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公开(公告)号：JP2018176646A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017083233
申请日：2017-04-19
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
CPC classification number: H05K7/20927 , B41J2/01 , B41J11/002 , H01S5/02423
Abstract: 【課題】駆動部が冷却部の幅方向を向いた側面に対向して配置されている場合と比して、光照射装置の幅方向の長さを短くすることができる光照射装置、光照射システム、及び画像形成装置を提供する。 【解決手段】冷却部54は、発光部52が実装されている第一面64Aと、第一面64Aに対して反対側を向く第二面64Bとを有する。そして、供給部56及び駆動部62は、第二面64Bが向く一方向において第二面64Bと対向して配置されている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017191149A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016079126
申请日：2016-04-11
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
Abstract: 【課題】発熱体が曲面上に形成された場合でも補正用導体を発熱体上に精度良く形成することができ、定着むらが生じにくい定着装置等を提供する。 【解決手段】曲面形状を有し曲面形状により生ずる頂部Qを有する基板110と、基板110上に設けられ電流によって発熱する抵抗発熱体120と、抵抗発熱体120上であって頂部Qの位置および頂部Qに隣接する位置の少なくとも一方に設けられ、抵抗発熱体120と接触して抵抗発熱体120の抵抗値を補正する補正用導体180と、を有する加熱部材と、加熱部材に接して加熱されるとともに循環するベルト部材と、ベルト部材に接してニップ部を形成する加圧部材と、を備える定着装置。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2017162568A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016043555
申请日：2016-03-07
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
CPC classification number: B41F15/34 , G03G15/1655 , G03G15/2053 , H05K1/0212 , B41F15/0813 , B41F15/0827 , B41F15/0845 , B41F15/0854 , B41F15/0872 , B41F15/0895 , B41M1/12 , B41M1/40 , G03G15/20 , G03G2215/2035 , H05K1/053 , H05K1/167 , H05K2201/017 , H05K2201/09263 , H05K2203/0323 , H05K3/1216 , H05K3/1233 , H05K3/284
Abstract: 【課題】基板が曲面形状であっても、スクリーン印刷後の塗布液の膜厚がより均一になりやすく、発熱体の抵抗値がばらつきにくい加熱装置の製造方法等を提供する。 【解決手段】曲面形状の基板110を準備する準備工程と、基板110上に設けられ電流によって発熱する抵抗発熱体を形成するために、基板110を回転させつつスクリーン210を移動させるとともにスキージ230によりスクリーン210を基板側110に押圧し、抵抗発熱体を形成する抵抗発熱体用ペーストをスクリーン210を通して基板110に転写させ印刷を行なう工程を含む発熱体形成工程と、を含み、発熱体形成工程は、スキージ230を転写箇所Qよりもスクリーン210の移動方向(矢印F方向)上流側の接触箇所Rでスクリーン210に接触させることを特徴とする加熱装置の製造方法。 【選択図】図12
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公开(公告)号：JP2017162567A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016043554
申请日：2016-03-07
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
Abstract: 【課題】絶縁層を形成する際に絶縁層が形成されない箇所が生じにくい加熱装置の製造方法等を提供する。 【解決手段】一方の表面に平坦部111と凹部112とを有する基板110の平坦部111上および凹部112に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、基板110の平坦部111上であって絶縁層上に設けられ、電流によって発熱する抵抗発熱体を形成する発熱体形成工程と、基板110の凹部112であって絶縁層上に配置されるとともに抵抗発熱体と直列に接続される正の温度係数の抵抗素子を実装する抵抗素子実装工程と、抵抗発熱体及び抵抗素子を覆うように設けられ、抵抗発熱体及び抵抗素子を保護する保護層を形成する保護層形成工程と、を含み、絶縁層形成工程は、平坦部111上に絶縁層を塗布するとともに、凹部112に凹部112から平坦部111に向け延伸する延伸部161を備えるように絶縁層を塗布する加熱装置の製造方法。 【選択図】図14
