公开(公告)号：JP4116449B2

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：JP2002592161

申请日：2002-05-02

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMattson Thermal Products GmbH

Inventor： ペルツマン アルトゥール ,  グラーフ オットマール ,  マンツ パウル ,  イウ チャン ヒン ,  ドレクスラー マーティン ,  グランディー ミヒャエル ,  ニース ユルゲン

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L2221/68313

公开(公告)号：JP2004522302A

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：JP2002584378

申请日：2002-04-19

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： パシュット イェフダ ,  ロータース ゲオルク ,  エルリク ゲンリ ,  ゾンマー ヘルムート ,  マーダー ローラント

IPC: H01L21/31 ,  F22B1/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: F22B1/003 ,  H01L21/31658

Abstract: 本発明は、水蒸気対水素の混合比が正確に調整−及び再現可能である水蒸気及び水素から成る水素富化プロセスガスの製造を簡単で経費的に有利な方法で可能にするために、燃焼室中で水素富化環境で水蒸気及び水素から成るプロセスガスの生成のために酸素を燃焼させる、基板、殊に半導体基板の処理のためのプロセスガスの製造のための方法及び装置を供給する。

公开(公告)号：JP4681607B2

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：JP2007516982

申请日：2004-08-26

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMattson Thermal Products GmbH

Inventor： グラーフ オットマール ,  グランディー ミヒャエル

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67259

公开(公告)号：JP2006512590A

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：JP2005509691

申请日：2003-11-28

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： シュトリーベル クリストフ ,  メルクル クリストフ ,  ハウフ マルクス

IPC: G01J5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  G01J5/0003 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 本発明は、ＲＴＰシステムにて取り出される少なくとも１つの測定信号、決定すべき状態変数に依存する測定量を用いて、ＲＴＰシステムのモデルから少なくとも１つの状態変数を決定する方法に関する。 ここではモデルによって予想される測定量、予想値を用い、上記の測定量および予想値はそれぞれ直流成分および交流成分のコンポーネントを含んでおり、それぞれ少なくとも交流成分をフィルタによって分離して求めて、上記の測定量の交流成分と、上記のモデルによって予想した上記の測定量の交流成分との第１差分を形成し、モデル特性を可変のシステムパラメタに適合させることを目的として、この第１差分を上記モデルにフィードバックすることによって少なくとも１つのモデルパラメタのパラメタ適合化を行い、測定量および予測値から、または交流成分だけ処理した測定量および処理した予想値から第２差分を形成し、モデルシステムの状態と実システムの状態とを一致させることを目的として、この第２差分を上記モデルにフィードバックすることによって、モデルシステムの状態の状態補正を行い、さらに上記モデルにて少なくとも１つの状態変数を取り出す。

公开(公告)号：JP2005500674A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：JP2002592170

申请日：2002-05-23

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： シュトリーベル クリストフ ,  ハウフ マルクス

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/48 ,  C30B31/12 ,  C30B33/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H05B3/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/481 ,  C30B31/12 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67242 ,  H05B3/0047 ,  Y10T29/41

Abstract: 簡単で安価に高温計に基づいた温度測定を行い、正確な温度測定が低温でも可能であるようにするため、本発明は基板の熱処理装置および熱処理方法を提供する。 この装置ないし方法では、基板が少なくとも１つの第１および第２のビームにより照射され、第１のビームの所定の波長が第１のビーム源と基板との間で吸収され、基板から発するビームが所定の波長においてビーム検知器により測定され、このビーム検知器は第２のビーム源と同じ側に配置されており、第２のビーム源から発する第２のビームを変調し、第２のビーム源から発する第２のビームを検出する。

公开(公告)号：JP2004526327A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：JP2002586391

