公开(公告)号：JP6324438B2

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：JP2016113001

申请日：2016-06-06

申请人： リンテック株式会社

发明人： 佐伯 尚哉 ,  稲男 洋一 ,  山本 大輔 ,  米山 裕之

IPC分类号： B23K26/53 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B23K26/53 ,  B32B27/08 ,  B32B27/16 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/548 ,  B32B2457/14 ,  C08J7/042 ,  C08J2333/10 ,  C08J2363/00 ,  C08J2363/04 ,  C09D133/10 ,  C09D163/00 ,  C09D163/04 ,  C09J7/29 ,  C09J133/10 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J2201/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377

公开(公告)号：JP2014238321A

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：JP2013120835

申请日：2013-06-07

申请人： 株式会社 Synax ,  Synax Co Ltd ,  株式会社 Synax

发明人： AIHARA TAKAMITSU

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： H01L21/67333 ,  B65G17/02 ,  H01L2221/68309 ,  H01L2221/68313

摘要： 【課題】異なる寸法を有するICデバイス保持具をICデバイス毎にチェンジキットとして予め複数個用意しておく必要があった。しかし、チェンジキットの作成には多くのコストが掛り、また、チェンジキットの交換にも多くの手間が掛かっている。【解決手段】第1、第2のガイドブロック片(13−2A、13−2B)が電子部品(18)の底面の一対の対角の間の距離に応じて予め決められた位置決め孔を用いてシャトルプレート(13−1)上に固定されて形成された電子部品の保持空間に複数の電子部品(18)が保持され、前記第1、第2のガイドブロック片の長手方向に沿って前記電子部品の挟持部間に挟持される複数の電子部品の上面に沿って前記シャトルプレートの一方の端部から他方の端部に至る光を照射して、電子部品の厚みに応じて前記照射された光が傾いて保持された電子部品により遮蔽されたことを光センサ(31)により検知する。【選択図】図6

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种电子部件的运送装置，其解决了需要预先准备每个IC装置的具有不同尺寸的IC装置保持器的数量作为更换套件的问题，则制造多个成本花费很高的成本 更换套件需要花费大量的时间和精力。解决方案：在电子部件的运输装置中，多个电子部件（18）中的每一个被保持在电子部件保持空间中，该电子部件保持空间通过首先固定 通过使用根据电子部件（18）的底面的一对相对角之间的距离预定的定位孔，在梭板（13-1）上的第二引导块部件（13-2A​​和13-2B）。 从穿梭板的一端到另一端的光从沿着第一和第二导块的长度方向保持在电子部件保持部之间的多个电子部件的上表面被照射。 光学传感器（31）根据电子部件的厚度检测照射光被倾斜保持的电子部件屏蔽。

公开(公告)号：JP5632616B2

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：JP2010014518

申请日：2010-01-26

申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社

发明人： 裕一 金子 ,  裕一 金子

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/6835

公开(公告)号：JP5621142B2

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：JP2013076752

申请日：2013-04-02

申请人： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  Carrier Integration株式会社 ,  Carrier Integration株式会社

发明人： 太郎 板谷 ,  太郎 板谷 ,  石井　裕之 ,  裕之 石井 ,  佳之 天野 ,  佳之 天野 ,  林恒幸 ,  恒幸 林

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/68735 ,  B25J15/0014 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68309 ,  H01L2221/68313

公开(公告)号：JP4992904B2

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：JP2008536225

申请日：2006-09-27

申请人： 富士通セミコンダクター株式会社

发明人： 祐三 下別府 ,  和浩 吉本 ,  和雄 手代木 ,  嘉昭 新城

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： A manufacturing method of a semiconductor device includes providing an adhesive on a supporting board, the supporting board being where a semiconductor element is to be mounted; providing a member configured to block flow of the adhesive on a first main surface of the semiconductor element, the semiconductor element having a second main surface where an outside connection terminal is provided; mounting the semiconductor element on a part of the supporting board where the adhesive is provided by pressing the semiconductor element via the member.

