公开(公告)号：JP2015503852A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：JP2014551616

申请日：2013-01-10

Applicant: ノルウェージアン ユニバーシティー オブ サイエンス アンド テクノロジー(エヌティーエヌユー) ,  ノルウェージアン ユニバーシティー オブ サイエンス アンド テクノロジー(エヌティーエヌユー)

Inventor： ヘルゲ ウィマン， ,  ヘルゲ ウィマン， ,  ブジョーン−オヴ フィマランド， ,  ブジョーン−オヴ フィマランド， ,  ドン チュル キム， ,  ドン チュル キム，

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/42 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66469 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/036 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/18 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 基板上に複数のナノワイヤーを含む組成物であって、前記ナノワイヤーが、前記ナノワイヤーの少なくともいくつかの上に触媒堆積物が配置されるように、金属触媒の存在下で前記基板上にエピタキシャルに成長させたものであり、前記ナノワイヤーが、少なくとも1つのIII−V族化合物又は少なくとも1つのII−VI族化合物を含むか、少なくとも1つの非炭素IV族元素を含み;グラファイト層が前記ナノワイヤーの上の触媒堆積物の少なくともいくつかと接触している、組成物。

Abstract translation: 包括在衬底上的多个纳米线的组合物，其特征在于，使得所述催化剂床在至少一些所述纳米线的纳米线被布置在所述衬底上，在金属催化剂的存在下 是那些外延生长，所述纳米线，或至少一个III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物包含至少一个非碳的IV族元素;石墨层是 在与至少一些上述的纳米线的组合物的催化剂床的接触。

公开(公告)号：JP2014518004A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2014503116

申请日：2012-04-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ジョエル・エイメリ ,  ダミアン・サロモン ,  シャオジュン・チェン ,  クリストフ・デュラン

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 特にエレクトロニクスに適用可能な本方法によると、半導体構造体（１２）が第一のガス又は分子流から形成されて、これと同時に又は後に、第二のガス又は分子流が追加されて、構造体の上に誘電体層（１４）をｉｎ ｓｉｔｕで選択的に成長させて、その上に、他の半導体構造体（１５）を第三のガス又は分子流から成長させる。

公开(公告)号：JP5305658B2

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：JP2007543123

申请日：2005-11-10

Applicant: ナノシス・インク.

Inventor： ヤオリン・パン ,  デヴィッド・ピー．・スタンボ

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/901 ,  Y10S977/963

Abstract: Embodiments of the present invention are provided for improved contact doping and annealing systems and processes. In embodiments, a plasma ion immersion implantation (PIII) process is used for contact doping of nanowires and other nanoelement based thin film devices. According to further embodiments of the present invention, pulsed laser annealing using laser energy at relatively low laser fluences below about 100 mJ/cm2 (e.g., less than about 50 mJ/cm2, e.g., between about 2 and 18 mJ/cm2) is used to anneal nanowire and other nanoelement-based devices on substrates, such as low temperature flexible substrates, e.g., plastic substrates.

公开(公告)号：JP2008500719A

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：JP2007514247

申请日：2005-05-19

Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

Inventor： アー エム ウォルテルス，ロベルテュス ,  ハー クロートウェイク，ヨハン ,  ペー アー エム バッケルス，エリク

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 縦型部品を具備する電気デバイス、及びそれを製造する方法が開示される。 電気デバイスは、例えばゲート包囲型トランジスタ等の縦型チャネルを具備するＦＥＴ素子、又は二重ゲート型トランジスタ等のトランジスタ素子とし得る。 先ず、例えばナノワイヤー等の伸張構造が基板に設けられる。 続いて、誘電体層によって基板と伸張構造とから分離された第１の導電層が設けられる。 さらに、分離層によって第１の導電層から分離された第２の導電層が、伸張構造の少なくとも頂部に接触するように設けられる。

公开(公告)号：JP6095083B2

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：JP2015544804

申请日：2014-10-29

Applicant: 国立大学法人北海道大学 ,  国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 福井 孝志 ,  冨岡 克広

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0262 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78642 ,  B82Y30/00

公开(公告)号：JP5905073B2

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：JP2014503116

申请日：2012-04-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ジョエル・エイメリ ,  ダミアン・サロモン ,  シャオジュン・チェン ,  クリストフ・デュラン

IPC: H01L21/203 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C14/04 ,  C30B25/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L29/0665 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP2016053212A

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：JP2015129720

申请日：2015-06-29

Applicant: アイメック・ヴェーゼットウェー ,  IMEC VZW ,  キング・アブドゥルアジズ・シティ・フォー・サイエンス・アンド・テクノロジー ,  King Abdulaziz City for Science and Technology

Inventor： セドリック・ハイヘバールト ,  アラー・アブド−エルナイエム ,  フィリップ・フェレーケン

IPC: C25D11/04 ,  C25D1/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/00

CPC classification number: C25D1/006 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/045 ,  H01B1/023 ,  H01B5/002 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01M4/661 ,  H01M4/70 ,  C25D1/20 ,  C25D11/005 ,  C25D11/24 ,  C25D3/12 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/028 ,  H01M4/131

