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公开(公告)号:KR102225215B1
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:KR1020140154464A
申请日:2014-11-07
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L27/108 , H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号: H01L28/40 , H01L24/05 , H01L23/5222 , H01L23/5223 , H01L2224/05012 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/14131 , H01L2224/94 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L24/13
摘要: MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터의 형상 및, MIM 캐패시터와 단자 패드 사이의 위치 관계 조절하여, MIM 캐패시터의 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 기판 상의 층간 절연막, 상기 층간 절연막 내에 배치되고, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 전극과, 제1 캐패시터 절연막과, 제1 상부 전극을 포함하는 제1 캐패시터 구조체, 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 단자 패드를 포함하는 금속 배선으로, 상기 단자 패드는 상기 제1 캐패시터 구조체와 비오버랩되는 금속 배선을 포함한다.
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公开(公告)号:JP6385202B2
公开(公告)日:2018-09-05
申请号:JP2014174648
申请日:2014-08-28
申请人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/03 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/0381 , H01L2224/03828 , H01L2224/03848 , H01L2224/03849 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05562 , H01L2224/05569 , H01L2224/05644 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2924/01024 , H01L2924/3512 , H01L2924/365 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/00012 , H01L2224/0231 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L21/78 , H01L2221/68304 , H01L2221/68381
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公开(公告)号:JP2018523851A
公开(公告)日:2018-08-23
申请号:JP2018505673
申请日:2016-08-04
发明人: チャン ランディ リー−カイ , ジーン エバード パリス , チェン シウ メイ , リ イー−チア , リウ ウェン ダル , チェン ティエンニウ , ローラ エム.マッツ , ロー ライバック リー チャン , モン リン−チェン
IPC分类号: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/42
CPC分类号: C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/02311 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171 , H01L2224/05614 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/1181 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81191 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/01047
摘要: 3〜150μmの膜厚を有するフォトレジストパターンを剥離するためのフォトレジスト洗浄組成物であって、(a)4級水酸化アンモニウム、(b)水溶性有機溶媒の混合物、(c)少なくとも1つの腐食防止剤、及び(d)水を含有するフォトレジスト洗浄組成物と、それを用いて基材を処理するための方法とが開示される。
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公开(公告)号:JP2018129496A
公开(公告)日:2018-08-16
申请号:JP2017153436
申请日:2017-08-08
申请人: ルーメンス カンパニー リミテッド
发明人: ユ, テク ヨン , キム, デ ウォン , ユン, ソン ボク , ウォン, イェ リム , ムン, ミョン ジ , ジャン, ハン ビッ , キム, ヨン ピル , パク, ジェ スン
CPC分类号: H01L25/167 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L27/092 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/1146 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/16145 , H01L2224/81191 , H01L2224/81224 , H01L2224/81365 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/014 , H01L2933/0066
摘要: 【課題】基板間の熱膨張係数の差によるミスアライメント問題を解決するマイクロLEDモジュール及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のマイクロLEDモジュールの製造方法は、多数の電極パッド及び多数のLEDセルを含むマイクロLEDを準備する段階と、多数の電極パッドに対応する多数の電極を含むサブマウント基板を準備する段階と、多数の電極パッドと多数の電極との間に位置する多数のソルダーを用いてマイクロLEDをサブマウント基板にフリップチップボンディングする段階と、を有し、フリップチップボンディングする段階は、多数のソルダーをレーザービームで加熱する。 【選択図】図5b
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公开(公告)号:JP2018520498A
公开(公告)日:2018-07-26
申请号:JP2017553211
申请日:2015-06-25
申请人: インテル・コーポレーション
发明人: リー、ギュ−オウ , サラマ、イスラム エイ. , ヴィスワナス、ラム エス. , サンクマン、ロバート エル. , サビ、ババク , チャヴァリ、スリ チャイトラ ジョスナ
IPC分类号: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12 , H01L25/065