摘要翻译： 半导体器件的制造方法包括在支撑板上设置粘合剂，所述支撑板是要安装半导体元件的位置; 提供构造成阻挡所述粘合剂在所述半导体元件的第一主表面上的流动的构件，所述半导体元件具有设置有外部连接端子的第二主表面; 通过经由构件挤压半导体元件，将半导体元件安装在支撑板的设置有粘合剂的部分上。

公开(公告)号：JP4777104B2

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：JP2006073586

申请日：2006-03-16

申请人： 富士通セミコンダクター株式会社

发明人： 幸男 安藤 ,  英靖 橋場 ,  雄三 濱中 ,  健一 矢崎 ,  計一 笹村

IPC分类号： B65D85/86 ,  B65D73/02

CPC分类号： H01L21/67356 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2924/19041 ,  H05K13/0084

公开(公告)号：JP2011155068A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：JP2010014518

申请日：2010-01-26

申请人： Oki Semiconductor Co Ltd ,  Okiセミコンダクタ株式会社

发明人： KANEKO YUICHI

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/6835

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, along with a substrate housing structure, capable of suppressing variations in electrical characteristics of a semiconductor device among wafers (semiconductor substrates). SOLUTION: The manufacturing method includes a step in which protective sheets 22A and 22B containing secondary electron absorbing material are arranged on a tray 10 and semiconductor substrates 21A and 21B are arranged on the protective sheets 22A and 22B to be housed in the tray 10, and a step in which the semiconductor substrates 21A and 21B are irradiated with charged particle beam from the side opposite to the tray 10 side so that a lattice defect is formed in the semiconductor substrates 21A and 21B. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：提供能够抑制晶片（半导体基板）中的半导体器件的电特性变化的半导体器件的制造方法以及基板壳体结构。 解决方案：制造方法包括以下步骤：将包含二次电子吸收材料的保护片22A和22B布置在托盘10上，半导体衬底21A和21B布置在保护片22A和22B上以容纳在托盘中 如图10所示，并且半导体衬底21A和21B从与托盘10侧相反的一侧照射带电粒子束以使得在半导体衬底21A和21B中形成晶格缺陷的步骤。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4335377B2

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：JP26195499

申请日：1999-09-16

申请人： Towa株式会社

发明人： アロイス・タイバー

IPC分类号： H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： B28D5/0094 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68313

公开(公告)号：JP2004535343A

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：JP2003513874

申请日：2002-07-12

申请人： エンテグリス・インコーポレーテッド

发明人： デュバン−フー，ジョイ ,  ニッグ，ジェイムズ

IPC分类号： B65D85/86 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67333 ,  H01L21/67356 ,  H01L2221/68313

摘要： トレイ部分（１２）とレール部分（１４）と中間部分（３０）とを有する半導体用のトレイ（１０）である。 トレイ部分には複数のチップ溝（２０）が形成されている。 レール部分はほぼトレイ部分のまわりを延びている。 中間部分はトレイ部分とレール部分を相互に連結していて、レール部分に対して115°以上の角度で方向付けられている。

公开(公告)号：JP2003506216A

公开(公告)日：2003-02-18

申请号：JP2001513943

申请日：2000-08-03

申请人： イクシィル・テクノロジー・リミテッド

发明人： オーウェン，マーク ,  コンロン，ピーター ,  ボイル，エイドリアン ,  マホン，ジェームズ

IPC分类号： B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/14 ,  B23K101/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/48 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  B23K26/00

CPC分类号： H05K3/0032 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/481 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/0008 ,  H05K3/0038 ,  H05K3/0052 ,  H05K2201/09918 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： (57)【要約】 ＩＣパッケージ、回路基板のようなフレックス回路からなる電子回路は、結合している積層材料のレーザ切断によりシンギュレートされる。 このレーザビームは、波長が４００ｎｍ未満で、最小エネルギー密度が１００Ｊ／ｃｍ
2 又は最小パワー密度が１ＧＷ／ｃｍ
2 である。 この方法により、清浄化及び中間のハンドリングの必要がなくなり、かつスループットが大幅に改善される。