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公开(公告)号：JP2016115803A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014253227
申请日：2014-12-15
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/3043 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002
Abstract: 【課題】カメラ等の検知手段で基板表面側のパターンを検知することなしに切削部材の位置決めができる半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面から、当該基板の切断領域に沿う表面側の溝と、当該表面側の溝に沿って当該基板の裏面から切削する切削部材の位置決め用の印として、当該表面側の溝よりも深い深さのアライメント用溝(凹部)とを形成する工程と、前記基板の裏面から、アライメント用溝には達するが表面側の溝には達しないように基板をの厚みを薄くする工程と、基板の裏面に露出したアライメント用溝を位置決め用の印として、基板の裏面から切削部材の位置決めを行う工程と、位置決めされた切削部材で基板の裏面側から表面側の溝に向けて切削する工程とを備える。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造半导体片的方法，该半导体片允许定位切割构件，而不通过诸如照相机的检测装置在基底表面侧检测图案。解决方案：一种制造半导体片的方法包括 沿着基板的切割区域从基板的表面形成表面侧槽的步骤以及比表面侧凹槽更深的对准槽（凹部），作为用于从背面切割的切割构件的对准标记 的基板的表面侧凹槽，从基板的背面使基板变薄以达到对准槽但不到达表面侧槽的工序;将切割构件从背面侧定位的工序 通过使用暴露于表面的对准槽作为定位标记，以及从基板的背面向表面侧槽切割的工序，借助于 切割构件如此定位。选择图：图1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016096320A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014237288
申请日：2014-11-25
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 【課題】半導体基板の表面への粘着層の残存抑制と半導体片の段差部の破損抑制とを両立しやすい半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】表面側の溝400をドライエッチングで形成する工程と、基板表面に粘着層164を有するダイシング用テープを貼り付ける工程と、基板Wの裏面側から表面側の溝400に沿って表面側の溝400の幅より広い幅の裏面側の溝170をダイシングブレードで形成する工程と、裏面側の溝170の形成後にダイシング用テープを剥離する工程とを備え、表面側の溝400の形成は、溝の幅が深さ方向に向けて徐々に狭くなる第1のエッチング強度で開始され、溝の形成途中で、第1のエッチング強度よりも強いエッチング強度であって溝の幅が広がらずに下方に延びる第2のエッチング強度に切り替えて幅が広がる部分を有さない溝を形成する。 【選択図】図7
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体芯片制造方法，其使得容易平衡半导体衬底的表面上的残留粘合剂层的抑制和抑制半导体芯片台阶部件的断裂。解决方案：一种半导体芯片制造方法，包括： 通过干蚀刻形成表面侧槽400的工艺; 将具有粘合剂层164的切割带附着在基板表面上的方法; 通过切割刀沿着表面侧槽400从基板W的背面侧形成宽度大于表面侧槽400的宽度的背面侧槽170的工序; 以及在形成后面侧槽170之后剥离切割带的处理。表面侧槽400的形成开始于凹槽的宽度朝向深度方向逐渐减小的第一蚀刻强度，并且在形成 凹槽，蚀刻强度变为比第一蚀刻强度更强的第二蚀刻强度，其中凹槽向下延伸而不增加凹槽的宽度，以形成没有宽度增加的部分的凹槽。图7
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公开(公告)号：JP2019129260A
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：JP2018010753
申请日：2018-01-25
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 【課題】破砕層を形成しない場合と比較して、反りが抑制された半導体基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】おもて面(50)にエピタキシャル層(12)が成膜された半導体基板(10)を準備する工程と、エピタキシャル層(12)に素子を形成する前に半導体基板(10)の裏面(52)に破砕層(14)を形成する工程と、を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016096325A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2015127757
申请日：2015-06-25
