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公开(公告)号：JP6140885B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2016507499
申请日：2015-03-06
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L49/00 , G11C14/0081 , G11C14/009 , H01L27/226 , H01L27/2436 , H03K3/356 , G11C11/16
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公开(公告)号：JP6553713B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2017509877
申请日：2016-03-24
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/417 , H03K3/353
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公开(公告)号：JPWO2016158691A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2017509877
申请日：2016-03-24
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H03K3/353 , G11C11/412 , G11C11/417
CPC分类号： G11C11/412 , G11C5/148 , G11C11/413 , G11C14/0054 , H03K3/353 , H03K3/356 , H03K3/3565 , H03K5/08
摘要： 電源電圧が供給される正電源と負電源との間に接続され、第1モードと第2モードとが切り替わるインバータ回路である第1インバータおよび第2インバータがループ状に接続された双安定回路と、前記インバータ回路に、前記インバータ回路を前記第1モードとする第1信号と、前記インバータ回路を前記第2モードとする第2信号と、を出力する制御回路20と、前記インバータ回路が前記第1モードのとき前記電源電圧として第1電圧を供給し、前記インバータ回路が前記第2モードのとき前記電源電圧として前記第1電圧より高い第2電圧を供給する電源供給回路30と、を具備し、前記第1モードは伝達特性にヒステリシスを有するモードであり前記第2モードは伝達特性にヒステリシスがないモードである、および/または、前記第1モードは前記第2モードより伝達特性が急峻であるモードである電子回路。
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公开(公告)号：JP6230204B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2016542556
申请日：2015-08-06
CPC分类号： G11C14/0081 , G11C11/412
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公开(公告)号：JP6424272B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2017521945
申请日：2016-05-31
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L41/09 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/14 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L41/09 , H01L43/08
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公开(公告)号：JP6830681B2
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：JP2019124905
申请日：2019-07-04
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H03K3/353 , G11C11/412 , G11C11/417 , H03K19/094 , H03K3/356
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公开(公告)号：JP2019216423A
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2019124905
申请日：2019-07-04
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H03K3/353 , G11C11/412 , G11C11/417 , H03K19/094 , H03K3/356
摘要： 【課題】電子回路の消費電力を削減すること。 【解決手段】第1電源電圧が供給される第1電源と前記第1電源電圧より低い第2電源電圧が供給される第2電源との間に接続され、ループを形成する第1インバータおよび第2インバータと、前記ループ内にクロック信号に同期しオンおよびオフするスイッチと、を備える双安定回路と、前記スイッチに前記クロック信号を供給するクロック供給回路と、前記クロック供給回路が前記クロック信号を供給しないとき前記第1電源電圧と前記第2電源電圧との差である電源電圧として第1電圧を供給し、前記クロック供給回路が前記クロック信号を供給するとき前記電源電圧として前記第1電圧より高い第2電圧を供給する電源供給回路と、を具備することを特徴とする電子回路。 【選択図】図15
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公开(公告)号：JPWO2016194886A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017521945
申请日：2016-05-31
申请人： 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L21/8244 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L29/82 , H01L41/09
CPC分类号： G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L41/09 , H01L43/08
摘要： 磁歪材料を含む磁歪層11を備えたフリー層10と、第1強磁性体層16を備えるピン層18と、前記ピン層と前記フリー層との間に設けられた薄膜と、前記フリー層と前記ピン層との積層方向に交差する方向から前記磁歪層の少なくとも一部を囲むように設けられ、前記磁歪層に圧力を加える圧電体22と、前記フリー層に印加される電圧および前記ピン層に印加される電圧と異なる電圧を印加可能であって、前記圧電体が前記磁歪層に圧力を加えるように前記圧電体に電圧を印加する電極24と、を具備する磁気抵抗素子。
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