公开(公告)号：JP6600918B2

公开(公告)日：2019-11-06

申请号：JP2017543415

申请日：2016-09-27

Applicant: 国立大学法人北海道大学 ,  国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 福井 孝志 ,  冨岡 克広

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JPWO2017057329A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2016078393

申请日：2016-09-27

Applicant: 国立大学法人北海道大学 ,  国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 福井 孝志 ,  冨岡 克広

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/095 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 本発明に係るトンネル電界効果トランジスタは、チャネルと、前記チャネルの一端に直接または間接的に接続されたソース電極と、前記チャネルの他端に直接または間接的に接続されたドレイン電極と、前記チャネルに電界を作用させて、前記チャネルの前記ソース電極側の接合部にトンネル現象を生じさせるとともに、同時に前記チャネルに二次元電子ガスを生じさせるゲート電極と、を有する。

公开(公告)号：JP6095083B2

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：JP2015544804

申请日：2014-10-29

Applicant: 国立大学法人北海道大学 ,  国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 福井 孝志 ,  冨岡 克広

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0262 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78642 ,  B82Y30/00

公开(公告)号：JP5999611B2

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：JP2015531725

申请日：2014-08-12

Applicant: 国立大学法人北海道大学 ,  国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 福井 孝志 ,  冨岡 克広

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/413 ,  B82Y40/00

公开(公告)号：JPWO2020138168A1

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：JP2019050823

申请日：2019-12-25

Applicant: 国立大学法人北海道大学

Inventor： 冨岡 克広

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L21/8238

Abstract: 相補型スイッチ素子は、第1導電型のチャネルを有する第1TFETと、第2導電型のチャネルを有する第2TFETとを有する。第1TFETおよび第2TFETは、それぞれ、第1導電型にドープされたIV族半導体基板と、IV族半導体基板上に配置されたIII−V族化合物半導体からなるナノワイヤと、IV族半導体基板に接続された第1電極と、ナノワイヤに接続された第2電極と、IV族半導体基板とナノワイヤとの界面に電界を作用させるゲート電極と、を有する。ナノワイヤは、IV族半導体基板に接続された第1領域と、第2導電型にドープされた第2領域とを含む。第1TFETでは、第2電極がソース電極であり、第1電極がドレイン電極である。第2TFETでは、第1電極がソース電極であり、第2電極がドレイン電極である。

公开(公告)号：JP6232611B2

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：JP2013138894

申请日：2013-07-02

Applicant: 国立大学法人北海道大学

Inventor： 福井 孝志 ,  石坂 文哉 ,  冨岡 克広

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L21/205 ,  H01L33/18

公开(公告)号：JP5943339B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：JP2011544174

申请日：2010-06-04

Applicant: 国立大学法人北海道大学 ,  シャープ株式会社

Inventor： 福井 孝志 ,  冨岡 克広

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01S5/343 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01S5/3428 ,  H01L2933/0083 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18369