公开(公告)号：JP6417432B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2017017499

申请日：2017-02-02

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ヘニング,ジェイソン・パトリック ,  ジャーン,チーンチュン ,  リュー,セイ−ヒュン ,  アガーワル,アナント・クマール ,  パルマー,ジョン・ウィリアムズ ,  アレン,スコット

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：JP6104250B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2014529881

申请日：2012-09-07

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ヘニング,ジェイソン・パトリック ,  ジャーン,チーンチュン ,  リュー,セイ−ヒュン ,  アガーワル,アナント・クマール ,  パルマー,ジョン・ウィリアムズ ,  アレン,スコット

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055

公开(公告)号：JP6088518B2

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：JP2014529880

申请日：2012-09-07

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ヘニング,ジェイソン・パトリック ,  ジャーン,チーンチュン ,  リュー,セイ−ヒュン ,  アガーワル,アナント・クマール ,  パルマー,ジョン・ウィリアムズ ,  アレン,スコット

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055

公开(公告)号：JP2020505785A

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：JP2019559011

申请日：2018-01-17

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： リュー,セイ−ヒュン ,  シュプバック,マーセロ ,  バークリー,アダム ,  アレン,スコット

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 縦型FETは、上部表面、および、上部表面の反対の下部表面を有する炭化ケイ素基板と、炭化ケイ素基板の下部表面上のドレイン/コレクタコンタクトと、炭化ケイ素基板の上部表面上のエピタキシャル構造であって、そのエピタキシャル構造内に第1のソース/エミッタ注入物を形成した、エピタキシャル構造とを含む。ゲート誘電体を、エピタキシャル構造の一部分上に設ける。第1のソース/エミッタコンタクト片を、第1のソース/エミッタ注入物上に、互いから間をおいて隔置する。第1および第2の細長のゲートコンタクトは、ゲート誘電体上にあり、第1のソース/エミッタ注入物が、第1の細長のゲートコンタクトおよび第2の細長のゲートコンタクトの下方にあり、第1の細長のゲートコンタクトと第2の細長のゲートコンタクトとの間にあるように布置される。ゲート間プレートが、第1の細長のゲートコンタクトおよび第2の細長のゲートコンタクトのうちの少なくとも1つから、第1のソース/エミッタコンタクト片の間に形成される空間内へと延在する。

公开(公告)号：JP6272227B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2014529882

申请日：2012-09-07

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ヘニング,ジェイソン・パトリック ,  ジャーン,チーンチュン ,  リュー,セイ−ヒュン ,  アガーワル,アナント・クマール ,  パルマー,ジョン・ウィリアムズ ,  アレン,スコット

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2017022388A

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：JP2016165443

申请日：2016-08-26

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ダール,サリット ,  チェン,リン ,  リュー,セイ−ヒュン ,  アガーワル,アナント・クマール ,  パルマー,ジョン・ウィリアムズ ,  マキ,エリック ,  ガーゲイナス,ジェイソン ,  リキテンウォルナー,ダニエル・ジェナー

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608

Abstract: 【課題】アルカリ土類金属をゲートスタックに用い、チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスおよびその半導体デバイスの製造の方法を提供する。 【解決手段】半導体デバイスMOSFET10は、チャンネル領域を含む基板12と、基板のチャンネル領域上のゲート・スタック18とを含む。ゲート・スタックは、アルカリ土類金属を含む。アルカリ土類金属は、バリウム(Ba)あるいは、ストロンチウム(Sr)である。 【選択図】図1

Abstract translation: 甲碱土金属栅极堆叠，以提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法的提高沟道迁移率。 一种半导体器件，MOSFET10包括衬底12，其包括沟道区域，和在所述衬底的沟道区的栅极堆叠18。 栅极堆叠，包括碱土金属。 碱土金属是钡（Ba）或锶（Sr）。 点域1

公开(公告)号：JP6025823B2

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：JP2014511405

申请日：2012-05-10

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ジャーン,チーンチュン ,  カペル,クレイグ ,  アガーワル,アナント・ケイ ,  リュー,セイ−ヒュン

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/74 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1016 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608

公开(公告)号：JP2016189480A

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：JP2016120345

申请日：2016-06-17

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ジャーン,チーンチュン ,  カペル,クレイグ ,  アガーワル,アナント・ケイ ,  リュー,セイ−ヒュン

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/74 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1016 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608

Abstract: 【課題】負ベベルのエッジターミネーションを有するSiC半導体デバイスを提供する。 【解決手段】負ベベルのエッジターミネーション46は、所望の傾斜角αの滑らかな負ベベルのエッジターミネーションに近似する複数の段を含む。負ベベルのエッジターミネーションは、少なくとも5段、少なくとも10段又は少なくとも15段を含む。望ましい傾斜角は、15度以下である。負ベベルのエッジターミネーションは、少なくとも10キロボルト(kV)又は少なくとも12kVの半導体デバイスの阻止電圧をもたらす。半導体デバイスは、限定ではないが、パワーサイリスタ、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、UチャネルMOSFET(UMOSFET)、又はPINダイオード等のサイリスタである。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有负斜面边缘终止的SiC半导体器件。解决方案：负斜面的边缘终端46包括用于近似具有期望的倾斜角α的平滑负斜面的边缘终止的多个级。 负斜面的边缘终止包括5个阶段，至少10个阶段或至少15个阶段。 倾斜角度优选为15度以下。 负斜面的边缘终止导致半导体器件的阻挡电压至少为10千伏（kV）或至少12千伏。 尽管不是限制，半导体器件是功率晶闸管，双极结型晶体管（BJT），绝缘栅双极结型晶体管（IGBT），U沟道MOSFET（UMOSFET）或诸如PIN二极管的晶闸管。选择图： 图2

公开(公告)号：JP2021530878A

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：JP2021523553

申请日：2019-07-05

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： リュー,セイ−ヒュン

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタは、ワイドバンドギャップ基板と、基板上のワイドバンドギャップドリフト層と、ドリフト層内の複数の接合部インプラントと、接合部インプラント間のJFET領域とを含む。JFET領域は、接合部インプラントのうち隣接する接合部インプラント間の距離であるJFETギャップによって画定される。JFETギャップはMOSFETデバイス全体で均一ではない。JFET領域は、第1のJFETサブ領域と第2のJFETサブ領域とに分離され、第1のJFETサブ領域におけるドーピング濃度は、第2のJFETサブ領域におけるドーピング濃度とは異なる。

公开(公告)号：JP6407920B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2016120345

申请日：2016-06-17

Applicant: クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

Inventor： ジャーン,チーンチュン ,  カペル,クレイグ ,  アガーワル,アナント・ケイ ,  リュー,セイ−ヒュン

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/74 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861