利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

10 条记录 (耗时 0.042 秒)

    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and resist film, resist coated mask blank, method for forming resist pattern, and photomask using the same
    2.
    发明专利
    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and resist film, resist coated mask blank, method for forming resist pattern, and photomask using the same 有权
    丙烯酸类敏感性或辐射敏感性组合物，耐腐蚀膜，耐蚀涂层掩模，形成耐蚀图案的方法和使用其的光电子

    公开(公告)号：JP2013205812A

    公开(公告)日：2013-10-07

    申请号：JP2012078094

    申请日：2012-03-29

    申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    发明人： TSURUTA TAKUYA ,  TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  INAZAKI TAKESHI ,  TAKAHASHI KOTARO

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F8/00 ,  C08F12/24 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, from which a pattern can be formed satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)), high stability with time, good dry etching durability and little production of scum, and to provide a resist film, a resist coated mask blank, a method for forming a resist pattern and a photomask using the above composition.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition comprises (A) a compound expressed by general formula (I) and (B) a compound that generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation. In general formula (I), Rrepresents an alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or group having a silicon atom; Rand Reach independently represent a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, alkylsulfonyl group, aryl sulfonyl group or heterocyclic group; Rto Reach independently represent a hydrogen atom or a monovalent substituent; and A represents a monovalent organic group.

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提供光敏性或辐射敏感性组合物，可以形成满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异的图案轮廓和小线边缘粗糙度 LER）），高稳定性随时间变化，良好的干蚀刻耐久性和少量的浮渣产生，并且提供抗蚀剂膜，抗蚀剂涂布掩模毛坯，使用上述组合物形成抗蚀剂图案的方法和光掩模。解决方案： 光化射线敏感或辐射敏感组合物包含（A）由通式（I）表示的化合物和（B）通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物。 在通式（I）中，R表示烷基，环烷基，烯基，炔基，芳基或具有硅原子的基团; 兰德接触独立地表示氢原子，烷基，环烷基，烯基，炔基，芳基，烷基磺酰基，芳基磺酰基或杂环基; Rto Reach独立地表示氢原子或一价取代基; A表示一价有机基团。

    Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film, photomask blank and method of forming pattern
    3.
    发明专利
    Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film, photomask blank and method of forming pattern 有权
    抗紫外线或辐射敏感性树脂组合物，抗紫外线或辐射敏感膜，光电隔离膜和形成图案的方法

    公开(公告)号：JP2013182189A

    公开(公告)日：2013-09-12

    申请号：JP2012046807

    申请日：2012-03-02

    申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    发明人： TAKAHASHI KOTARO

    IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F12/22 ,  C08F20/12 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0388 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition excellent in sensitivity, resolution and roughness characteristics from which a pattern with favorable shape can be formed.SOLUTION: Provided is an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition including (A) a resin decomposed by the action of an acid to increase its alkali solubility, which resin comprises at least one of a repeating unit (I) represented by the specified general formula (I) and a repeating unit (II) represented by the specified general formula (II), (B) an onium salt based acid generator that generates, upon exposure to an actinic ray or radiation, a sulfonic acid whose volume is 250 Åor greater and less than 350 Å, and (C) an onium salt based acid generator that generates, upon exposure to an actinic ray or radiation, a sulfonic acid whose volume is 400 Åor greater.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供灵敏度，分辨率和粗糙度特性优异的光化射线或辐射敏感性树脂组合物，可以形成具有良好形状的图案。解决方案：提供光化学射线或辐射敏感的 树脂组合物，其包含（A）通过酸的作用而分解以增加其碱溶性的树脂，该树脂包含由指定的通式（I）表示的重复单元（I）和重复单元（II）中的至少一种， 由式（II）表示的（B）鎓盐酸产生剂，其在暴露于光化学射线或辐射时产生体积为250或更大且小于350的磺酸，（C） 一种基于盐的酸产生剂，其在暴露于光化射线或辐射时产生其体积为400或更大的磺酸。

    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, and pattern forming method
    4.
    发明专利
    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, and pattern forming method 有权
    化学敏感性或辐射敏感性树脂组合物，使用其的耐腐蚀膜和图案形成方法

    公开(公告)号：JP2011175230A

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：JP2010190109

    申请日：2010-08-26

    申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    发明人： INAZAKI TAKESHI ,  ITO TAKAYUKI ,  TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  YAO TADATERU ,  TAKAHASHI KOTARO

    IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F12/14 ,  C08F20/10 ,  H01L21/027

    CPC分类号： C08F8/00 ,  C08F8/02 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  C08F112/14

