの溶剤に対してレジスト下層膜中の光酸発生剤が溶出することがなく、フォトレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】下記式(1)、式(2)及び式(3):で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーを構成する全ての単位構造の総モル数を1.0としたときに、式(1)で表される単位構造のモル数(a)の割合、式(2)で表される単位構造のモル数(b)の割合、式(3)で表される単位構造のモル数(c)の割合が、0.20≦a≦0.90、0.05≦b≦0.60、0.001≦c≦0.40の範囲内にあるポリマーであり、且つ重量平均分子量が3,000乃至100,000であるポリマー(A)、架橋性化合物(D)、光酸発生剤(E)及び溶剤(F)を含むリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物。

公开(公告)号：JP2013041160A

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：JP2011178534

申请日：2011-08-17

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： TAKAHASHI TOSHIYA ,  TSUBAKI HIDEAKI ,  TAMAKI HIROSHI ,  HIRANO SHUJI ,  TAKIZAWA HIROO

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F12/24 ,  C08F20/18 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08F12/30 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/32 ,  C08F212/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  C08F212/32 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/16

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of achieving high sensitivity, a good pattern shape, good roughness characteristics and good pattern density-dependent characteristics, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film and a pattern forming method using the composition.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a resin (P) having a repeating unit (A) containing a group that is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid and a repeating unit (B) containing a group that is decomposed by an action of an acid to increase solubility in an alkali developing solution; and a compound (Q) expressed by general formula (1). Each symbol in general formula (1) conforms to the claims and specification of the present invention.

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够实现高灵敏度，良好的图案形状，良好的粗糙度特性和良好的图案密度依赖特性的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，并且提供光化学射线敏感性， 敏感或辐射敏感树脂膜和使用该组合物的图案形成方法。 光敏射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物包含：具有重复单元（A）的树脂（P），该重复单元（A）含有通过用光化射线或辐射照射而分解产生酸的基团和重复 单元（B），其含有通过酸的作用分解以增加在碱性显影溶液中的溶解度的基团; 和由通式（1）表示的化合物（Q）。 通式（1）中的每个符号符合本发明的权利要求书和说明书。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013029564A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：JP2011163933

申请日：2011-07-27

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： HATAKEYAMA JUN ,  HASEGAWA KOJI

IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F220/16 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F12/22 ,  C08F24/00 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  C08F220/24 ,  C08F220/30 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/38 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  C08F2220/282 ,  C08F232/04 ,  C08F220/38 ,  C08F220/16 ,  C08F2220/301 ,  C08F234/02 ,  C08F220/18

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist material for forming a resist film that has higher resolution than conventional positive resist materials, causes low edge roughness, achieves a favorable pattern profile after exposure, and exhibits high etching durability, in particular, a positive resist material using a polymer composition suitable as base resin for a chemically amplified positive resist material, and a pattern forming method.SOLUTION: The positive resist material includes a resin as a base resin, in which a hydrogen atom of a carboxyl group is substituted with an acid-labile group expressed by general formula (1). In the formula, A represents -(CR)-; B represents -(CR)-; Rand Reach represents a hydrogen atom or an alkyl group and the two of Ror two of Rmay be coupled with each other to form a ring; m and n represent 1 or 2; Rrepresents an alkyl group, alkoxy group, alkanoyl group, alkoxycarbonyl group, hydroxy group, nitro group, aryl group, halogen atom or cyano group; Rrepresents an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group or aryl group, optionally having an oxygen atom or a sulfur atom; and p represents an integer of 0 to 4. The positive resist material shows significantly high contrast in an alkali dissolution rate before and after exposure, has high resolution, gives a favorable pattern profile and favorable edge roughness after exposure, and moreover suppresses an acid diffusion rate and exhibits high etching durability.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供用于形成抗蚀剂膜的正性抗蚀剂材料，其具有比常规正性抗蚀剂材料更高的分辨率，导致低边缘粗糙度，在曝光后获得良好的图案轮廓，并且表现出高的蚀刻耐久性，特别是 使用适合作为化学增幅正性抗蚀剂材料的基础树脂的聚合物组合物的正型抗蚀剂材料和图案形成方法。 解决方案：正型抗蚀剂材料包括其中羧基的氢原子被通式（1）表示的酸不稳定基团取代的基础树脂的树脂。 在公式中，A表示 - （CR 2 2 ） m ; B表示 - （CR 5 2 ） n R 2 和R 5 分别表示氢原子或烷基，R 2 或R 5 中的两个可以彼此耦合以形成环; m和n表示1或2; R 6表示烷基，烷氧基，烷酰基，烷氧基羰基，羟基，硝基，芳基，卤素原子或氰基。 R“表示任选具有氧原子或硫原子的烷基，烯基，炔基或芳基; p表示0〜4的整数。正性抗蚀剂材料在曝光前后的碱溶解速度显示显着高的对比度，分辨率高，曝光后具有良好的图案轮廓和良好的边缘粗糙度，并且还抑制酸扩散 速率并且表现出高蚀刻耐久性。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013029554A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：JP2011163680

