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公开(公告)号：JPWO2015137198A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016507470
申请日：2015-03-03
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/06 , H01L41/316 , H01L41/319
CPC分类号： H01L41/319 , C23C14/083 , C23C14/088 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要： 本発明の多層膜の製造方法は、基板(2、31)に導電層(3)を形成し、前記導電層(3)を覆うように、ペロブスカイト構造を有する酸化物を含むシード層(4)をスパッタ法により形成し、前記シード層(4)を覆うように誘電体層(5)を形成する。
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公开(公告)号：JPWO2012046706A1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012537709
申请日：2011-10-03
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/02 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/088 , C01G21/06 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C23C14/024 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01L41/316
摘要： (100)/(001)配向したPZTの薄膜を形成できる誘電体薄膜の成膜方法を提供する。基板の表面にPbOのガスを付着させてシード層を形成した後、真空排気された真空槽内で基板を加熱しながら、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)のターゲットに電圧を印加してスパッタし、基板の表面にPZTの薄膜を成膜する。シード層からPbとOとが供給されてPZT薄膜にPb欠損は生じず、(001)/(100)配向したPZT膜が得られる。
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公开(公告)号：JPWO2015194452A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016529292
申请日：2015-06-11
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： H01L41/319 , H01L21/316 , H01L41/047 , H01L41/187 , H01L41/316
CPC分类号： H01L41/1876 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01G53/00 , C01G53/04 , C23C14/024 , C23C14/025 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/14 , C23C14/3492 , C30B23/00 , C30B29/22 , C30B29/32 , H01L41/0477 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： この多層膜は、シリコンからなる基板の一主面側に、白金(Pt)からなる導電層と、ランタン(La)とニッケル(Ni)と酸素(O)とを含むシード層と、誘電体層と、を少なくとも順に配してなり、前記誘電体層は、c軸方向に優先的に配向されている。
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公开(公告)号：JPWO2015194458A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016529297
申请日：2015-06-11
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： C23C14/06 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
CPC分类号： H01L41/1876 , C01G25/00 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/74 , C23C14/06 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/568 , C23C28/30 , C23C28/32 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： この多層膜の製造方法は、基板に導電層を形成する工程Aと、前記導電層を覆うようにシード層を形成する工程Bと、前記シード層を覆うように誘電体層を形成する工程Cと、を少なくとも備えた多層膜の製造方法であって、前記工程Bにおいて、前記シード層として、ストロンチウム(Sr)とルテニウム(Ru)と酸素(O)とを含む化合物を、スパッタ法により形成し、前記工程Cにおいて、前記誘電体層を形成する際の基板温度をTdと定義したとき、560≦Td≦720[℃]である。
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公开(公告)号：JP5636433B2
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：JP2012537709
申请日：2011-10-03
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： H01L41/316 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L21/316
CPC分类号： C23C14/088 , C01G21/06 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C23C14/024 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01L41/316
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公开(公告)号：JPWO2017038806A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017505659
申请日：2016-08-30
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： H01L41/053 , H01L41/187 , H01L41/23
CPC分类号： H01L27/105 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/23
摘要： 本発明は、保護膜による拘束力を小さくして圧電特性を向上させ、また誘電率の低下を抑制するとともに、水素イオンによる還元劣化に起因する物理特性の低下を防止することができる酸化物誘電体素子の保護膜の技術を提供する。本発明の酸化物誘電体素子15は、Si基板1と、Si基板1上に設けられ、酸化物誘電体層5を挟んで設けられた第1及び第2の電極層4、6を有する酸化物誘電体薄膜積層体8とを備え、酸化物誘電体薄膜積層体8は、高分子重合体からなる保護膜7によって覆われている。保護膜7は、蒸着重合法によって形成することができる。
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公开(公告)号：JPWO2015194453A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016529293
申请日：2015-06-11
申请人： 株式会社アルバック
CPC分类号： H01L41/083 , B32B15/00 , B41J2/14 , C23C14/04 , C23C14/088 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C14/588 , H01L41/0471 , H01L41/0805 , H01L41/29 , H01L41/297 , H01L41/314 , H01L41/316
摘要： この多層膜は、基板の一主面側に、第一導電層と、誘電体層と、第二導電層とが順に重ねて配された多層膜であって、前記誘電体層は、前記誘電体層の下面が前記第一導電層の上面に接するとともに、前記誘電体層の上面及び側面が前記第二導電層により被覆されており、かつ、前記基板の一主面側において、前記第一導電層と前記第二導電層が直接重なる部位の側端部は、前記基板の側端部より内側に位置する。
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公开(公告)号：JPWO2015198882A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016529290
申请日：2015-06-11
申请人： 株式会社アルバック
发明人： 光隆 廣瀬 , 光隆 廣瀬 , 宏樹 小林 , 宏樹 小林 , 充則 逸見 , 充則 逸見 , 和也 塚越 , 和也 塚越 , 達郎 露木 , 達郎 露木 , 木村 勲 , 勲 木村 , 弘綱 鄒 , 弘綱 鄒
IPC分类号： H01L41/319 , C23C14/06 , H01L41/047 , H01L41/29
CPC分类号： H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 本発明は、スパッタリングによってPZT薄膜を形成する際に、従来のシード層を用いることなく、不純物相であるパイロクロア相の生成を抑制する技術を提供するものである。本発明は、Si基板10上に、白金密着層であるTiOX層4を介して設けられたPt電極層5と、Pt電極層5上に形成されたTi薄膜層6と、Ti薄膜層6上に形成されたPZT薄膜層7とを有するPZT薄膜積層体である。Ti薄膜層6の厚さは、1nm以上10nm以下とすることができる。
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公开(公告)号：JPWO2012046705A1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012537708
申请日：2011-10-03
申请人： 株式会社アルバック
IPC分类号： C23C14/08
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/024 , C23C14/088 , C23C14/35 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/063 , C30B29/32
摘要： (100)/(001)配向した誘電体膜を形成できる誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法を提供する。誘電体成膜装置10は、ターゲット21から放出された粒子が付着する位置に配置された防着板34を加熱する防着板加熱部19を有している。スパッタガス導入部14から真空槽11内にスパッタガスを導入し、防着板34を成膜温度よりも高い温度に加熱して、防着板34に付着された薄膜から蒸気を放出させ、基板31にシード層を形成した後、基板31を成膜温度にし、電源13からターゲット21に交流電圧を印加して、ターゲット21をスパッタし、基板31に誘電体膜を成膜する。
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