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/48 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15311
摘要: パッケージオンパッケージ(PoP)のための凹型の導電性コンタクトを有する集積回路(IC)構造が本明細書において開示される。例えば、IC構造は、第1レジスト面を有するICパッケージと、第1レジスト面に配置される凹部であって、凹部の底部は第2レジスト面を有する、凹部と、第1レジスト面に位置する第1の複数の導電性コンタクトと、第2レジスト面に位置する第2の複数の導電性コンタクトとを含み得る。他の実施形態が開示されてもよく、および/または、請求されてもよい。
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公开(公告)号:JP2018514948A
公开(公告)日:2018-06-07
申请号:JP2017555755
申请日:2016-04-14
申请人: クアルコム,インコーポレイテッド
IPC分类号: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/05147 , H01L2224/131 , H01L2224/32145 , H01L2224/73153 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/10253 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要: システムおよび方法は、モノリシック3次元集積回路(3D−IC)のための電力供給ネットワーク(PDN)に関する。モノリシック3D−ICは、電源/接地バンプに隣接して接触する第1のダイを含む。第2のダイが第1のダイ上に積層され、第2のダイは、第1のダイによって電源/接地バンプから分離される。1つまたは複数のバイパス電源/接地ビアおよび1つまたは複数のモノリシック階層間ビア(MIV)が、電源/接地バンプから第2のダイに電力を供給するように構成される。
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公开(公告)号:JP2018511180A
公开(公告)日:2018-04-19
申请号:JP2017550148
申请日:2016-03-23
发明人: ヘルムート リンク , ゲーノット バウアー , ロベルト ツリレ , カイアレクサンダー シャハトシュナイダー , ミカエル オーテ , ハールド ウィーズナー
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号: H01L24/13 , H01L23/5226 , H01L23/53204 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/03622 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05558 , H01L2224/05657 , H01L2224/11005 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/94 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/01078 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01051
摘要: 記載される例において、ボンドパッドを形成する方法(100)が、その上に形成される少なくとも一つの集積回路(IC)デバイスを含む基板を提供すること(101)を含み、ICデバイスは、易酸化性最上金属相互接続層を有し、易酸化性最上金属相互接続層は、ICデバイス上の回路ノードに結合される複数のボンドパッドを提供する。複数のボンドパッドは、金属ボンドパッドエリアを含む。コバルト含有接続層が、金属ボンドパッドエリアの直接上に堆積される(102)。コバルト含有接続層は、複数のボンドパッドのためのコバルトボンドパッド表面を提供するためにパターニングされ(103)、はんだ材料が、コバルトボンドパッド表面上に形成される(104)。
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公开(公告)号:JP6303137B2
公开(公告)日:2018-04-04
申请号:JP2015554515
申请日:2014-11-19
申请人: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号: H01L23/498 , C25D5/022 , C25D5/12 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/705 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/4924 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02311 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03903 , H01L2224/0401 , H01L2224/05007 , H01L2224/05013 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/1403 , H01L2224/14155 , H01L2924/00014
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公开(公告)号:JP6277693B2
公开(公告)日:2018-02-14
申请号:JP2013247862
申请日:2013-11-29
申请人: 三菱電機株式会社
发明人: 小山 英寿
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205
CPC分类号: H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034
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公开(公告)号:JP2017183571A
公开(公告)日:2017-10-05
申请号:JP2016070283
申请日:2016-03-31
申请人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人: 原野 英樹
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/563 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/14131 , H01L2224/16113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/92125 , H01L23/3142 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751
摘要: 【課題】半導体装置における信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電極パッド1cのそれぞれを露出させる開口部1fが形成された絶縁膜1eを有する半導体基板10を準備し、複数の電極パッド1cのそれぞれに導電性粒子8を有するフラックス材7を配置する。配置後、フラックス材7を介して複数の電極パッド1cのそれぞれの上に半田ボール3を配置し、さらに、フラックス材7を介して半田ボール3を加熱して半田ボール3を複数の電極パッド1cのそれぞれに接合する。その際、絶縁膜1eにおける開口部1fの幅D1は、半田ボール3の幅(直径D2)より小さい。 【選択図】図9
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