申请日：2011-07-26

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  YAO TADATERU

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F12/22 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08F12/24 ,  C08F12/18 ,  C08F12/20 ,  C08F12/30 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  C09D125/18 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0382

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemically amplified resist composition allowing formation of a pattern that simultaneously satisfies demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile, and small line edge roughness (LER)), and good dry-etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blanks, and a method for forming a resist pattern using the composition.SOLUTION: The chemically amplified resist composition contains a polymeric compound (A) having a phenolic hydroxyl group and a group derived by substituting a hydrogen atom of a hydroxyl group in a phenolic hydroxyl group with a substituent and simultaneously satisfying the following conditions (a) to (c). The polymeric compound satisfies: (a) a dispersion degree of 1.2 or less; (b) a weight average molecular weight of 2000 or more and 6500 or less; and (c) a glass transition temperature (Tg) of 140°C or higher.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够形成同时满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异的图案轮廓和小线边缘粗糙度（LER）的要求）的图案的化学放大抗蚀剂组合物 ））和良好的干蚀刻耐久性，以及提供抗蚀剂膜，抗蚀剂涂覆掩模坯料以及使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法。 解决方案：化学放大抗蚀剂组合物含有具有酚羟基的聚合化合物（A）和通过用取代基取代酚性羟基中的羟基的氢原子衍生的基团，同时满足以下条件（ a）至（c）。 聚合物满足：（a）分散度为1.2以下; （b）重均分子量为2000以上且6500以下; 和（c）玻璃化转变温度（Tg）为140℃以上。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012530754A

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：JP2012516685

申请日：2010-06-21

申请人： ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション

发明人： ヤートン・チャン ,  カルロス・ズニガ ,  ガエル・デシェイズ ,  ジュリー・リロイ ,  スティーブン・バーロー ,  セス・アール・マーダー ,  シュヤン・ヒ ,  スン−ジン・キム ,  バーナード・キプラン

IPC分类号： C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C08F12/26 ,  C08F20/36 ,  C08F32/08 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC分类号： C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C08F12/14 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/32 ,  C08F120/36 ,  C08F220/36 ,  C08F232/08 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/418 ,  C09D125/18 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5016 ,  H05B33/20 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32

摘要： 本明細書に記載し、開示され、説明されている本発明は、ゲストのリン光を発する金属錯体のための両極性小分子ホスト材料に関する。 この両極性小分子の製造方法も記載されている。 オキサジアゾールおよび1つまたは複数のカルバゾール基の両方を含むこれらの両極性小分子は、(I) R
1 、R
2 、およびR
3 基の少なくとも1つが、場合によって置換されていてもよいカルバゾール基である本発明の材料を含んでいる予想外に効率的なOLEDデバイスの発光層を作製するために使用することができる。

公开(公告)号：JP2012203238A

公开(公告)日：2012-10-22

申请号：JP2011068467

申请日：2011-03-25

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： DOBASHI TORU ,  YAO TADATERU ,  TAKAHASHI KOTARO ,  TSUCHIMURA TOMOTAKA

