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公开(公告)号：JP2021073686A
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2020218348
申请日：2020-12-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L27/1156 , H01L29/786
Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置において、トランジスタ180、190は、酸化物半導体層144aと、酸化物半導体層と接するソース電極141a及びドレイン電極141bと、酸化物半導体層と重なるゲート電極148と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層146と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層150aと、を有する。酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極及びドレイン電極と接し、且つ、該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極及びドレイン電極と接する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6488358B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2017207016
申请日：2017-10-26
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242
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公开(公告)号：JP2019023734A
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2018157504
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。 【解決手段】基板上に逆スタガ型のTFT120上に無機材料から成る第1の層間絶縁層114と、第1の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第2の層間絶縁層115と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極118とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第2の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を5枚とすることができる。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6416844B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2016196942
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336 , H05B33/28 , H01L51/50 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133553 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02686 , H01L21/3003 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/66537 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78678 , H01L29/78684 , H01L29/78696
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018133581A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2018082971
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 荒井 康行
IPC: H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/8239 , H01L27/108 , H01L27/10832 , H01L27/10835 , H01L27/1156 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: 【課題】集積度の高い半導体記憶装置を提供すること。または、電力が供給されない状況 でも記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供すること。または、書き込み可能な回 数が多い半導体記憶装置を提供すること。 【解決手段】メモリセルを二つのトランジスタと一つのキャパシタで構成し、これらのト ランジスタとキャパシタを立体的に配置することでメモリセルアレイの集積度を高める。 メモリセルに設けられるキャパシタの電荷量を制御するトランジスタをシリコンよりもバ ンドギャップの広いワイドギャップ半導体で形成しオフ電流を低減することによりキャパ シタに蓄積された電荷が漏出しないようにする。それにより電力が供給されない状況でも 記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6349427B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2017043381
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
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公开(公告)号：JP6261655B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2016110574
申请日：2016-06-02
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1339 , G02F1/13454 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G09G3/3648 , G09G2300/04 , H01L27/127 , H01L2224/05572 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：JP6244337B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2015149528
申请日：2015-07-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L27/3237 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/5253 , H01L51/5262 , G02F1/133604 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361 , H01L33/382 , H01L51/5036 , H01L51/5088 , H01L51/524 , H01L51/5278
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公开(公告)号：JP6235660B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2016148373
申请日：2016-07-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
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