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公开(公告)号：JP6065995B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2016016827
申请日：2016-02-01
Applicant: 富士電機株式会社
CPC classification number: H01L24/80 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/34 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/117 , H01L29/66325 , H02M7/003 , H05K1/0263 , H01L2224/06 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L23/5385 , H01L25/18 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H05K2201/10166
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公开(公告)号：JP2019115030A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2018146166
申请日：2018-08-02
Applicant: 富士電機株式会社
IPC: H03K17/296
Abstract: 【課題】高速での電流遮断が可能であり、電流導通損失を低減可能な電流遮断器を提供する。 【解決手段】電流遮断器(10)は、電流の導通部である主導通部(11)及びこれに並列に接続された補助導通部(12)を備え、主導通部(11)は、自己消弧機能を持たない第1の半導体スイッチング素子(1)と、これに直列に接続され導通部を切り替える導通部切り替え素子(2)と、によって形成され、補助導通部(12)は第2の半導体スイッチング素子(3)によって形成される。この電流遮断器(10)は、第1の半導体スイッチング素子(1)、導通部切り替え素子(2)、第2の半導体スイッチング素子(3)のオン、オフ動作をそれぞれ制御する制御回路を備える。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6201532B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2013180021
申请日：2013-08-30
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor： 飯塚 祐二
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3121 , H01L23/4006 , H01L24/00 , H01L2224/0823 , H01L23/3735 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
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公开(公告)号：JP2018098451A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016244452
申请日：2016-12-16
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor： 飯塚 祐二
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/32 , H01L23/492 , H01L25/115
Abstract: 【課題】外部配線の面積増大に対応し、主配線の低インダクタンス化を実現することができ、複数の定格系列化が望まれる半導体装置の低コスト生産を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】圧接型半導体モジュールは、第1面に形成された第1電極13と、第1面に対向する第2面に形成された第2電極18と、該第2電極に接続された電極板23とを有する複数の半導体ユニット2A,2Bと、各半導体ユニットの電極板に個別に螺合されて圧接力を受ける被圧接面31cを基準圧接面に一致するように調整可能な複数の圧接用調整部材3A,3Bとを備えている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016086186A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2016016827
申请日：2016-02-01
Applicant: 富士電機株式会社
CPC classification number: H01L24/80 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/34 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/117 , H01L29/66325 , H02M7/003 , H05K1/0263 , H01L2224/06 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L23/5385 , H01L25/18 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H05K2201/10166
Abstract: 【課題】冷却体への密着性を高めるとともにその生産効率の向上を図ることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、三つのパワー半導体モジュール1が所定の間隔で同一平面内に並べられ、パワー半導体モジュール1から外部に引き出されたピン状導電体25〜27がそれぞれ3枚の主端子板2A〜2Cと接続されることで、それらが一体に構成された複合モジュールである。複合モジュール全体を保護ケースに収納し、さらに放熱フィンを配置する場合には、貫通孔29に挿入されるボルトで保護ケースと放熱フィンを締結することによって、絶縁基板の底面を放熱フィンと確実に密着させて保護ケースに収納することができる。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法，其增加与冷却体的粘附性并且可以提高其制造效率。解决方案：半导体器件是复合模块，其中三个功率半导体模块1 在相同的平面上以预定的间隔布置，并且从功率半导体模块1被拉出到外部的销状导体25-27分别连接到三个主端子板2A-2C，使得它们彼此一体化。 当整个复合模块被容纳在保护壳体中并且进一步布置散热片时，保护壳体通过插入通孔29的螺栓固定到散热片。以这种方式，可以容纳复合模块 在保护壳中，同时可靠地使绝缘基板的底部与散热片紧密接触。选择图：图3
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6108026B1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2016244452
申请日：2016-12-16
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor： 飯塚 祐二
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/32 , H01L23/492
Abstract: 【課題】外部配線の面積増大に対応し、主配線の低インダクタンス化を実現することができ、複数の定格系列化が望まれる半導体装置の低コスト生産を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】圧接型半導体モジュールは、第1面に形成された第1電極13と、第1面に対向する第2面に形成された第2電極18と、該第2電極に接続された電極板23とを有する複数の半導体ユニット2A,2Bと、各半導体ユニットの電極板に個別に螺合されて圧接力を受ける被圧接面31cを基準圧接面に一致するように調整可能な複数の圧接用調整部材3A,3Bとを備えている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP5994254B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2012003631
申请日：2012-01-11
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor： 飯塚 祐二
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
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公开(公告)号：JP5954410B2
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：JP2014507624
申请日：2013-03-11
Applicant: 富士電機株式会社
CPC classification number: H01L24/80 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/34 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/117 , H01L29/66325 , H02M7/003 , H05K1/0263 , H01L2224/06 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L23/5385 , H01L25/18 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H05K2201/10166
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公开(公告)号：JP2020205326A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019111885
申请日：2019-06-17
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor： 飯塚 祐二
Abstract: 【課題】半導体素子の温度を高精度かつ高速に検出することができ、装置の異常や劣化を高精度かつ高速に検出することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置10において、金属板33C1を表面に有する積層基板と、金属板上に導電性接合材により接合された半導体素子11と、絶縁板23及び温度検出素子24からなり、温度検出素子が絶縁板を介して金属板に接合された少なくとも1つの温度センサ21と、を有する。同一金属板上に配置しているため、半導体素子の温度を高精度、高速に測定する。 【選択図】図1A
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公开(公告)号：JP2020150602A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019044148
申请日：2019-03-11
Applicant: 富士電機株式会社
Inventor： 飯塚 祐二
Abstract: 【課題】高速での電流遮断が可能であり、かつ、電流導通損失の低減が可能な半導体装置を得る。 【解決手段】半導体装置300は、基板上の第1配線パターンP2上に設けられる他励式の第1半導体スイッチング素子サイリスタ1と、基板上の第2配線パターンM2上に設けられ第1半導体スイッチング素子サイリスタ1に直列接続される自励式の第2半導体スイッチング素子MOSFET2とで構成される直列回路部を、少なくとも1つ備えると共に、基板上の第1配線パターンP2上に設けられ、直列回路部に並列接続される自励式の第3半導体スイッチング素子IGBT3を備える。 【選択図】図7
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