相補型スイッチ素子
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2020138168A1

    公开(公告)日:2021-11-11

    申请号:JP2019050823

    申请日:2019-12-25

    Inventor: 冨岡 克広

    Abstract: 相補型スイッチ素子は、第1導電型のチャネルを有する第1TFETと、第2導電型のチャネルを有する第2TFETとを有する。第1TFETおよび第2TFETは、それぞれ、第1導電型にドープされたIV族半導体基板と、IV族半導体基板上に配置されたIII−V族化合物半導体からなるナノワイヤと、IV族半導体基板に接続された第1電極と、ナノワイヤに接続された第2電極と、IV族半導体基板とナノワイヤとの界面に電界を作用させるゲート電極と、を有する。ナノワイヤは、IV族半導体基板に接続された第1領域と、第2導電型にドープされた第2領域とを含む。第1TFETでは、第2電極がソース電極であり、第1電極がドレイン電極である。第2TFETでは、第1電極がソース電極であり、第2電極がドレイン電極である。

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