公开(公告)号：JP2018152410A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017046139

申请日：2017-03-10

申请人： 株式会社東芝

发明人： 米原 健矢 ,  齋藤 尚史 ,  梶原 瑛祐 ,  加藤 大望 ,  清水 達雄 ,  西田 靖孝

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02332 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7802

摘要： 【課題】動作を安定化させることができる半導体装置及び電気装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、窒化物半導体を含む第1半導体層と、第1方向において前記第1半導体層と離れた第1電極と、前記第1半導体層と前記第1電極との間に設けられ、シリコン及び酸素を含む第1絶縁膜と、を含む。前記第1絶縁膜は、前記第1方向の第1厚さを有する。前記第1絶縁膜は第1位置を有し、前記第1位置と前記第1半導体層との間の距離は、前記第1厚さの1/2である。前記第1位置における水素の第1水素濃度は、2.5×10 19 atoms/cm 3 以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6302254B2

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2014005040

申请日：2014-01-15

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 彦坂 年輝 ,  吉田 学史 ,  名古 肇 ,  布上 真也

IPC分类号： C23C16/34 ,  H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/201 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

公开(公告)号：JP2017532762A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2017507850

申请日：2014-09-19

申请人： インテル・コーポレーション

发明人： エス． モハパテラ、チャンドラ ,  エス． モハパテラ、チャンドラ ,  エス． ムールティ、アナンド ,  エス． ムールティ、アナンド ,  エイ． グラス、グレン ,  エイ． グラス、グレン ,  ガーニ、タヒア ,  ティー． カヴァリーロス、ジャック ,  ティー． カヴァリーロス、ジャック ,  ラッチマディ、ウィリー ,  ヴィー． メツ、マシュウ ,  ヴィー． メツ、マシュウ ,  ディウェイ、ギルバート

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/201 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

摘要： アクティブチャネルと基板との間の下部構造、例えばバッファ上に、低バンドギャップ材料を含むアクティブチャネルを含み得る、アクティブチャネルと基板との間にバッファを有するトランジスタデバイス。下部構造は、所望の伝導バンドオフセットを有する高バンドギャップ材料を含み得、これにより、漏洩がアクティブチャネル内の電子移動度への著しい影響なしに阻止され得る。ある実施形態では、アクティブチャネル及び下部構造は、狭い溝内に形成され得、これにより、アクティブチャネルと下部構造との間の格子不整合に起因する欠陥が下部構造において終結される。さらなる実施形態では、下部構造が除去されて、アクティブチャネルと基板との間の空隙を形成し得るか、あるいは、絶縁材料がアクティブチャネルと基板との間に配置され得、これにより、空隙または絶縁材料が絶縁バッファを形成する。

公开(公告)号：JP6214595B2

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：JP2015104060

申请日：2015-05-22

申请人： インテル コーポレイション

发明人： ピラリセッティ,ラヴィ ,  カヴァリエロス,ジャック ティー. ,  チュー−クーン,ベンジャミン ,  ラハマディ,ウィリー ,  フダイト,マントゥ,ケイ. ,  ムケルジー,ニロイ ,  ラドサヴリエヴィッチ,マルコ ,  チャウ,ロバート エス.

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517

公开(公告)号：JP2017139390A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016020300

申请日：2016-02-04

申请人： 富士通株式会社

发明人： 石黒 哲郎 ,  中村 哲一

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/537 ,  H03F2200/541

摘要： 【課題】ドレインラグが発生することなく、電流コラプスの発生が抑制された半導体装置を提供する。 【解決手段】基板の上に、窒化物半導体により形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に、窒化物半導体により形成された組成傾斜層と、前記組成傾斜層の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記バッファ層は、GaNを含む材料により形成されており、前記組成傾斜層は、前記バッファ層の側から前記第1の半導体層の側に向かって、Alの組成比が増加していることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6122854B2

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：JP2014533260

申请日：2011-09-29

申请人： インテル・コーポレーション

发明人： イー． ロメロ、パトリシオ ,  イー． ロメロ、パトリシオ ,  ビー． クレンデニング、スコット ,  ビー． クレンデニング、スコット

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/201 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6002158B2

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：JP2013554636

申请日：2012-02-17

申请人： ユナイテッド アラブ エミレーツ ユニバーシティ ,  UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY

发明人： ハイク,ユーセフ ,  アイーシュ,アフマド,イブラヒーム ,  モーシン,マハムード,アラウィ

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0067 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/201 ,  H01L47/00 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0591 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/02 ,  H01L51/0048

公开(公告)号：JP2016134565A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2015009596

申请日：2015-01-21

申请人： 株式会社東芝

发明人： 洪 洪 ,  磯部 康裕 ,  吉岡 啓

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： 【課題】移動度をより向上させることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置1は、基板上に設けられた第1半導体層11と、前記第1半導体層上に設けられ、炭素がドープされた窒化物半導体を含む第2半導体層12と、前記第2半導体層上に設けられ、インジウムがドープされた窒化物半導体を含む第3半導体層13と、前記第3半導体層上に設けられ、前記第3半導体層よりバンドギャップが大きい窒化物半導体を含む第4半導体層14とを含む。第3半導体層13のインジウム濃度は、1×10 18 cm −3 より大きくかつ1×10 19 cm −3 より小さい。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够提高移动性的半导体器件。解决方案：半导体器件1包括：形成在衬底上的第一半导体层11; 形成在第一半导体层上的第二半导体层12，其包含掺杂有碳的氮化物半导体; 形成在第二半导体层上的第三半导体层13，其包含掺杂有铟的氮化物半导体; 以及形成在第三半导体层上的第四半导体层14，其包含具有比第三半导体层的带隙大的带隙的氮化物半导体。 第三半导体层13的铟的密度大于1×10cm且小于1×10cm。图1：

公开(公告)号：JP2016076681A

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：JP2015009070

申请日：2015-01-21

申请人： 株式会社東芝

发明人： ジェフリー クレーグ レイマー ,  カール クニーリーム

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： 【課題】電気的ブレークダウン特性又は構造品質が改善されたHEMTデバイス及びその製造方法を提供する。 【解決手段】高電子移動度トランジスタ(HEMT)の製造方法は、基板202を用意する工程と、積層チャネル層206を基板202上に形成する工程と、バリア層208を積層チャネル層206の上に形成する工程と、を備える。積層チャネル層206は、1つ以上の炭素ドープ窒化ガリウム層220、222、224、226と、1つ以上のアンドープ窒化ガリウム層221、223、225とを含み、炭素ドープ窒化ガリウム層220、222、224、226と、アンドープ窒化ガリウム層221、223、225とは、交互に設けられている。 【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有改进的电击穿特性或改进的结构质量的HEMT器件，并提供其制造方法。解决方案：制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法包括以下步骤： ：准备衬底202; 在衬底202上形成层压通道层206; 并且在层叠沟道层206上形成阻挡层208.层叠沟道层206包括一个或多个碳掺杂氮化镓层220,222,224和226以及一个或多个未掺杂的氮化镓层221,223和 交替地提供碳掺杂的氮化镓层220,222,224和226以及未掺杂的氮化镓层221,223和225.选择的图：图2

公开(公告)号：JP5744346B2

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：JP2014552768

申请日：2012-12-17

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 山口 裕太郎 ,  大石 敏之 ,  大塚 浩志 ,  山中 宏治

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7788 ,  H01L2924/13064