成膜方法及びプラズマ化学気相成長装置

    公开(公告)号:JP2017155278A

    公开(公告)日:2017-09-07

    申请号:JP2016038873

    申请日:2016-03-01

    Abstract: 【課題】硬度の高さ及び摩擦係数の低さを高い次元で両立したDLC膜をワークに生成することができる成膜方法及びPCVD装置を提供する。 【解決手段】ワークへの成膜に用いるPCVD装置は、反応炉内に位置する部位でワークを支持するとともに、高周波出力装置から出力されたマイクロ波をワークに伝播させる導波部材を備える。導波部材を通じてワークに伝播するマイクロ波の強度を「0」から徐々に大きくする過程で同ワークのバイアス電流BAが跳躍したときにおける高周波出力装置から出力されるマイクロ波の強度SMWを第1の強度SMW1とし、マイクロ波の強度SMWを第1の強度SMW1から大きくする過程でバイアス電流BAが再度跳躍したときにおけるマイクロ波の強度SMWを第2の強度SMW2とする。成膜時には、第1の強度SMW1よりも大きく且つ第2の強度SMW2よりも小さい強度SMWのマイクロ波を高周波出力装置から出力させる。 【選択図】図3

    焼入装置
    3.
    发明专利
    焼入装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020204081A

    公开(公告)日:2020-12-24

    申请号:JP2019113286

    申请日:2019-06-19

    Inventor: 佐藤 羊治

    Abstract: 【課題】周方向に回転しながら軸方向に移動する長尺棒状のワークの歪みを抑制することが可能な焼入装置を提供する。 【解決手段】焼入装置(1)は、周方向に回転しながら軸方向に移動する長尺棒状のワーク(W)を焼入れする装置であり、ワーク(W)の変形量を検出する変形量検出部(20)と、ワーク(W)を加熱する加熱部(30)と、加熱されたワーク(W)に対して冷却液を噴射して、ワーク(W)を冷却する冷却部(40)と、ワーク(W)と冷却部(40)との間にない第1の位置とワーク(W)と冷却部(40)との間にある第2の位置との間で移動可能で、必要なときに冷却部(40)からワーク(W)への冷却液の噴射を遮蔽する遮蔽材(51)と、変形量検出部(20)により検出されたワーク(W)の変形量のデータに基づいて、遮蔽材(51)の移動を制御する制御部(60)とを有する。 【選択図】図1

    成膜装置
    4.
    发明专利
    成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2019070177A

    公开(公告)日:2019-05-09

    申请号:JP2017196214

    申请日:2017-10-06

    Inventor: 佐藤 羊治

    Abstract: 【課題】陰極である蒸発源が蒸発することによる成膜効率の低下を抑制しつつ、ストライカチップと陰極との接触を安定させる成膜装置を提供する。 【解決手段】成膜装置10は、ワーク52を収容するチャンバ11を陽極とし、蒸発源14を陰極としてアーク放電を発生させ、蒸発源14から蒸発した蒸発材料をイオン化してワーク52に堆積させる成膜装置である。成膜装置10は、蒸発源14に設けられており、蒸発源14と電気的に接続されている点弧用陰極16を備えている。成膜装置10は、点弧用陰極16と接触させるストライカチップ23を有するストライカ機構20を備えている。成膜装置10は、磁力線を発生させてアーク放電の放電位置を制御するコイル31を備えている。そして、蒸発源14は、チャンバ11に対する点弧用陰極16の位置を固定した状態で、チャンバ11に対する位置を変位可能に配置されている。 【選択図】図1

    プラズマ化学気相成長装置
    8.
    发明专利
    プラズマ化学気相成長装置 审中-公开
    等离子体化学气相沉积装置

    公开(公告)号:JP2017008389A

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:JP2015126806

    申请日:2015-06-24

    Abstract: 【課題】直流電圧を被処理物に印加しつつ、マイクロ波を同被処理物に入力することで同被処理物に膜を生成するに際し、マイクロ波の直流電源側への漏えいを抑制することができるプラズマ化学気相成長装置を提供する。 【解決手段】PCVD装置11は、長尺状の第1の導体20と、第1の導体20の外周側に配置されている筒状の第2の導体30と、第1の導体20の外側面20aにマイクロ波を流す高周波出力装置45と、第1の導体20に直流電圧を供給する直流電源46とを備える。第1の導体20における高周波出力装置45との接続部分である第1の接続部23は、第1の導体20における直流電源46との接続部分である第2の接続部24よりも、被処理物Wを支持する支持部21の近くに位置している。そして、第1の導体20における第1の接続部23と第2の接続部24との間には第1のフランジ25が設けられている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 待处理施加DC电压给对象A,同时,当通过在对象进入微波进行处理,以被处理的物体产生的膜,抑制微波的直流电源侧的泄漏 提供一种等离子体化学气相沉积装置,该装置可以。 甲PCVD装置11包括第一导体20细长的,并且其被设置在第一导体20的外周侧上的第二导体30的圆柱形,第一导体20的外 它包括一个高频输出装置45流动的微波侧20A,直流电源46供给的DC电压施加到第一导体20。 第一连接部23是在第一导体20的高频输出装置45之间的连接部,比所述第二连接部24设置在第一导体20与直流电源46之间的连接部分,处理过的 它位于支撑部21的附近用于支撑物体W. 然后,在第二连接部24之间设置的第一导体20的第一连接部23具有第一凸缘25。 1点域

    アーク蒸着式成膜装置
    9.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019073745A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:JP2017198689

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 【課題】アーク放電の発生に要する電力消費を抑制できるアーク蒸着式成膜装置を提供する。 【解決手段】真空チャンバ10内に設置されたターゲットカソード11に電圧を印加する電源として、電源電圧は高いが電流容量は小さい高圧電源14と、電源電圧は低いが電流容量は大きい低圧電源15と、の2つの電源を備え、アーク放電の発生に際してターゲットカソード11に電圧を印加する電源を、グロー放電の発生が確認された時点で高圧電源14から低圧電源15に切り替えるようにした。 【選択図】図1

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