半導体装置の製造方法
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018195625A

    公开(公告)日:2018-12-06

    申请号:JP2017095951

    申请日:2017-05-12

    发明人: 遠藤 信之

    摘要: 【課題】 半導体装置の性能を向上する。 【解決手段】 被処理部材の第1部分および第2部分の上に第1フォトレジストを形成する工程と、第1部分の上において、第1フォトマスクを用いて、第1フォトレジストを露光する工程と、第2部分の上において、第2フォトマスクを用いて、第1フォトレジストを露光する工程と、第1部分および第2部分の上において、第1フォトレジストを現像して第1レジストパターンを形成する工程と、第1レジストパターンをマスクにして第1部分および第2部分をエッチングする工程と、被処理部材の第3部分の上に第2フォトレジストを形成する工程と、第3部分の上において、第3フォトマスクを用いて、第2フォトレジストを露光する工程と、第3部分の上において、第2フォトレジストを現像して第2レジストパターンを形成する工程と、第2レジストパターンをマスクにして第3部分をエッチングする工程と、を有する。 【選択図】 図2