公开(公告)号：JP2019012836A

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：JP2018165684

申请日：2018-09-05

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  倉又 朗人 ,  東脇 正高

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa 2 O 3 系の半導体素子を提供する。 【解決手段】一実施の形態として、Ga 2 O 3 系結晶からなる下地基板11と、Ga 2 O 3 系結晶からなり、下地基板11上のエピタキシャル層12と、下地基板11の下面上のカソード電極13と、エピタキシャル層12の上面上のアノード電極14と、Ga 2 O 3 系結晶よりも熱伝導率の高い材料からなり、一方の面上に電極18を有し、カソード電極13に電極18が貼り合わされることにより下地基板11に貼り付けられた支持基板17と、を有するショットキーダイオード10を提供する。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018186246A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017088866

申请日：2017-04-27

Applicant: 国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  株式会社タムラ製作所 ,  株式会社ノベルクリスタルテクノロジー

Inventor： 東脇 正高 ,  中田 義昭 ,  上村 崇史 ,  ワン マンホイ ,  佐々木 公平 ,  脇本 大樹

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/08 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/24

CPC classification number: C30B23/08 ,  C30B29/16 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】新規なアクセプター不純物が添加されたGa 2 O 3 系結晶層を有するGa 2 O 3 系半導体素子を提供する。 【解決手段】Ga 2 O 3 系半導体素子(ショットキーバリアダイオード1a)は、非意図的に添加されたドナーを含む第2のGa 2 O 3 系結晶層11と、第2のGa 2 O 3 系結晶層11の全体に形成されたN添加領域と、を有する。ドナーは、Ga 2 O 3 系結晶層に非意図的に添加されたものであり、N添加領域が、ドナーの濃度以下の濃度のNを含む。Nを添加することで、非意図的に添加されたドナーを補償してn型になることを防止する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6344718B2

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：JP2014160092

申请日：2014-08-06

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高

IPC: H01L29/872 ,  C30B29/16 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/425 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6108366B2

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：JP2015166425

申请日：2015-08-26

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高

IPC: H01L29/78 ,  C30B29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/045 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365

公开(公告)号：JP2017045969A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015169847

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  国立大学法人東京農工大学

Inventor： 佐々木 公平 ,  後藤 健 ,  東脇 正高 ,  熊谷 義直 ,  村上 尚

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】耐圧特性及びリーク特性に優れる、Ga 2 O 3 系のショットキーバリアダイオードを提供する。 【解決手段】一実施の形態として、n型の第1のGa 2 O 3 系単結晶からなる第1の層10と、n型の第2のGa 2 O 3 系単結晶からなり、第1の層10よりも実効ドナー濃度が低い第2の層11と、開口部12aを有する絶縁層12と、絶縁層12の開口部12a内で第2の層11にショットキー接触し、かつ絶縁層12の開口部12a周辺の領域に乗り上げたフィールドプレート13aを有するアノード電極13と、カソード電極14と、を有し、第2の層11の実効ドナー濃度が1.4×10 16 cm −3 以下であり、フィールドプレート13aの長さが10μm以上であり、600V以上の耐圧を有する、ショットキーバリアダイオードを提供する。 【選択図】図1

Abstract translation: 优异的耐电压特性和漏电特性，提供了肖特基势垒二极管的一个Ga2O3系统。 为一个实施例中，由n型第一Ga2O3系统单晶，n型第二Ga2O3系统单晶的第一层10，比第一层10中的有效 施主浓度是较低的第二层11，具有开口12a 12的绝缘层，在与所述第二层11肖特基接触的绝缘层12的开口12a，和开口12a上的绝缘层12的周围 具有场板13a，其骑在阴极电极14的区域中的阳极电极13在第二层11是在1.4×1016厘米-3或更小，场板13a的长度的有效施主浓度 并在10微米或更多，它具有更高的击穿电压600V，提供了一种肖特基势垒二极管。 点域1

公开(公告)号：JP2016197737A

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：JP2016129307

申请日：2016-06-29

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  倉又 朗人 ,  東脇 正高

IPC: C30B29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa 2 O 3 系の半導体素子及びその製造方法、並びにその半導体素子の製造に用いることができる結晶積層構造体を提供する。 【解決手段】一実施の形態として、0.05μm以上かつ10μm未満の厚さを有する、Ga 2 O 3 系結晶からなる下地基板11と、Ga 2 O 3 系結晶からなり、下地基板11上のエピタキシャル層12と、を有するショットキーダイオード10を提供する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种散热特性和耐电压优异的GaO基半导体器件及其制造方法，以及可用于制造半导体器件的晶体层叠结构。解决方案：一个实施例提供肖特基二极管 10具有：厚度为0.05μm以上且小于10μm的基底基板11，由GaO基晶体构成; 以及由基底基板11上的GaO基晶体构成的外延层12

公开(公告)号：JP2016015503A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2015166425

申请日：2015-08-26

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高

IPC: H01L29/78 ,  C30B29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/045 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365

Abstract: 【課題】高品質のGa 2 O 3 系半導体素子を提供する。 【解決手段】一実施の形態として、(100)面から50°以上90°以下の角度だけ回転させた面を主面とするn型β−Ga 2 O 3 基板2と、n型β−Ga 2 O 3 基板2上に形成されたβ−Ga 2 O 3 単結晶膜3と、β−Ga 2 O 3 単結晶膜3上に形成されたソース電極22a、22bと、n型β−Ga 2 O 3 基板2のβ−Ga 2 O 3 単結晶膜3と反対側の面上に形成されたドレイン電極25と、β−Ga 2 O 3 単結晶膜3中に形成され、ソース電極22a、22bが接続されたn型のコンタクト領域23a、23bと、β−Ga 2 O 3 単結晶膜3上にゲート絶縁膜26を介して形成されたゲート電極21と、を含むGa 2 O 3 系半導体素子20を提供する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供高质量的高半导体元件。解决方案：一个实施例的GaO半导体元件20包括：具有从（100）面以不同程度的角度旋转的表面的n型＆amp; GaGa衬底2 作为主面的50°以上且90°以下; 形成在n型＆Ga 2衬底2上的a-bgr--Ga单晶膜3; 形成在“GaOS单晶”膜3上的源电极22a，22b; 形成在与GaGa单晶膜3相反的一侧的n型＆amp; GaOS衬底2的表面上的漏电极25; n型接触区域23a，23b，其形成在GaGa单晶膜3中，并且源电极22a，22b连接到其上; 以及通过栅极绝缘膜26形成在GaGa单晶硅膜3上的栅电极21。

公开(公告)号：JP6845397B2

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：JP2016091276

申请日：2016-04-28

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6758569B2

公开(公告)日：2020-09-23

申请号：JP2015058519

申请日：2015-03-20

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  国立大学法人東京農工大学

Inventor： 佐々木 公平 ,  後藤 健 ,  東脇 正高 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  村上 尚

IPC: H01L21/329 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6653883B2

公开(公告)日：2020-02-26

申请号：JP2015189802

申请日：2015-09-28

Applicant: 国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  株式会社タムラ製作所

Inventor： ワン マンホイ ,  東脇 正高 ,  佐々木 公平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336