How to determine the temperature of the semiconductor wafer in the high-speed heating device

    公开(公告)号:JP2006512590A

    公开(公告)日:2006-04-13

    申请号:JP2005509691

    申请日:2003-11-28

    CPC classification number: H01L21/324 G01J5/0003 H01L21/67115 H01L21/67248

    Abstract: 本発明は、RTPシステムにて取り出される少なくとも1つの測定信号、決定すべき状態変数に依存する測定量を用いて、RTPシステムのモデルから少なくとも1つの状態変数を決定する方法に関する。 ここではモデルによって予想される測定量、予想値を用い、上記の測定量および予想値はそれぞれ直流成分および交流成分のコンポーネントを含んでおり、それぞれ少なくとも交流成分をフィルタによって分離して求めて、上記の測定量の交流成分と、上記のモデルによって予想した上記の測定量の交流成分との第1差分を形成し、モデル特性を可変のシステムパラメタに適合させることを目的として、この第1差分を上記モデルにフィードバックすることによって少なくとも1つのモデルパラメタのパラメタ適合化を行い、測定量および予測値から、または交流成分だけ処理した測定量および処理した予想値から第2差分を形成し、モデルシステムの状態と実システムの状態とを一致させることを目的として、この第2差分を上記モデルにフィードバックすることによって、モデルシステムの状態の状態補正を行い、さらに上記モデルにて少なくとも1つの状態変数を取り出す。

    Detecting the position of the semiconductor substrate on the rotating device

    公开(公告)号:JP2007538391A

    公开(公告)日:2007-12-27

    申请号:JP2007516982

    申请日:2004-08-26

    CPC classification number: H01L21/681 H01L21/67259

    Abstract: 回転軸を備える回転デバイス上の半導体サブストレートの位置検出装置であって、該位置検出装置は、回転デバイスの回転状態を検出するための回転検出ユニットと、少なくとも1つの光源と、少なくとも1つの受信器を有し、該受信器は光源からの光に対して感光性であり、この位置検出装置では、光源により放射された少なくとも1つの光ビームが半導体サブストレートのエッジに指向され、このエッジを少なくとも部分的に通過し、少なくとも部分的に通過した光ビームの光は受信器により少なくとも部分的に検出される。 光源、受信器および回転デバイスは、回転デバイスに配置された半導体サブストレートに対する偏心測定構成体を形成する。 回転デバイス上の半導体サブストレートの位置は、少なくとも1つの光ビームが半導体サブストレートのエッジを少なくとも部分的に通過し、少なくとも部分的に通過した光ビームの光が受信器により少なくとも部分的に検出される方法によって検出される。

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