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution and good dry etching resistance even in the formation of an isolated pattern, to provide a resist film using the composition, and to provide a pattern forming method. SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a resin (P) having a repeating unit represented by general formula (1), wherein R 1 to R 3 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, L 1 represents an arylene group, M 1 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, an alkenylene group, -O-, -S- or a group comprising a combination of two or more of these members, X represents a group containing a plurality of aromatic rings, and the plurality of aromatic rings are condensed to form a polycyclic structure or connected to each other through a single bond. The resist film using the composition and the pattern forming method are also provided. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提供能够形成同时满足高灵敏度，高分辨率和良好的耐干蚀刻性的图案的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，即使在形成隔离图案时，提供一种 使用该组合物的抗蚀剂膜，并提供图案形成方法。 光解射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物含有具有通式（1）表示的重复单元的树脂（P），其中R 1 〜R 3 各自独立地表示氢原子或一价取代基，L 1表示亚芳基，M 1表示亚烷基，亚环烷基，亚烯基 ，-O - ， - S-或包含这些成员中的两个或更多个的组合的基团，X表示含有多个芳环的基团，并且多个芳环被缩合形成多环结构或连接到每个 其他通过单一债券。 还提供了使用组合物和图案形成方法的抗蚀剂膜。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Chemically amplified positive resist composition, and resist film, resist coated mask blank, resist pattern formation method, and photomask using the same
    5.
    发明专利
    Chemically amplified positive resist composition, and resist film, resist coated mask blank, resist pattern formation method, and photomask using the same 审中-公开
    化学放大的正极性组合物，耐蚀膜，耐蚀涂层掩模，耐蚀图案形成方法和使用它的光电子

    公开(公告)号：JP2013182191A

    公开(公告)日：2013-09-12

    申请号：JP2012046854

    申请日：2012-03-02

    申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    发明人： INAZAKI TAKESHI ,  TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  TSURUTA TAKUYA ,  TAKAHASHI KOTARO

    IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C309/71 ,  C07C309/73 ,  C07C309/77 ,  C07D217/08 ,  C07D317/24 ,  C08F8/12 ,  C08F20/20 ,  C08F112/14 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a chemically amplified positive resist composition which can satisfy high sensitivity, high resolving power, a preferable pattern cross-sectional shape and a preferable roughness property in forming an isolated line pattern; and a resist film, a resist coated mask blank, a resist pattern formation method, and a photomask which use the composition.SOLUTION: Provided is a chemically amplified positive resist composition containing: (A) a compound represented by the specified general formula (1); and (B) a compound having a phenolic hydroxyl group and a group which has a group represented by the specified general formula (2) or (3) substituted for a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group. Also provided are a resist film, a resist coated mask blank, a resist pattern formation method, and a photomask which use the composition. In the specified general formula (1), Z represents a monovalent organic group. In the specified general formulas (2) and (3), Qand Qrepresent an alkyl group or an aryl group.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供：在形成隔离线图案时，能够满足高灵敏度，高分辨能力，优选的图案截面形状和优选的粗糙度特性的化学放大型正性抗蚀剂组合物; 以及使用该组合物的抗蚀剂膜，抗蚀剂涂布掩模板，抗蚀剂图案形成方法和光掩模。解决方案：提供一种化学放大正型抗蚀剂组合物，其包含：（A）由特定通式（1）表示的化合物 ）; 和（B）具有酚羟基的化合物和具有由通式（2）或（3）表示的基团取代酚羟基的氢原子的基团。 还提供了使用该组合物的抗蚀剂膜，抗蚀剂涂布的掩模坯料，抗蚀剂图案形成方法和光掩模。 在通式（1）中，Z表示一价有机基团。 在指定的通式（2）和（3）中，Q和Q表示烷基或芳基。

    Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, resist film and resist-coated mask blanks
    7.
    发明专利
    Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, resist film and resist-coated mask blanks 有权
    电阻图案形成方法，电阻图案，有机溶剂发展的可交联负极化学放大电阻组合物，电阻膜和电阻涂层掩模

    公开(公告)号：JP2012203238A

    公开(公告)日：2012-10-22

    申请号：JP2011068467

    申请日：2011-03-25

    申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    发明人： DOBASHI TORU ,  YAO TADATERU ,  TAKAHASHI KOTARO ,  TSUCHIMURA TOMOTAKA

    IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F12/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/20 ,  C08F8/14 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08J3/24 ,  C08J2325/18 ,  G03F1/50 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/143 ,  C08F212/32

