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公开(公告)号：KR102233334B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140050742A
申请日：2014-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： C25D3/30
CPC分类号： C25D3/32 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/123 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0381 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/81191 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2924/0105
摘要： 도금된 범프(bump)의 결정립(grain) 사이즈를 감소시켜 반도체 장치의 신뢰성을 개선할 수 있는 주석 도금액을 제공하는 것이다. 상기 주석 도금액은 가용성 주석 전극으로부터 공급되는 주석 이온, 탄소수 1 내지 10인 지방족 술폰산, 산화 방지제, 습윤제(wetting agent), 및 방향성 카보닐 화합물(Aromatic Carbonyl Compound)인 결정 성장 억제제(grain refiner)을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102227858B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190036315A
申请日：2019-03-28
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
IPC分类号： H01L21/56 , B23K26/362 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/31 , H01L23/498
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/585 , H01L21/78 , B23K26/362 , H01L21/3043 , H01L21/76 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L23/12 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L21/561 , H01L22/34 , H01L2224/03009 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/13144 , H01L2224/16227 , H01L2224/17106 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2224/81191 , H01L2224/81447 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157
摘要： 본 발명은 반도체 다이의 스크라이브 라인(scribe line)에 형성된 패시베이션 절연막의 구조 변경을 통하여 실리콘 데브리스(grooving burr or Si debris)의 발생 높이를 낮추도록 하는 반도체 다이 형성 및 패키징 방법에 관한 것이다. 본 발명은 IC 칩 영역인 다이 영역들 사이에 위치하는 스크라이브 라인 영역에 패시베이션 절연막이 제거된 구조를 제공한다. 이러한 구조에 의하여 레이저 그루빙 공정에 따라 레이저 빔이 상기 스크라이브 라인 영역에 조사되면 패시베이션 절연막이 아닌 층간 절연막의 상면부터 실리콘 데브리스가 소정 높이로 형성되는 것이다. 따라서 종래 패시베이션 절연막부터 형성된 실리콘 데브리스에 의하여 ACF 도전볼의 이동이 차단되는 문제를 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：JP6433590B2
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：JP2017523590
申请日：2016-05-31
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/77 , H01L24/84 , H01L2224/04034 , H01L2224/05557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/37147 , H01L2224/40227 , H01L2224/40996 , H01L2224/73263 , H01L2224/77353 , H01L2224/81191 , H01L2224/81205 , H01L2224/83205 , H01L2224/84205 , H01L2224/84345 , H01L2224/84365 , H01L2224/84385 , H01L2224/84395 , H01L2224/84424 , H01L2224/92142 , H01L2224/84 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：JP2018152417A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017046390
申请日：2017-03-10
申请人： 東芝メモリ株式会社
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L21/76897 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13118 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/1415 , H01L2224/1416 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/17505 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2225/06586 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/1438 , H01L2924/00014
摘要： 【課題】半導体チップ積層体をより効率的に樹脂で封止した半導体装置及びその製造方法 を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1面を有する配線基板と、前記第1面上に位置 し、第1半導体チップと、前記第1半導体チップと前記第1面との間に設けられ貫通電極 を有する第2半導体チップと、前記第2半導体チップと前記第1面との間に設けられる第 3半導体チップとを含むチップ積層体と、前記第1面と前記第3半導体チップとの間に位 置し前記第1面及び前記第3半導体チップに接する第1樹脂と、前記第2半導体チップと 前記第1面との間に位置し、前記第2半導体チップ及び前記第1面に接し前記チップ積層 体を封止し、かつ前記第1樹脂と異なる材料の第2樹脂と、を具備する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018129475A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017023207
申请日：2017-02-10
申请人： 東芝メモリ株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0225 , H01L2224/0226 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/036 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/119 , H01L2224/11912 , H01L2224/13025 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13564 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/3656 , H01L2924/00014 , H01L2224/03462 , H01L2924/00012
摘要： 【課題】基板接合の信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第一の配線電極が表面に設けられた第一の半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記第一の配線電極上に開口部を有する第一の保護層と、前記第一の保護層の開口部に形成された第一のバンプ電極と、前記第一のバンプ電極に接合されたバンプ径が30μm以下のバンプと、を有する。前記開口部に形成された前記第一のバンプ電極の底面の径は前記第一の保護層の膜厚の1.5倍以下である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6352644B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2014024374
申请日：2014-02-12
申请人： 新光電気工業株式会社
发明人： 白木 聡史
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/16237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1533 , H01L2924/181 , H05K1/111 , H05K1/144 , H05K3/0052 , H05K3/0097 , H05K2201/0939 , H05K2201/09409 , H05K2201/09418 , H05K2201/10977 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
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公开(公告)号：JP6348054B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2014245164
申请日：2014-12-03
申请人： 恆勁科技股▲ふん▼有限公司
CPC分类号： H05K1/181 , H01L21/4857 , H01L23/295 , H01L23/49822 , H01L23/49861 , H01L23/5383 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0333 , H05K1/115 , H05K3/10 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , Y10T29/49149 , H01L2924/014
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公开(公告)号：JP6344667B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2016546574
申请日：2015-08-26
申请人： 国立大学法人東北大学 , 東芝メモリ株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/11013 , H01L2224/1131 , H01L2224/11848 , H01L2224/13025 , H01L2224/16148 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2018093156A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2017041466
申请日：2017-03-06
申请人： 株式会社新川
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/75 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75745 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 【課題】 電子部品を接着材料を介して基板上に良好にボンディングすることである。 【解決手段】 ボンディング装置10は、電子部品100を基板110又は他の電子部品に接着材料112を介して熱圧着するボンディング装置であって、個片状の多孔質性シート130を挟んで電子部品100を吸着する第1吸引孔50が設けられたボンディング面44と、ボンディング面44に向かって先細るテーパ状に形成され、多孔質性シート130を吸着する第2吸引孔52,54が設けられたテーパ側面46とを含むボンディング先端部42を有するボンディングツール40と、第1吸引孔50と第2吸引孔52,54を互いに独立して制御するボンディング制御部30とを備える。 【選択図】図8
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公开(公告)号：JP2018514944A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2017549670
申请日：2015-10-09
发明人： クォン, ウソン , ラマリンガム, サレシュ
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L24/01 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/11003 , H01L2224/16145 , H01L2224/1703 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161
摘要： 一例では、半導体アセンブリは、第1のICダイ(104A)、第2のICダイ(104B)、およびブリッジモジュール(110)を備える。第1のICダイは、そのトップ面に、複数の相互接続部(108)のうちの第1の相互接続部(108A)および複数のダイ間コンタクト(608)のうちの第1のダイ間コンタクト(608A)を含む。第2のICダイは、そのトップ面に、複数の相互接続部のうちの第2の相互接続部(108B)および複数のダイ間コンタクトのうちの第2のダイ間コンタクト(608B)を含む。ブリッジモジュールは、第1の相互接続部と第2の相互接続部との間に配置され、そのトップ面にあるブリッジ相互接続部(112)であって、複数のダイ間コンタクトに機械的及び電気的に結合されたブリッジ相互接続部と、そのトップ面に配置され、第1のICと第2のICとの間で信号をルーティングする導電性相互接続部(706)の層(複数可)とを含む。ブリッジモジュールの背面(710)は、複数の相互接続部の高さを超えて延びていない。【選択図】図1A
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