申请日：2002-04-10

Applicant: インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト ,  マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： ケーゲル，ヴィルヘルム ,  ウヴェ ザクセ，イェンス ,  シュタットミュラー，ミヒャエル ,  シュトアベック，オラフ ,  ショアー，エルヴィン ,  ハイン，レギナ ,  フリッゲ，シュテファン ,  ロータース，ゲオルク

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/28061

Abstract: 多結晶シリコン層およびタングステン層を含んだ、公知のゲート構造を選択的に酸化する際、タングステンが、特別なプロセス制御によって酸化蒸着しないか、または、少なくとも著しく低減する。 そのために、水素と水との混合物を用いた処理工程の前、および、場合によっては後に、ゲート構造を、水素を含んだ非水溶性の不活性ガスにさらす。

公开(公告)号：JP2004503101A

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：JP2002508161

申请日：2001-06-29

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： ウーヴェ　ルビイ ,  ヴェルナー　ブレルシュ ,  ジルケ　パウル ,  マルクス　ハウフ ,  ヨッヘン　ウルバン

IPC: H01L21/26 ,  G05D23/19 ,  G05D23/27

CPC classification number: G05D23/1904 ,  G05D23/1917

Abstract: 処理したい対象物の熱処理時の温度プロフィルのより良好な制御を可能にするために、本発明は、対象物を加熱装置内で熱処理するための装置および方法、特に半導体ウェーハ（２）を急速加熱装置（１）内で熱処理するための装置および方法を提案している。 本発明による方法では、対象物が、設定された温度経過で熱処理され、対象物の温度が、ＰＩＤ制御装置と、加熱装置および対象物から成るシミュレーションモデルに基づくフィードフォワード制御装置とによって制御される。 この場合、モデルが、加熱装置のかつ／または対象物の成分の個別モデルから成っており、少なくとも１つの個別モデルのパラメータが、熱処理時に監視され、モデルが、監視されたパラメータに適合される。

公开(公告)号：JP2007538391A

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：JP2007516982

申请日：2004-08-26

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMattson Thermal Products GmbH

Inventor： グラーフ オットマール ,  グランディー ミヒャエル

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67259

Abstract: 回転軸を備える回転デバイス上の半導体サブストレートの位置検出装置であって、該位置検出装置は、回転デバイスの回転状態を検出するための回転検出ユニットと、少なくとも１つの光源と、少なくとも１つの受信器を有し、該受信器は光源からの光に対して感光性であり、この位置検出装置では、光源により放射された少なくとも１つの光ビームが半導体サブストレートのエッジに指向され、このエッジを少なくとも部分的に通過し、少なくとも部分的に通過した光ビームの光は受信器により少なくとも部分的に検出される。 光源、受信器および回転デバイスは、回転デバイスに配置された半導体サブストレートに対する偏心測定構成体を形成する。 回転デバイス上の半導体サブストレートの位置は、少なくとも１つの光ビームが半導体サブストレートのエッジを少なくとも部分的に通過し、少なくとも部分的に通過した光ビームの光が受信器により少なくとも部分的に検出される方法によって検出される。

公开(公告)号：JP2003533881A

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：JP2001584475

申请日：2001-05-16

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： レルヒ ヴィルフリート ,  ニース ユルゲン

IPC: H01L21/66 ,  C30B33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/928

Abstract: The invention relates to a method for generating defect profiles in a crystal or crystalline structure of a substrate, preferably a semiconductor, during a thermal treatment in a process chamber. According to the inventive method, a concentration and/or a density distribution of defects is controlled with at least one reactive component each depending on at least two process gases that differ in their composition. At least two of the process gases independently act upon at least two different surfaces of the substrate.

公开(公告)号：JP4276845B2

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：JP2002584378

申请日：2002-04-19

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMattson Thermal Products GmbH

Inventor： パシュット イェフダ ,  ロータース ゲオルク ,  エルリク ゲンリ ,  ゾンマー ヘルムート ,  マーダー ローラント

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  F22B1/00

CPC classification number: F22B1/003 ,  H01L21/31658