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist pattern forming method capable of forming a pattern satisfying high sensitivity, high resolution property (for example, high resolution, excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching resistance all the same time, a resist pattern, a crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, a resist film and resist-coated mask blanks.SOLUTION: A resist pattern forming method contains: in the following order, (1) forming a resist film by using a negative chemical amplification resist composition containing (A) a polymer compound having a repeating unit that has a structure where a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group is replaced by a group having a non-acid-decomposable polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and (C) a crosslinking agent capable of crosslinking the polymer compound (A) by an action of an acid; (2) exposing the resist film; and (4) developing the exposed resist film by using a developer containing an organic solvent. Further provided are a resist pattern, a crosslinkable negative chemical amplification resist composition for organic solvent development, a resist film and resist-coated mask blanks.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够形成满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异的图案轮廓和小线边缘粗糙度（LER））的图案的抗蚀剂图案形成方法和良好的干蚀刻 抗蚀剂图案，用于有机溶剂显影的可交联负极化学放大抗蚀剂组合物，抗蚀剂膜和抗蚀涂层掩模毛坯。 解决方案：抗蚀剂图案形成方法包括：（1）通过使用含有（A）具有重复单元的高分子化合物的负极化学放大抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，所述重复单元具有如下结构：氢 酚羟基的原子被具有非酸可分解的多环脂族烃结构的基团代替，（B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物和（C）能够 通过酸的作用使高分子化合物（A）交联; （2）曝光抗蚀膜; 和（4）通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的抗蚀剂膜。 进一步提供抗蚀剂图案，用于有机溶剂显影的可交联负性化学增强抗蚀剂组合物，抗蚀剂膜和抗蚀剂涂布的掩模毛坯。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
    8.
    发明专利
    感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス 审中-公开
    丙烯酸类敏感性或辐射敏感性树脂组合物，使用该抗静电树脂组合物的电阻膜，耐光涂层掩模，光电子图案，图案形成方法，制造电子器件的方法和电子设备

    公开(公告)号：JP2015031850A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：JP2013161902

    申请日：2013-08-02

    申请人： 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

    发明人： YOKOGAWA NATSUMI ,  TSURUTA TAKUYA ,  TAKAHASHI KOTARO ,  IWATO KAORU

    IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F12/24 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    摘要： 【課題】極微細領域(例えば、スペース幅50nm以下の領域)の孤立パターンにおける解像性、及び、PED安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。【解決手段】(A)フェノール性水酸基を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により体積200Å3以上の大きさの酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び、(D)フェノール性水酸基を有する低分子化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提供在超细区域（例如，空间宽度为50nm以下的区域）中分离图案的分辨率优异的光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物，并且PED优异（ 曝光后延迟）稳定性，并提供使用上述组成的抗蚀剂膜，抗蚀剂涂覆掩模毛坯，光掩模和图案形成方法，以及电子器件的制造方法和电子器件。解决方案：光化学 射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含（A）具有酚羟基的聚合物，（B）通过用光化射线或辐射照射而产生体积为200或更大的体积的酸的化合物，（C） 交联剂和（D）具有酚羟基的低分子量化合物。

    Chemically amplified negative resist composition, resist film using the same, resist coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask
    9.
    发明专利
    Chemically amplified negative resist composition, resist film using the same, resist coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask 审中-公开
    化学增容的负极性组合物，使用它的电阻膜，电阻涂层掩模，电阻图案形成方法和光电子

    公开(公告)号：JP2013156388A

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：JP2012015968

    申请日：2012-01-27

    申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    发明人： TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  INAZAKI TAKESHI ,  TSURUTA TAKUYA ,  TAKAHASHI KOTARO ,  YAO TADATERU

    IPC分类号： G03F7/038 ,  C07C309/71 ,  C07C309/73 ,  C07C309/77 ,  C07D217/08 ,  C07D251/70 ,  C07D285/00 ,  C07D295/22 ,  C07D327/08 ,  C07D487/04 ,  C08F12/24 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a chemically amplified negative resist composition which can form a pattern simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution (e.g., high resolving power, excellent pattern shape, and small line edge roughness (LER)) and satisfactory dry etching resistance, and which has excellent scum characteristics and excellent temporal stability; a resist film using the composition; a resist coated mask blank; a resist pattern forming method; and a photomask.SOLUTION: The chemically amplified negative resist composition contains (A) a compound represented by the specified general formula (I), (B) a compound having a phenolic hydroxyl group, (C) a compound to generate an acid by exposure to an actinic or radioactive ray, and (D) a crosslinking agent. In the general formula (I), each of Rto Rrepresents a hydrogen atom or a substituent. Two or more of Rto Rmay be bound to each other to form a ring. A represents a monovalent organic group.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供：可以形成同时满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异图案形状和小线边缘粗糙度（LER））的图案的化学放大型负型抗蚀剂组合物和令人满意的干蚀刻 电阻，具有优异的浮渣特性和优异的时间稳定性; 使用该组合物的抗蚀剂膜; 抗蚀剂涂层面罩坯料; 抗蚀剂图案形成方法; 和光掩模。解决方案：化学放大型负光刻胶组合物含有（A）由指定的通式（I）表示的化合物，（B）具有酚羟基的化合物，（C）通过曝光产生酸的化合物 到光化学或放射线，和（D）交联剂。 通式（I）中，R〜R各自表示氢原子或取代基。 两个或更多的Rto Rmay彼此绑定形成戒指。 A表示一价有机基团。