公开(公告)号：JP6704167B2

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：JP2016056306

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 ,  C23C16/448

公开(公告)号：JP6704133B2

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：JP2016056304

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  廣木 一亮 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/316 ,  C23C20/06 ,  C23C16/448

公开(公告)号：JP2020074443A

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2020007984

申请日：2020-01-22

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人羅 俊実 ,  織田 真也 ,  高塚 章夫

IPC: H01L21/368 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/24 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/329 ,  C30B25/14 ,  C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L33/42 ,  H01L21/365

Abstract: 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに前記結晶性半導体膜または前記板状体を含む半導体構造を備える半導体装置。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2020036041A

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：JP2019205166

申请日：2019-11-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人羅 俊実 ,  織田 真也 ,  高塚 章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】半導体特性に優れ、特に、導電性の制御容易性に優れ、縦方向導通が可能であり、良好な電気特性を有している結晶性積層構造体を提供する。 【解決手段】一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている積層構造体であって、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1または2以上の金属を含む酸化物半導体であり、さらに、一軸に配向している。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6651685B2

公开(公告)日：2020-02-19

申请号：JP2015118587

申请日：2015-06-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  徳田 梨絵 ,  谷川 幸登 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 ,  H01L21/365

公开(公告)号：JPWO2018084304A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：JP2017040039

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： ▲高▼橋 勲 ,  四戸 孝 ,  徳田 梨絵 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  C30B29/16

Abstract: 電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を提供する。ミストCVD装置を用いて、ドーパントを含む原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内のa面又はm面コランダム構造結晶基板近傍に搬送し、ついで成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、結晶基板上に、コランダム構造を有し、主面がa面又はm面であり、前記ドーパントがn型ドーパントである結晶性酸化物半導体膜を得る。

公开(公告)号：JP2019189503A

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：JP2018086388

申请日：2018-04-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  独立行政法人国立高等専門学校機構

Inventor： 香取 重尊 ,  井川 拓人 ,  四戸 孝

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/174 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C26/00 ,  C01B32/168

Abstract: 【課題】良質なカーボンナノチューブ含有膜を工業的有利に形成でき、さらに、容易に蛍光ピーク波長の調整が可能である新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】カーボンナノチューブと溶媒とを少なくとも含む原料溶液4aを反応させてカーボンナノチューブ含有膜を成膜する方法において、前記原料溶液を霧化し(霧化工程)、得られたミスト4bにキャリアガスを供給し、該キャリアガスでもって前記ミストを基体まで搬送し(搬送工程)、ついで、前記基体上で前記ミストを反応させる(成膜工程)ことにより該基体上にカーボンナノチューブ含有膜を形成する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6573206B2

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：JP2018204422

申请日：2018-10-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人羅 俊実 ,  織田 真也 ,  高塚 章夫

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/14 ,  H01L21/368 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/739 ,  H01L33/16 ,  H01L33/26 ,  H01L33/36 ,  H01L21/365 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6547930B2

公开(公告)日：2019-07-24

申请号：JP2014176649

申请日：2014-08-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/28 ,  C23C16/18

公开(公告)号：JP2019119931A

公开(公告)日：2019-07-22

申请号：JP2018242166

申请日：2018-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取 重尊 ,  四戸 孝 ,  井川 拓人

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/448

Abstract: 【課題】霧化または液滴化が困難な材料を用いた場合であっても、良好且つ安定的に基体を処理することができる新規な処理方法を提供する。 【解決手段】溶媒と処理剤とを少なくとも含む原料溶液4aを霧化または液滴化してミストまたは液滴4bを発生させる霧化・液滴化工程と、キャリアガス2aをミストまたは液滴4bに供給し、該キャリアガス2aでもってミストまたは液滴4bを基体10まで搬送する搬送工程と、ミストまたは液滴4bを基体10上で熱反応させる反応工程とを含む処理方法において、前記霧化・液滴化工程の前に、原料溶液4aにホモジナイズ処理を行い、さらに、前記熱反応を前記溶媒の沸点以上の温度で行って、基体を処理する処理方法。 【選択図】図1