ショットキーバリアダイオード
    5.
    发明专利
    ショットキーバリアダイオード 审中-公开
    肖特基势垒二极管

    公开(公告)号:JP2017045969A

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:JP2015169847

    申请日:2015-08-28

    Abstract: 【課題】耐圧特性及びリーク特性に優れる、Ga 2 O 3 系のショットキーバリアダイオードを提供する。 【解決手段】一実施の形態として、n型の第1のGa 2 O 3 系単結晶からなる第1の層10と、n型の第2のGa 2 O 3 系単結晶からなり、第1の層10よりも実効ドナー濃度が低い第2の層11と、開口部12aを有する絶縁層12と、絶縁層12の開口部12a内で第2の層11にショットキー接触し、かつ絶縁層12の開口部12a周辺の領域に乗り上げたフィールドプレート13aを有するアノード電極13と、カソード電極14と、を有し、第2の層11の実効ドナー濃度が1.4×10 16 cm −3 以下であり、フィールドプレート13aの長さが10μm以上であり、600V以上の耐圧を有する、ショットキーバリアダイオードを提供する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 优异的耐电压特性和漏电特性,提供了肖特基势垒二极管的一个Ga2O3系统。 为一个实施例中,由n型第一Ga2O3系统单晶,n型第二Ga2O3系统单晶的第一层10,比第一层10中的有效 施主浓度是较低的第二层11,具有开口12a 12的绝缘层,在与所述第二层11肖特基接触的绝缘层12的开口12a,和开口12a上的绝缘层12的周围 具有场板13a,其骑在阴极电极14的区域中的阳极电极13在第二层11是在1.4×1016厘米-3或更小,场板13a的长度的有效施主浓度 并在10微米或更多,它具有更高的击穿电压600V,提供了一种肖特基势垒二极管。 点域1

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