公开(公告)号：JP2019052295A

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：JP2018153625

申请日：2018-08-17

Applicant: バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー

Inventor： シアオボー シー ,  ローラ エム.マッツ ,  クリス ケ−ユアン リー ,  ミン−シー ツァイ ,  パオ チァ パン ,  チャド チャン−ツォ シェ ,  ルン−チェ ヤン ,  ブレイク ジェイ.ルー ,  マーク レオナルド オニール ,  アグネス デレクスキー−コバックス

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14

Abstract: 【課題】銅又はシリカ貫通電極(TSV)のCMP用途のためのCMP研磨組成物、方法及びシステムを提供する。 【解決手段】提供されるのは、幅広又はアドバンスドノードの銅又はシリコン貫通電極(TSV)のための、高いかつ調整可能なCu除去速度及び低い銅ディッシングを提供する化学機械平坦化(CMP)配合物である。CMP組成物は、Ta、TaN、Ti及びTiNのような他のバリア層、並びにTEOS、低k、及び超低k膜のような誘電体膜に対するCu膜の高い選択性を提供する。CMP研磨配合物は、溶媒と、研磨剤と、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも3つのキレート剤とを含み、少なくとも1つのキレート剤がアミノ酸又はアミノ酸誘導体である。また、配合物中では、有機4級アンモニウム塩、腐食防止剤、酸化剤、pH調整剤及び殺生物剤が使用される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6687722B2

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：JP2018505673

申请日：2016-08-04

Applicant: バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー

Inventor： チャン ランディ リー−カイ ,  ジーン エバード パリス ,  チェン シウ メイ ,  リ イー−チア ,  リウ ウェン ダル ,  チェン ティエンニウ ,  ローラ エム.マッツ ,  ロー ライバック リー チャン ,  モン リン−チェン

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/42

公开(公告)号：JP2020164877A

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：JP2020107244

申请日：2020-06-22

Applicant: バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー

Inventor： シアオボー シー ,  ローラ エム.マッツ ,  クリス ケ−ユアン リー ,  ミン−シー ツァイ ,  パオ チァ パン ,  チャド チャン−ツォ シェ ,  ルン−チェ ヤン ,  ブレイク ジェイ.ルー ,  マーク レオナルド オニール ,  アグネス デレクスキー−コバックス

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14

Abstract: 【課題】銅又はシリカ貫通電極(TSV)のCMP用途のためのCMP研磨組成物、方法及びシステムを提供する。 【解決手段】提供されるのは、幅広又はアドバンスドノードの銅又はシリコン貫通電極(TSV)のための、高いかつ調整可能なCu除去速度及び低い銅ディッシングを提供する化学機械平坦化(CMP)配合物である。CMP組成物は、Ta、TaN、Ti及びTiNのような他のバリア層、並びにTEOS、低k、及び超低k膜のような誘電体膜に対するCu膜の高い選択性を提供する。CMP研磨配合物は、溶媒と、研磨剤と、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも3つのキレート剤とを含み、少なくとも1つのキレート剤がアミノ酸又はアミノ酸誘導体である。また、配合物中では、有機4級アンモニウム塩、腐食防止剤、酸化剤、pH調整剤及び殺生物剤が使用される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018523851A

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2018505673

申请日：2016-08-04

Applicant: バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー

Inventor： チャン ランディ リー−カイ ,  ジーン エバード パリス ,  チェン シウ メイ ,  リ イー−チア ,  リウ ウェン ダル ,  チェン ティエンニウ ,  ローラ エム.マッツ ,  ロー ライバック リー チャン ,  モン リン−チェン

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05614 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01047

Abstract: 3〜150μmの膜厚を有するフォトレジストパターンを剥離するためのフォトレジスト洗浄組成物であって、(a)4級水酸化アンモニウム、(b)水溶性有機溶媒の混合物、(c)少なくとも1つの腐食防止剤、及び(d)水を含有するフォトレジスト洗浄組成物と、それを用いて基材を処理するための方法とが開示される。