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F12/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/20 ,  C08F8/14 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08J3/24 ,  C08J2325/18 ,  G03F1/50 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/143 ,  C08F212/32

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist pattern forming method capable of forming a pattern satisfying high sensitivity, high resolution property (for example, high resolution, excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching resistance all the same time, a resist pattern, a crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, a resist film and resist-coated mask blanks.SOLUTION: A resist pattern forming method contains: in the following order, (1) forming a resist film by using a negative chemical amplification resist composition containing (A) a polymer compound having a repeating unit that has a structure where a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group is replaced by a group having a non-acid-decomposable polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and (C) a crosslinking agent capable of crosslinking the polymer compound (A) by an action of an acid; (2) exposing the resist film; and (4) developing the exposed resist film by using a developer containing an organic solvent. Further provided are a resist pattern, a crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, a resist film and resist-coated mask blanks.

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够形成满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异的图案轮廓和小线边缘粗糙度（LER））的图案的抗蚀剂图案形成方法和良好的干蚀刻 抗蚀剂图案，用于有机溶剂显影的可交联负极化学放大抗蚀剂组合物，抗蚀剂膜和抗蚀涂层掩模毛坯。 解决方案：抗蚀剂图案形成方法包括：（1）通过使用含有（A）具有重复单元的高分子化合物的负极化学放大抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，所述重复单元具有如下结构：氢 酚羟基的原子被具有非酸可分解的多环脂族烃结构的基团代替，（B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物和（C）能够 通过酸的作用使高分子化合物（A）交联; （2）曝光抗蚀膜; 和（4）通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的抗蚀剂膜。 进一步提供抗蚀剂图案，用于有机溶剂显影的可交联负性化学增强抗蚀剂组合物，抗蚀剂膜和抗蚀剂涂布的掩模毛坯。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5045759B2

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：JP2009534325

申请日：2008-09-24

申请人： Jsr株式会社

发明人： 敦 中村 ,  毅由 安陪 ,  祐亮 庵野 ,  誠 杉浦 ,  智樹 永井 ,  剛史 若松

IPC分类号： G03F7/40 ,  C08F212/14 ,  C08F220/38 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/40 ,  C08F214/18 ,  C08F220/58 ,  C08F212/14 ,  C08F2220/387 ,  C08F220/22

摘要： Disclosed is a resin composition which enables the smooth shrinkage of a resist pattern by heat treatment and can be removed readily by the treatment with an aqueous alkali solution. Specifically disclosed is a resin composition for forming a fine pattern, which is intended to be used for making a fine resist pattern and comprises a resin, a crosslinking component and an alcohol solvent, wherein the resin has a repeating unit (I) having a side chain represented by the formula (1), a repeating unit (II) having a hydroxy group as a side chain and a repeating unit (III) that is a styrene derivative. (1) wherein R, R' and R'' independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxymethyl group, a trifluoromethyl group, or a phenyl group; A represents a single bond, an oxygen atom, a carbonyl group, a carbonyloxy group, or an oxycarbonyl group; B represents a single bond, or a bivalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Rf represents a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted by a fluorine atom.

公开(公告)号：JP5014482B2

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：JP2010259291

申请日：2010-11-19

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 仁 板橋 ,  敬 見目

IPC分类号： C08F220/58 ,  C08F212/14 ,  G03G9/097

CPC分类号： C08F212/08 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F220/58 ,  C08G63/918 ,  G03G9/08706 ,  G03G9/08708 ,  G03G9/08722 ,  G03G9/08726

摘要： To obtain a resin for toners, or a toner, which is superior in the quickness in its rise of charging to a sufficient charge quantity in a short time, in the stability of charging that extends from the initial stage up to the printing on a large number of sheets, and in the stability of charging that comes in a high-temperature and high-humidity environment. As a charge control resin, it is characterized by containing a specific unit having sulfonic acid or a sulfonate as a substituent and a specific unit having a salicylic acid derivative.