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公开(公告)号：JPWO2020066926A1
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2019037060
申请日：2019-09-20
Applicant: 国立大学法人 名古屋工業大学 , 日本碍子株式会社
IPC: C23C14/08 , C30B7/10 , C01G3/00 , H01L21/363 , C30B29/22
Abstract: p型性能の高いデラフォサイト型Cu系複合酸化物膜が提供される。このデラフォサイト型Cu系複合酸化物膜は、CuXO 2 (式中、XはAl、Ga、Fe、Cr及びMnからなる群から選択される少なくとも1種の元素である)の一般式で表される組成を有する結晶構造で構成され、結晶構造がH原子を1×10 18 atoms/cm 3 以上の濃度で含有する。
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公开(公告)号：JP6649959B2
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2017543546
申请日：2016-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/115
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公开(公告)号：JP6609764B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2016519311
申请日：2015-05-15
Applicant: 国立大学法人 名古屋工業大学 , 日本碍子株式会社
IPC: C23C14/24 , C23C14/58 , H01L21/363 , C23C14/08
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JPWO2017057272A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2016078266
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/20 , C01F7/02 , C01P2002/54 , C04B35/111 , C30B1/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B28/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/6835 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835
Abstract: 本発明の一実施形態であるエピタキシャル成長用配向アルミナ基板は、表面を構成する結晶粒子のチルト角が1°以上3°以下であり、平均焼結粒径が20μm以上のものである。ここで、チルト角とは、X線ロッキングカーブ半値幅(XRC・FWHM)を指す。平均焼結粒径とは、配向アルミナ基板の板面にサーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて撮影した画像を用いて測定した値である。このエピタキシャル成長用配向アルミナ基板を利用して作製した半導体デバイスは、従来に比べて特性が向上する。
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公开(公告)号：JP6109672B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2013157914
申请日：2013-07-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M4/505 , C04B35/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G53/00 , H01M10/0562
CPC classification number: B05D1/60 , C23C16/45568 , C23C16/4557 , C23C16/463
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公开(公告)号：JP6057902B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2013533702
申请日：2012-09-13
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M4/0471 , H01M10/052 , H01M4/1391 , Y02E60/122 , Y02P70/54
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