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 【課題】半導体基板の表面への粘着層の残存抑制と半導体片の段差部の破損抑制とを両立しやすい半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体片の製造方法は、表面側の微細溝400をドライエッチングで形成する工程と、基板表面に粘着層164を有するダイシング用テープを貼り付ける工程と、基板の裏面側から表面側の微細溝400に沿って表面側の微細溝400の幅より広い幅の裏面側の溝170をダイシングブレードで形成する工程と、裏面側の溝170の形成後にダイシング用テープを剥離する工程とを備える。表面側の微細溝400の形成は、溝の幅が深さ方向に向けて徐々に狭くなる第1のエッチング強度で開始され、溝の形成途中で、第1のエッチング強度よりも強いエッチング強度であって溝の幅が広がらずに下方に延びる第2のエッチング強度に切り替えて幅が広がる部分を有さない溝を形成する。 【選択図】図7
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体芯片制造方法，其使得容易平衡半导体衬底的表面上的粘合剂层的残留的抑制和抑制半导体芯片台阶部件的断裂。解决方案：半导体芯片制造方法 包括：通过干蚀刻形成表面侧细槽400的工艺; 附着到基板表面的方法，具有粘合层164的切割带; 从基板的背面侧和沿着表面侧的微细凹槽400形成的宽度大于由切割刀片的表面侧细槽400的宽度的宽度的背面侧槽170的工序; 以及在形成后面侧槽170之后剥离切割胶带的工序。表面侧细槽400的形成开始于槽的宽度朝向深度方向逐渐减小的第一蚀刻强度，并且在 形成凹槽时，蚀刻强度变为比第一蚀刻强度更强的第二蚀刻强度，其中凹槽向下延伸而不增加凹槽的宽度，以形成没有宽度增加的部分的凹槽。图示：图 7
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公开(公告)号：JP2016096321A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014237293
申请日：2014-11-25
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる、半導体片の製造条件の設定方法、半導体片の製造方法および製造システムを提供する。 【解決手段】半導体片の製造条件の設定方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、前記基板の裏面から、前記表面側の溝の入口部分の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、前記表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成して前記基板を半導体片に個片化する工程と、を備える半導体片の製造方法における製造条件の設定方法であって、前記表面側の溝の幅を確認する工程と、前記切削部材の先端部の厚み方向の中心が溝幅方向にばらつく範囲が、前記確認した幅に包含されるように、前記ばらつく範囲に影響を与える製造条件を設定する工程とを備える。 【選択図】図19
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体芯片破坏的半导体芯片制造条件设定方法以及半导体船的制造方法和制造系统。解决方案：半导体芯片制造条件设定方法是制造条件设定 一种半导体芯片制造方法，包括在基板的表面上形成表面侧凹槽的工艺以及通过旋转切割构件从基板的后表面形成的过程，该旋转切割构件的厚度大于 所述表面侧凹槽，通过所述表面侧凹槽打开以将所述基板分割成半导体芯片的背面侧凹槽，并且包括：检查所述表面侧凹槽的宽度的处理; 以及设定影响切割构件的前端的厚度方向的中心在厚度方向上变化以使其包含在检查宽度内的范围的制造条件的处理。选择图：图19
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公开(公告)号：JP2016092315A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014227665
申请日：2014-11-10
Applicant: 富士ゼロックス株式会社
IPC: B24B27/06 , H01L21/301
Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体片の製造方法は、基板Wの表面に表面側の溝140を形成する工程と、基板の裏面から、表面側の溝の入口部分の幅よりも、厚みが厚い回転する切削部材700で、表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成して、基板を半導体片に個片化する工程と、を備え、切削部材の先端部における厚み方向の中心が1溝幅方向にばらつく範囲が、切削部材の摩耗に伴い700、表面側の溝に包含される範囲から、表面側の溝から外れる範囲になる製造条件においては、ばらつく範囲が表面側の溝に包含される範囲から、表面側の溝から外れる範囲になる前に、切削部材の使用を中止する。 【選択図】図26
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以抑制半导体芯片破损的半导体芯片制造方法。解决方案：一种半导体芯片制造方法包括：在基板W的表面上形成表面侧槽140的步骤; 以及通过具有比表面侧凹槽的入口部分的宽度大的旋转切割构件700与表面侧凹槽连通地从基板的后表面形成后表面侧凹槽以将基板分开的步骤 进入半导体芯片。 在制造条件下，切削部件的顶端的厚度方向的中心的范围在一个槽宽度方向上变动，从表面侧槽覆盖的范围向表面侧槽外侧的范围变化， 切割构件700的切割构件的使用在由表面侧凹槽覆盖的范围改变表面侧凹槽外的范围之前中断。选择图：图26
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