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公开(公告)号：JP5280004B2
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：JP2006532734
申请日：2005-08-30
申请人： 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , C30B23/002 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01S5/021 , H01S5/041 , H01S5/183 , H01S5/3202 , H01S5/3412 , H01S5/34333 , H01S2304/04
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公开(公告)号：JP5253740B2
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：JP2007001812
申请日：2007-01-09
申请人： 学校法人上智学院
IPC分类号： C30B29/62 , C30B29/38 , C30B29/40 , H01L21/203 , H01L21/205
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公开(公告)号：JPWO2010023921A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010526554
申请日：2009-08-27
申请人： 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01S5/0213 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/4025 , H01S5/423 , Y02E10/548
摘要： 複数の凹部が形成された主面を有する半導体基板と、前記半導体基板の当該主面上に形成され、かつ前記複数の凹部の直上にそれぞれ複数の開口部を有するマスクパターンと、前記複数の凹部から前記複数の開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる複数の微細柱状結晶と、前記複数の微細柱状結晶上にそれぞれ成長した活性層と、前記各活性層を被覆する半導体層と、を備える半導体光素子アレイが提供される。
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公开(公告)号：JP5547076B2
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：JP2010526554
申请日：2009-08-27
申请人： 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01S5/0213 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/4025 , H01S5/423 , Y02E10/548
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公开(公告)号：JP5515079B2
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：JP2009543659
申请日：2008-11-26
申请人： 学校法人上智学院
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/203 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/16 , C23C14/042 , C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/605 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02642 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66795 , H01L33/0075 , H01L33/20
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公开(公告)号：JP5687731B2
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：JP2013132114
申请日：2013-06-24
申请人： 学校法人上智学院
IPC分类号： H01L33/24 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01S5/0213 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/4025 , H01S5/423 , Y02E10/548
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7.发明专利
公开(公告)号：JP5464518B2
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：JP2009531102
申请日：2008-08-27
申请人： 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L21/02642 , C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603
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公开(公告)号：JP5043472B2
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：JP2007049765
申请日：2007-02-28
申请人： 学校法人上智学院
IPC分类号： H01L21/203 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/32
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公开(公告)号：JPWO2009069286A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：JP2009543659
申请日：2008-11-26
申请人： 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L33/16 , C23C14/042 , C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/605 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02642 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66795 , H01L33/0075 , H01L33/20
摘要： III族窒化物構造体が、基板102と、基板102上に、基板102の表面に対して垂直方向に立設され、基板102の面内方向に延在する微細壁状構造体110と、を備え、微細壁状構造体110は、III族窒化物半導体結晶を含み、微細壁状構造体110の高さをhとし、高さ方向および延在方向と直交する方向における微細壁状構造体の幅をdとしたとき、hがdよりも大きい。
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公开(公告)号：JPWO2009031276A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：JP2009531102
申请日：2008-08-27
申请人： 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L21/02642 , C30B23/00 , C30B29/403 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603
摘要： III族窒化物構造体が、基板102表面の所定領域に形成された金属からなる表面を有する膜108と、少なくとも基板102表面上に形成されたIII族窒化物半導体からなる微細柱状結晶110とを含み、前記膜108が形成されていない前記基板102表面上において、前記膜108上よりも前記微細柱状結晶110の空間占有率が高い。
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