Abstract: 【課題】非崩壊性のナノワイヤのクラスタ、前記クラスタを作製するためのテンプレート、テンプレートを得る方法、及びテンプレートを用いてクラスタを得る方法、及びクラスタを含むデバイスの提供。 【解決手段】2つの接触する層のアセンブリを陽極酸化する工程を含み、第1層4は、陽極酸化中に相互接続されたチャネルネットワークを形成する材料からなり、第2層3は、陽極酸化中に整列して分離したチャネルのクラスタを形成する材料からなる。第2層3は、99.9〜100原子%のアルミニウム、及び、0.0〜0.1原子%の他の材料であって、第2層3の陽極酸化時に、相互接続されたチャネルのネットワークを形成しない他の材料、とを含むナノワイヤ11が崩壊しないクラスタの製造方法。 【選択図】図22

Abstract translation: 要解决的问题：提供非折叠纳米线集群，用于制造模板的模板，用于获得模板的方法，通过使用模板获得集群的方法以及包括集群的装置。解决方案：一种方法 用于制造未折叠的纳米线集群11包括：阳极氧化两个相邻层的组件，即，在阳极氧化期间由形成互连通道的网络的材料制成的第一层4和由形成的材料制成的第二层3 在阳极氧化期间的一组对齐的分离通道。 第二层3在第二层的阳极氧化期间含有99.9至100原子％的铝和0.0至0.1原子％的其它不形成互连通道网络的材料。选择的图示：图22

公开(公告)号：JPWO2013008422A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2013523811

申请日：2012-07-04

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 英之 大来 ,  英之 大来 ,  上本　康裕 ,  康裕 上本 ,  正洋 引田 ,  正洋 引田 ,  秀則 竹田 ,  秀則 竹田 ,  佐藤　高広 ,  高広 佐藤 ,  明彦 西尾 ,  明彦 西尾

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7789 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7787

Abstract: 基板と、基板の上に形成された第1の窒化物半導体層1と、第1の窒化物半導体層1の上に積層され、該第1の窒化物半導体層1と比べてバンドギャップが大きく、底部が第1の窒化物半導体層1に達するように貫通したリセス部が開けられた第2の窒化物半導体層2と、リセス部11の内壁と第2の窒化物半導体層2を覆うように積層され、第1の窒化物半導体層1と比べてバンドギャップが大きい第3の窒化物半導体層12と、リセス部11の上層で第3の窒化物半導体層12上に形成されたゲート電極5と、ゲート電極5の両側方にそれぞれ形成された第1のオーミック電極4a及び第2のオーミック電極4bを備える。

Abstract translation: 的基板，形成在衬底上的第一氮化物半导体层1中，层叠在第一氮化物半导体层1上，比第一氮化物半导体层1大的带隙 ，以覆盖通过上述凹部的底第二氮化物半导体层被打开，以便到达所述第一氮化物半导体层1 2，内壁和凹部11的第二氮化物半导体层2 层压在第一和第三氮化物半导体层12上是带隙大于所述氮化物半导体层1，形成于凹部11的氮化物半导体层12上在所述第三栅极电极的上层 如图5所示，包括第一欧姆电极4a和分别在栅电极5的两侧形成第二欧姆电极4b上。

公开(公告)号：JP5335194B2

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：JP2006551710

申请日：2005-01-21

Applicant: フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

Inventor： インドレコーファー・ミヒァエル ,  レート・ハンス ,  フェルスター・アーノルト

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/775 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/882 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: The invention concerns a semiconductor structure comprising at least one first material region and a second material region, whereby the second material region epitaxially surrounds the first material region and forms a boundary surface. The structure is characterized in that Fermi level pinning is present on the non-epitaxial boundary surface of the second material region located opposite the boundary surface of both material regions, and the first material region forms a quantum well for free charge carriers. This advantageously results in enabling a controllable charge carrier concentration to be set in the quantum well

公开(公告)号：JP2008506254A

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：JP2007520298

申请日：2005-04-29

Applicant: ナノシス・インコーポレイテッドNanosys, Inc.

Inventor： ステファン エー． エンペドクレス， ,  ジェイ エル． ゴールドマン， ,  ビジェンドラ サヒ， ,  エリック シー． シェール， ,  デイビッド ピー． ストゥンボ， ,  ロバート エス． ダブロー， ,  チァン チェン， ,  シァンフェン デュアン， ,  チョンミン ニウ， ,  ジェイムズ エム． ハミルトン， ,  ヤオリン パン， ,  デイビッド エル． ヒールド， ,  ジェフリー エー． ホワイトフォード， ,  ジョージ ポンティス， ,  フランチェスコ レミ， ,  リンダ ティー． ロマノ，

IPC: H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C30B29/605 ,  B82Y10/00 ,  C30B11/12 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938 ,  Y10T428/139 ,  Y10T428/2902 ,  Y10T428/2949

Abstract: 本発明は、ナノマテリアル、特に細長いナノワイヤーマテリアルを集積し、組み込み、利用する方法に関する。 本発明は、ナノワイヤー成長基板上に配置された犠牲層を選択的にエッチングしてナノワイヤーを取り出すことを含むナノワイヤーの集積方法を提供する。 本発明はまた、円筒の外面をナノワイヤーの流動性懸濁液と接触させて配置し、ナノワイヤーで被覆された円筒を回転させて表面にナノワイヤーを被着させることを含むナノワイヤーを電子機器に組み込む方法を提供する。 また、インクジェットプリンターを使用するか又はナノワイヤーを整列させるための開口を使用してナノワイヤーを被着させる方法が提供される。 本発明の別の局面は、ナノワイヤーベースのトランジスタにおけるゲート短絡の防止方法を提供する。 ナノワイヤーを集積し、組み込む追加の方法が提供される。